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公开(公告)号：CN111370567B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202010199097.9
申请日：2020-03-20
Applicant: 南通大学
IPC: H10N30/853 , H10N30/045
Abstract: 本发明公开了一种基于机械应变调控BaTiO3铁电薄膜中极化旋转的使用方法，包括衬底和BaTiO3薄膜，薄膜设置在衬底上方，薄膜沿着[001]方向进行生长，对薄膜进行预极化处理，对四方相衬底外加双轴等效面内应力，导致铁电薄膜极化在面内向c轴方向翻转；衬底的压应变增大，极化取向完全翻转到沿c轴方向时，继续增加衬底应力，导致沿c轴方向的极化增大，方向不变；应力作用达到足以使极化取向完全沿c轴时，再逐步减小应力，记录不同应力作用下，薄膜铁电极化的大小、方向。本发明通过改变衬底应变，借助衬底与薄膜间的应变耦合的双轴等效应变调控，实现铁电自发极化面内旋转，并且可用于对BaTiO3薄膜中的极化旋转调控，也适用于较小BaTiO3体材料中极化面内转动调控。
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公开(公告)号：CN111416034B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202010199179.3
申请日：2020-03-20
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于磁致伸缩实现BaTiO3薄膜铁电极化转动的使用方法，包括衬底和BaTiO3薄膜，BaTiO3薄膜沿着[001]方向外延生长在衬底上，对薄膜需进行单畴化处理，将该生长于衬底上的薄膜放置在垂直于薄膜表面且不断加大的外加电场中，测量薄膜c方向的极化强度，至极化强度不再增加，撤去外电场；将金属导线卷绕在金属芯上，固定在衬底的两侧，导线通过可调电阻连接于直流稳压电源；以初始极化方向作为起始方向，逐渐加大电压，记录铁电极化方向的改变，至铁电极化翻转到平行于薄膜平面；重新接通电源，可通过调控电压进行10进制编码的信息存储或读取。本发明通过磁致伸缩和应变耦合，使得薄膜产生双轴等效应变而驱动铁电薄膜自发极化转动，实现多态存储。
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公开(公告)号：CN111416034A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010199179.3
申请日：2020-03-20
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于磁致伸缩实现BaTiO3薄膜铁电极化转动的使用方法，包括衬底和BaTiO3薄膜，BaTiO3薄膜沿着[001]方向外延生长在衬底上，对薄膜需进行单畴化处理，将该生长于衬底上的薄膜放置在垂直于薄膜表面且不断加大的外加电场中，测量薄膜c方向的极化强度，至极化强度不再增加，撤去外电场；将金属导线卷绕在金属芯上，固定在衬底的两侧，导线通过可调电阻连接于直流稳压电源；以初始极化方向作为起始方向，逐渐加大电压，记录铁电极化方向的改变，至铁电极化翻转到平行于薄膜平面；重新接通电源，可通过调控电压进行10进制编码的信息存储或读取。本发明通过磁致伸缩和应变耦合，使得薄膜产生双轴等效应变而驱动铁电薄膜自发极化转动，实现多态存储。
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公开(公告)号：CN111370567A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010199097.9
申请日：2020-03-20
Applicant: 南通大学
IPC: H01L41/187 , H01L41/257
Abstract: 本发明公开了一种基于机械应变调控BaTiO3铁电薄膜中极化旋转的使用方法，包括衬底和BaTiO3薄膜，薄膜设置在衬底上方，薄膜沿着[001]方向进行生长，对薄膜进行预极化处理，对四方相衬底外加双轴等效面内应力，导致铁电薄膜极化在 面内向c轴方向翻转；衬底的压应变增大，极化取向完全翻转到沿c轴方向时，继续增加衬底应力，导致沿c轴方向的极化增大，方向不变；应力作用达到足以使极化取向完全沿c轴时，再逐步减小应力，记录不同应力作用下，薄膜铁电极化的大小、方向。本发明通过改变衬底应变，借助衬底与薄膜间的应变耦合的双轴等效应变调控，实现铁电自发极化面内旋转，并且可用于对BaTiO3薄膜中的极化旋转调控，也适用于较小BaTiO3体材料中极化面内转动调控。
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