公开(公告)号：CN116581223A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310759388.2

申请日：2023-06-26

Applicant: 厦门理工学院

Inventor： 许嘉巡 ,  连水养 ,  罗海龙 ,  岳新翔

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01L33/62

Abstract: 本发明提供一种微型发光二极管的制备方法，包括：图案蓝宝石衬底上制备n‑GaN/多量子阱MQW/p‑GaN层；台面图案化，蚀刻进行台面蚀刻以暴露n‑GaN；沉积SiO2层作为阻挡层；在SiO2阻挡层上溅射氧化铟锡ITO层；在p和n‑GaN区域分别蒸镀包含Al/Pt/Ti多层膜的第一金属层FML；沉积ALDAl2O3薄层作为内部防潮层，覆盖PECVDSiO2层和包含SiO2和Ti3O5叠层的布拉格反射器DBR；对DBR、SiO2和Al2O3层进行图案化和干法蚀刻，直到露出下面的FML；沉积Ti/Al/Ti/Au第二金属层SML作为p和n金属焊盘。本发明在miniLED内部利用原子层沉积致密、超薄的防潮薄膜，并同时提升光输出量。