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公开(公告)号：CN116613225A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310210688.5
申请日：2023-03-07
Applicant: 厦门理工学院
IPC: H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种氧化镓深紫外光电探测器及其制备方法，包括双抛蓝宝石衬底，双抛蓝宝石衬底上镀有掺杂Ga2O3薄膜；掺杂Ga2O3薄膜上设有金属铝电极。对双抛蓝宝石衬底进行清洗；使用的真空沉积技术沉积X‑doped Ga2O3，形成掺杂Ga2O3薄膜；将镀膜的双抛蓝宝石衬底放入真空热蒸发设备中，结合图形化掩膜版，沉积金属铝电极。本发明通过调控掺杂的比例，可提高深紫外探测器光电流，同时降低暗电流，并提高光暗电流比。
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