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公开(公告)号：CN110042469B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201910355286.8
申请日：2019-04-29
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种花色碳化硅宝石的制备方法，通过使用图形化碳化硅单晶衬底，衬底背面粘在石墨坩埚顶部上盖内层，石墨坩埚内放入高纯碳化硅原料，石墨坩埚放入晶体生长炉中，采用物理气相传输法晶体生长系统，晶体生长温度在1800℃‑2600℃，其中衬底温度在2300℃以下，原料温度大于2300℃，氩气氛下生长，反应室内气压在1‑4kPa之间，生长时间在60小时以上，得到碳化硅晶体作为碳化硅宝石原料，经过宝石加工，可获得黄绿、褐绿等花色碳化硅宝石。
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公开(公告)号：CN110042469A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910355286.8
申请日：2019-04-29
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种花色碳化硅宝石的制备方法，通过使用图形化碳化硅单晶衬底，衬底背面粘在石墨坩埚顶部上盖内层，石墨坩埚内放入高纯碳化硅原料，石墨坩埚放入晶体生长炉中，采用物理气相传输法晶体生长系统，晶体生长温度在1800℃-2600℃，其中衬底温度在2300℃以下，原料温度大于2300℃，氩气氛下生长，反应室内气压在1-4kPa之间，生长时间在60小时以上，得到碳化硅晶体作为碳化硅宝石原料，经过宝石加工，可获得黄绿、褐绿等花色碳化硅宝石。
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公开(公告)号：CN111370567B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202010199097.9
申请日：2020-03-20
Applicant: 南通大学
IPC: H10N30/853 , H10N30/045
Abstract: 本发明公开了一种基于机械应变调控BaTiO3铁电薄膜中极化旋转的使用方法，包括衬底和BaTiO3薄膜，薄膜设置在衬底上方，薄膜沿着[001]方向进行生长，对薄膜进行预极化处理，对四方相衬底外加双轴等效面内应力，导致铁电薄膜极化在面内向c轴方向翻转；衬底的压应变增大，极化取向完全翻转到沿c轴方向时，继续增加衬底应力，导致沿c轴方向的极化增大，方向不变；应力作用达到足以使极化取向完全沿c轴时，再逐步减小应力，记录不同应力作用下，薄膜铁电极化的大小、方向。本发明通过改变衬底应变，借助衬底与薄膜间的应变耦合的双轴等效应变调控，实现铁电自发极化面内旋转，并且可用于对BaTiO3薄膜中的极化旋转调控，也适用于较小BaTiO3体材料中极化面内转动调控。
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公开(公告)号：CN111416034B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202010199179.3
申请日：2020-03-20
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于磁致伸缩实现BaTiO3薄膜铁电极化转动的使用方法，包括衬底和BaTiO3薄膜，BaTiO3薄膜沿着[001]方向外延生长在衬底上，对薄膜需进行单畴化处理，将该生长于衬底上的薄膜放置在垂直于薄膜表面且不断加大的外加电场中，测量薄膜c方向的极化强度，至极化强度不再增加，撤去外电场；将金属导线卷绕在金属芯上，固定在衬底的两侧，导线通过可调电阻连接于直流稳压电源；以初始极化方向作为起始方向，逐渐加大电压，记录铁电极化方向的改变，至铁电极化翻转到平行于薄膜平面；重新接通电源，可通过调控电压进行10进制编码的信息存储或读取。本发明通过磁致伸缩和应变耦合，使得薄膜产生双轴等效应变而驱动铁电薄膜自发极化转动，实现多态存储。
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公开(公告)号：CN111416034A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010199179.3
申请日：2020-03-20
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于磁致伸缩实现BaTiO3薄膜铁电极化转动的使用方法，包括衬底和BaTiO3薄膜，BaTiO3薄膜沿着[001]方向外延生长在衬底上，对薄膜需进行单畴化处理，将该生长于衬底上的薄膜放置在垂直于薄膜表面且不断加大的外加电场中，测量薄膜c方向的极化强度，至极化强度不再增加，撤去外电场；将金属导线卷绕在金属芯上，固定在衬底的两侧，导线通过可调电阻连接于直流稳压电源；以初始极化方向作为起始方向，逐渐加大电压，记录铁电极化方向的改变，至铁电极化翻转到平行于薄膜平面；重新接通电源，可通过调控电压进行10进制编码的信息存储或读取。本发明通过磁致伸缩和应变耦合，使得薄膜产生双轴等效应变而驱动铁电薄膜自发极化转动，实现多态存储。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119724439A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411736855.0
申请日：2024-11-29
Applicant: 南通大学
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明提供一种基于第一性原理和应变调控二维Janus材料光电性质的方法，涉及二维光电材料应用技术领域，所述方法利用VESTA和VASP进行计算后筛选出能够通过应变提升光电性质的材料。其具体步骤如下：从数据库中提取二维Janus材料，并进行结构设计，将.cif文件转变为.vasp文件格式；对材料进行结构弛豫，并进行静态自洽计算；基于S2的参数修改，对稳定的材料进行光电性质的计算；对材料施加正向应变和负向应变，重复未施加应变时的步骤，计算材料的态密度，能带结构光吸收系数，载流子迁移率，将施加应变后的性质与未施加应变的性质进行对比。本发明方法在整体实现过程中不需要化学物品，没有环境污染，节约时间的同时节约成本。
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公开(公告)号：CN110517977A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910808008.3
申请日：2019-08-29
Applicant: 南通大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种改善大尺寸晶片腐蚀均匀性装置与方法，所述大尺寸晶片腐蚀装置包括喷液系统，所述喷液系统包括输送管、喷液头和喷液头旋转架，所述输送管为耐腐蚀材料制成的外管和多根内管组成，前半部分为软管结构，内管之间相互独立，从而可以输送多种不同的腐蚀液，所述喷液头连接腐蚀液输送管，可以直接将腐蚀液喷在晶片表面，所述喷液头出口处装有出液垫圈，所述出液垫圈正面为多孔状结构，可以控制出射腐蚀液流速、覆盖晶片的面积，所述喷液头旋转架固定在腐蚀腔顶部，喷液头固定在旋转架上，可以三百六十度旋转，喷液头旋转方向与晶片旋转方向相反。通过调节可晶片旋转底座的转速与喷液头转速，喷液头就可以快速均匀的将腐蚀液喷射在晶片表面。本发明结构简单，提高了喷液效率，达到迅速实现喷液均匀性，节约了成本。
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公开(公告)号：CN118890940A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410936262.2
申请日：2024-07-12
Applicant: 南通大学
Abstract: 本申请公开一种刮刀涂布的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，刮刀涂布的钙钛矿太阳能电池为正式结构或反式结构，当刮刀涂布的钙钛矿太阳能电池为正式结构，在透明导电基底上依次为电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和金属电极；当刮刀涂布的钙钛矿太阳能电池为反式结构，透明导电基底上依次为空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层和金属电极；所述钙钛矿吸光层采用有机无机钙钛矿材料；钙钛矿前驱液在土坡形圆柱点阵列间及表面流动，涂布过程减少了钙钛矿前驱液和第一载流子传输层之间的流动剪切应力，土坡形圆柱点阵列的引入抑制了钙钛矿前驱液在刮刀和第一载流子传输层之间的二次团聚。
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公开(公告)号：CN117352101A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311320148.9
申请日：2023-10-12
Applicant: 南通大学
IPC: G16C60/00 , G16C20/70 , G16C20/90 , G06F18/2113 , G06F18/213 , G06F18/214 , G06F18/21 , G06N20/20
Abstract: 本发明公开了一种基于机器学习的快速预测热电材料的电导率的方法，步骤如下：从文献和数据库中收集热电材料化学式电导率数据和特征信息，作为机器学习样本数据集；再根据每个材料的化学式生成对应的特征描述符；对特征变量和电导率进行皮尔逊相关系数分析；选取对电导率影响较大的并且有正向影响的49个特征变量；再划分数据集；用机器学习算法初步对数据集构建模型，并计算R2和RSME的值；将末位淘汰法和随机森林算法相结合，对特征变量进行筛选；将筛选后的特征变量再次用机器学习算法构建模型，对电导率进行预测。本发明建立了快速高效的预测模型，能够帮助研究人员节约实验和计算的时间和成本，能够提高热电材料的研究效率。
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公开(公告)号：CN111370567A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010199097.9
申请日：2020-03-20
Applicant: 南通大学
IPC: H01L41/187 , H01L41/257
Abstract: 本发明公开了一种基于机械应变调控BaTiO3铁电薄膜中极化旋转的使用方法，包括衬底和BaTiO3薄膜，薄膜设置在衬底上方，薄膜沿着[001]方向进行生长，对薄膜进行预极化处理，对四方相衬底外加双轴等效面内应力，导致铁电薄膜极化在 面内向c轴方向翻转；衬底的压应变增大，极化取向完全翻转到沿c轴方向时，继续增加衬底应力，导致沿c轴方向的极化增大，方向不变；应力作用达到足以使极化取向完全沿c轴时，再逐步减小应力，记录不同应力作用下，薄膜铁电极化的大小、方向。本发明通过改变衬底应变，借助衬底与薄膜间的应变耦合的双轴等效应变调控，实现铁电自发极化面内旋转，并且可用于对BaTiO3薄膜中的极化旋转调控，也适用于较小BaTiO3体材料中极化面内转动调控。
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