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发明公开
一种氧化铟镓锌薄膜及其制备方法、TFT器件审中-实审

公开(公告)号：CN116815142A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310782190.6

申请日：2023-06-29

Applicant: 厦门理工学院

Inventor： 王尧天 , 黄奇辉 , 许嘉巡 , 连水养 , 李海城 , 付万锵 , 严嘉豪

IPC: C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/54 , H01L29/786 , H01L29/24

Abstract: 本发明公开了一种氧化铟镓锌薄膜及其制备方法、TFT器件，所述制备方法，基于高功率脉冲磁控溅射技术，且用于进行溅射的靶材的摩尔比例为In2O3:Ga2O3:ZnO＝1.8±0.2:1.4±0.2:1±0.2。本发明通过增加靶材中铟元素比例以提高薄膜迁移率，增加镓元素比例以抑制氧空位，从而降低载流子浓度。

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