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公开(公告)号：CN116516318A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310486155.X
申请日：2023-05-04
Applicant: 厦门理工学院
IPC: C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 本发明公开了一种非真空原子层沉积氧化镓薄膜的制备方法，包括非真空ALD工艺和TMG+O3工艺。TMG液态源置于不锈钢瓶内，源瓶一端和一喷头连接在一起，以一个惰性气体如N2将TMG的蒸气携带出来，最后由喷头喷出。同样地，将O2气瓶和一个O3产生器连接，产生器另外一端和一喷头连接，当O2经过O3产生器时产生臭氧，最后由喷头喷出。TMG喷头和O3喷头之间由惰性气体(如N2)隔开，避免TMG和O3混合。所以当一衬底在喷头下方来回移动时，通过不断形成的Ga‑O‑Ga‑…最后可以形成氧化镓薄膜。本发明的非真空ALD制备氧化镓的方法，从沉积速率上和设备成本上都有利于ALD氧化镓应用到工业上。
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