公开(公告)号：CN118460959A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410485009.X

申请日：2024-04-22

Applicant: 厦门理工学院

Inventor： 赵铭杰 ,  李海城

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/28 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开了一种P型金属氧化物薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)将衬底置于载入腔样品托盘；(2)当载入腔真空度达到要求后，打开阀门并将托盘传送至工艺腔；(3)在进行薄膜沉积前，对工艺腔抽真空；(4)经第一路气体质量流量控制器(MFC1)通入氩气作为溅射气体，同时经第二路气体质量流量控制器(MFC2)通入提前用惰性气体稀释的氧化性混合气体作为反应气体，预设溅射气压值并控制溅射气压；(5)当气压达到预设值之后开始进行金属氧化物薄膜的溅射镀膜过程；(6)薄膜沉积结束后，关闭电源和终止气体通入，打开出气阀门，当载出腔真空度达到5×10‑2Torr以下后，将托盘传送至载出腔；(7)向载出腔通入氮气进行泄压后，取出样品。

公开(公告)号：CN116815142A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310782190.6

申请日：2023-06-29

Applicant: 厦门理工学院

Inventor： 王尧天 ,  黄奇辉 ,  许嘉巡 ,  连水养 ,  李海城 ,  付万锵 ,  严嘉豪

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/54 ,  H01L29/786 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明公开了一种氧化铟镓锌薄膜及其制备方法、TFT器件，所述制备方法，基于高功率脉冲磁控溅射技术，且用于进行溅射的靶材的摩尔比例为In2O3:Ga2O3:ZnO＝1.8±0.2:1.4±0.2:1±0.2。本发明通过增加靶材中铟元素比例以提高薄膜迁移率，增加镓元素比例以抑制氧空位，从而降低载流子浓度。