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公开(公告)号：CN113675314A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110961023.9
申请日：2021-08-20
Applicant: 厦门理工学院
IPC: H01L33/46
Abstract: 本发明涉及一种UVC‑LED器件，所述UVC‑LED器件包括由上至下依次叠层连接的：衬底层、n型半导体层、量子阱、P型半导体层、覆盖层、氧化镓反射层、p电极和散热基板。所述UVC‑LED器件还包括n电极，所述n电极的两端分别连接于所述n型半导体层和所述散热基板。本发明的UVC‑LED器件采用宽带隙的氧化镓取代ITO作为反射层，降低了对280nm光波长的吸收，增加了UVC‑LED的出光量。
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公开(公告)号：CN116613225A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310210688.5
申请日：2023-03-07
Applicant: 厦门理工学院
IPC: H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种氧化镓深紫外光电探测器及其制备方法，包括双抛蓝宝石衬底，双抛蓝宝石衬底上镀有掺杂Ga2O3薄膜；掺杂Ga2O3薄膜上设有金属铝电极。对双抛蓝宝石衬底进行清洗；使用的真空沉积技术沉积X‑doped Ga2O3，形成掺杂Ga2O3薄膜；将镀膜的双抛蓝宝石衬底放入真空热蒸发设备中，结合图形化掩膜版，沉积金属铝电极。本发明通过调控掺杂的比例，可提高深紫外探测器光电流，同时降低暗电流，并提高光暗电流比。
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公开(公告)号：CN114875380B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202210478170.5
申请日：2022-05-05
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 本发明公开一种提升p型含氧金属化合物薄膜迁移率的方法，通过在p型含氧金属化合物薄膜中掺杂原子，所掺杂的原子的最外围轨道能和氧2p轨道形成化学键，能提高价带顶部的散度和增加价带顶的斜率，故而能提高提升p型含氧金属化合物薄膜迁移率。可以是，所掺杂的原子的最外围轨道为2s或3s轨道，或者所掺杂的原子的最外围轨道具有3d10电子排布模型。通过掺杂成键，能降低空穴迁移的能量势垒，提升迁移率。
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公开(公告)号：CN116516318A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310486155.X
申请日：2023-05-04
Applicant: 厦门理工学院
IPC: C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 本发明公开了一种非真空原子层沉积氧化镓薄膜的制备方法，包括非真空ALD工艺和TMG+O3工艺。TMG液态源置于不锈钢瓶内，源瓶一端和一喷头连接在一起，以一个惰性气体如N2将TMG的蒸气携带出来，最后由喷头喷出。同样地，将O2气瓶和一个O3产生器连接，产生器另外一端和一喷头连接，当O2经过O3产生器时产生臭氧，最后由喷头喷出。TMG喷头和O3喷头之间由惰性气体(如N2)隔开，避免TMG和O3混合。所以当一衬底在喷头下方来回移动时，通过不断形成的Ga‑O‑Ga‑…最后可以形成氧化镓薄膜。本发明的非真空ALD制备氧化镓的方法，从沉积速率上和设备成本上都有利于ALD氧化镓应用到工业上。
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公开(公告)号：CN114686844A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011637836.4
申请日：2020-12-31
Applicant: 厦门理工学院
IPC: C23C16/24 , C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供了一种基于原子层沉积的非晶硅薄膜制备方法，其方法包括：将带有H基或OH基的衬底放入反应腔体；向所述反应腔体内注入硅源气体，以使得所述硅源气体与所述衬底表面的H基或OH基进行反应，进而在所述衬底表面生成新的配基；向所述反应腔体内注入惰性气体，以吹扫出所述反应腔体内的杂质；向所述反应腔体内注入等离子气体，并重复以上步骤，以在所述衬底表面生成非晶硅薄膜。解决了现有的等离子体化学气相沉积制备出来的薄膜含有针孔的问题，且改善了在高深宽比或复杂表面上的薄膜阶梯覆盖性低的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117238973A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311297294.4
申请日：2023-10-09
Applicant: 厦门理工学院
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法，包括栅极、绝缘层、梯度或渐变有源层以及源/漏极，所述栅极为一图案化的第一金属薄膜，所述绝缘层生长在所述栅极上并作为栅介质层，在所述绝缘层上生长一层氧化物半导体形成该梯度或渐变有源层，在所述梯度或渐变有源层上生长一层第二金属薄膜形成所述源/漏极；所述梯度或渐变有源层具有靠近所述源/漏极的低载流子浓度氧化物层以及靠近所述绝缘层的高迁移率氧化物层，所述梯度或渐变有源层的电学特性呈梯度或渐变变化。
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公开(公告)号：CN116815142A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310782190.6
申请日：2023-06-29
Applicant: 厦门理工学院
IPC: C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/54 , H01L29/786 , H01L29/24
Abstract: 本发明公开了一种氧化铟镓锌薄膜及其制备方法、TFT器件，所述制备方法，基于高功率脉冲磁控溅射技术，且用于进行溅射的靶材的摩尔比例为In2O3:Ga2O3:ZnO＝1.8±0.2:1.4±0.2:1±0.2。本发明通过增加靶材中铟元素比例以提高薄膜迁移率，增加镓元素比例以抑制氧空位，从而降低载流子浓度。
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公开(公告)号：CN116581223A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310759388.2
申请日：2023-06-26
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 本发明提供一种微型发光二极管的制备方法，包括：图案蓝宝石衬底上制备n‑GaN/多量子阱MQW/p‑GaN层；台面图案化，蚀刻进行台面蚀刻以暴露n‑GaN；沉积SiO2层作为阻挡层；在SiO2阻挡层上溅射氧化铟锡ITO层；在p和n‑GaN区域分别蒸镀包含Al/Pt/Ti多层膜的第一金属层FML；沉积ALDAl2O3薄层作为内部防潮层，覆盖PECVDSiO2层和包含SiO2和Ti3O5叠层的布拉格反射器DBR；对DBR、SiO2和Al2O3层进行图案化和干法蚀刻，直到露出下面的FML；沉积Ti/Al/Ti/Au第二金属层SML作为p和n金属焊盘。本发明在miniLED内部利用原子层沉积致密、超薄的防潮薄膜，并同时提升光输出量。
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公开(公告)号：CN114875380A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210478170.5
申请日：2022-05-05
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 本发明公开一种提升p型含氧金属化合物薄膜迁移率的方法，通过在p型含氧金属化合物薄膜中掺杂原子，所掺杂的原子的最外围轨道能和氧2p轨道形成化学键，能提高价带顶部的散度和增加价带顶的斜率，故而能提高提升p型含氧金属化合物薄膜迁移率。可以是，所掺杂的原子的最外围轨道为2s或3s轨道，或者所掺杂的原子的最外围轨道具有3d10电子排布模型。通过掺杂成键，能降低空穴迁移的能量势垒，提升迁移率。
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公开(公告)号：CN112813417A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011584038.X
申请日：2020-12-28
Applicant: 厦门理工学院
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供了一种沉积装置及系统，包括：多个喷射组件、与所述喷射组件电气连接的电源模块、以及可移动配置在所述喷射组件下方用于放置衬底的载台；其中，每一所述喷射组件包括沿第一方向排列的第一喷射源、隔离组件、解离喷射源；所述第一喷射源；用于喷射金属化合物；所述解离喷射源；用于喷射等离子体气体；所述隔离组件；配置在所述第一喷射源和所述解离喷射源之间，用于分隔所述第一喷射源和所述解离喷射源。解决了现有空间原子沉积系统沉积的薄膜质量差、速率低的问题。
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