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公开(公告)号：CN114875380B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202210478170.5
申请日：2022-05-05
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 本发明公开一种提升p型含氧金属化合物薄膜迁移率的方法，通过在p型含氧金属化合物薄膜中掺杂原子，所掺杂的原子的最外围轨道能和氧2p轨道形成化学键，能提高价带顶部的散度和增加价带顶的斜率，故而能提高提升p型含氧金属化合物薄膜迁移率。可以是，所掺杂的原子的最外围轨道为2s或3s轨道，或者所掺杂的原子的最外围轨道具有3d10电子排布模型。通过掺杂成键，能降低空穴迁移的能量势垒，提升迁移率。
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公开(公告)号：CN114686844A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011637836.4
申请日：2020-12-31
Applicant: 厦门理工学院
IPC: C23C16/24 , C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供了一种基于原子层沉积的非晶硅薄膜制备方法，其方法包括：将带有H基或OH基的衬底放入反应腔体；向所述反应腔体内注入硅源气体，以使得所述硅源气体与所述衬底表面的H基或OH基进行反应，进而在所述衬底表面生成新的配基；向所述反应腔体内注入惰性气体，以吹扫出所述反应腔体内的杂质；向所述反应腔体内注入等离子气体，并重复以上步骤，以在所述衬底表面生成非晶硅薄膜。解决了现有的等离子体化学气相沉积制备出来的薄膜含有针孔的问题，且改善了在高深宽比或复杂表面上的薄膜阶梯覆盖性低的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118460959A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410485009.X
申请日：2024-04-22
Applicant: 厦门理工学院
IPC: C23C14/08 , C23C14/34 , C23C14/28 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种P型金属氧化物薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)将衬底置于载入腔样品托盘；(2)当载入腔真空度达到要求后，打开阀门并将托盘传送至工艺腔；(3)在进行薄膜沉积前，对工艺腔抽真空；(4)经第一路气体质量流量控制器(MFC1)通入氩气作为溅射气体，同时经第二路气体质量流量控制器(MFC2)通入提前用惰性气体稀释的氧化性混合气体作为反应气体，预设溅射气压值并控制溅射气压；(5)当气压达到预设值之后开始进行金属氧化物薄膜的溅射镀膜过程；(6)薄膜沉积结束后，关闭电源和终止气体通入，打开出气阀门，当载出腔真空度达到5×10‑2Torr以下后，将托盘传送至载出腔；(7)向载出腔通入氮气进行泄压后，取出样品。
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公开(公告)号：CN117238973A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311297294.4
申请日：2023-10-09
Applicant: 厦门理工学院
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法，包括栅极、绝缘层、梯度或渐变有源层以及源/漏极，所述栅极为一图案化的第一金属薄膜，所述绝缘层生长在所述栅极上并作为栅介质层，在所述绝缘层上生长一层氧化物半导体形成该梯度或渐变有源层，在所述梯度或渐变有源层上生长一层第二金属薄膜形成所述源/漏极；所述梯度或渐变有源层具有靠近所述源/漏极的低载流子浓度氧化物层以及靠近所述绝缘层的高迁移率氧化物层，所述梯度或渐变有源层的电学特性呈梯度或渐变变化。
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公开(公告)号：CN114875380A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210478170.5
申请日：2022-05-05
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 本发明公开一种提升p型含氧金属化合物薄膜迁移率的方法，通过在p型含氧金属化合物薄膜中掺杂原子，所掺杂的原子的最外围轨道能和氧2p轨道形成化学键，能提高价带顶部的散度和增加价带顶的斜率，故而能提高提升p型含氧金属化合物薄膜迁移率。可以是，所掺杂的原子的最外围轨道为2s或3s轨道，或者所掺杂的原子的最外围轨道具有3d10电子排布模型。通过掺杂成键，能降低空穴迁移的能量势垒，提升迁移率。
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公开(公告)号：CN112813417A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011584038.X
申请日：2020-12-28
Applicant: 厦门理工学院
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供了一种沉积装置及系统，包括：多个喷射组件、与所述喷射组件电气连接的电源模块、以及可移动配置在所述喷射组件下方用于放置衬底的载台；其中，每一所述喷射组件包括沿第一方向排列的第一喷射源、隔离组件、解离喷射源；所述第一喷射源；用于喷射金属化合物；所述解离喷射源；用于喷射等离子体气体；所述隔离组件；配置在所述第一喷射源和所述解离喷射源之间，用于分隔所述第一喷射源和所述解离喷射源。解决了现有空间原子沉积系统沉积的薄膜质量差、速率低的问题。
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公开(公告)号：CN222190725U
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202420899854.7
申请日：2024-04-28
Applicant: 厦门理工学院
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/58
Abstract: 本实用新型公开了一种类太阳光谱光源，包括按顺序设置的微晶板、防眩膜、扩散板、多合一光源板以及驱动，所述多合一光源板上阵列排布有多个贴片LED单元，所述贴片LED单元包括有多个LED光源，所述多个LED光源的其中一个LED光源为近紫外LED芯片，另外的LED光源为白光混光LED芯片，所述白光混光LED芯片为多个不同波段的LED芯片形成的混光LED芯片，所述近紫外LED芯片的主波长为380‑420nm。
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