一种改善大尺寸晶片腐蚀均匀性装置与方法

    公开(公告)号:CN110517977A

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201910808008.3

    申请日:2019-08-29

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 本发明公开了一种改善大尺寸晶片腐蚀均匀性装置与方法,所述大尺寸晶片腐蚀装置包括喷液系统,所述喷液系统包括输送管、喷液头和喷液头旋转架,所述输送管为耐腐蚀材料制成的外管和多根内管组成,前半部分为软管结构,内管之间相互独立,从而可以输送多种不同的腐蚀液,所述喷液头连接腐蚀液输送管,可以直接将腐蚀液喷在晶片表面,所述喷液头出口处装有出液垫圈,所述出液垫圈正面为多孔状结构,可以控制出射腐蚀液流速、覆盖晶片的面积,所述喷液头旋转架固定在腐蚀腔顶部,喷液头固定在旋转架上,可以三百六十度旋转,喷液头旋转方向与晶片旋转方向相反。通过调节可晶片旋转底座的转速与喷液头转速,喷液头就可以快速均匀的将腐蚀液喷射在晶片表面。本发明结构简单,提高了喷液效率,达到迅速实现喷液均匀性,节约了成本。

    一种p型SiC衬底判定方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109103120A

    公开(公告)日:2018-12-28

    申请号:CN201810899287.4

    申请日:2018-08-08

    Applicant: 南通大学

    Abstract: 本发明涉及一种p型SiC衬底判定方法,使用变温霍尔效应测试系统,使用镍钛金合金作为电极材料,对待测的p型6H-SiC衬底样品进行测量,变温测量为室温到850K温度范围,温度间隔为50K。对p型6H-SiC衬底的载流子浓度进行检测和分析,可对出厂产品进行抽样检验,也可应用于大尺寸衬底样品导电类型均匀性的判定。

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