-
公开(公告)号：CN113675314A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110961023.9
申请日：2021-08-20
Applicant: 厦门理工学院
IPC: H01L33/46
Abstract: 本发明涉及一种UVC‑LED器件，所述UVC‑LED器件包括由上至下依次叠层连接的：衬底层、n型半导体层、量子阱、P型半导体层、覆盖层、氧化镓反射层、p电极和散热基板。所述UVC‑LED器件还包括n电极，所述n电极的两端分别连接于所述n型半导体层和所述散热基板。本发明的UVC‑LED器件采用宽带隙的氧化镓取代ITO作为反射层，降低了对280nm光波长的吸收，增加了UVC‑LED的出光量。
Search Results
1
records
(took 0.018 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
