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公开(公告)号：CN111046625A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911247271.6
申请日：2019-12-09
Applicant: 南通大学
IPC: G06F30/398 , G16C60/00
Abstract: 本发明公开了一种应变调控二硫化硒半导体器件的仿真方法，包括以下步骤：采用Materials Studio软件构建单层二硫化硒模型→优化无应变的单层无硫化硒，得到基态结构→改变应变的大小和范围，进行非自洽计算→计算态密度，计算能带→相关器件的其他特性计算。本发明通过结合密度泛函理论、平面波和赝势理论、最大化局部瓦涅尔函数以及紧束缚近似理论，从而为实验研究提供指导和理论依据，减少实验过程中的盲目性。
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公开(公告)号：CN115642131A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211260723.6
申请日：2022-10-14
Applicant: 南通大学
Inventor： 渠莉华
IPC: H01L23/051 , H01L23/10
Abstract: 本发明提供一种二维材料异质结器件，包括底板，所述底板顶部表面上对称安装有两个电极端，两个所述电极端之间安装有二维材料层，且底板底部固定连接有器件本体，所述二维材料层表面覆盖有防氧化膜，且底板对应防氧化膜两侧设有固定组件，通过固定组件的作用下，方便对防氧化膜进行固定安装，同时也方便后期的更换，通过防氧化膜的作用下，对二维材料表面进行保护，减少其金属离子与空气发生氧化反应，影响异质结的正常使用，相对于现有技术，加强了对二维材料层表面的保护作用，降低氧化反应，同时方便对起到保护作用的防氧化膜进行安装和更换拆卸，保持异质结的正常使用。
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公开(公告)号：CN115610904B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202211261541.0
申请日：2022-10-14
Applicant: 南通大学
Inventor： 渠莉华
Abstract: 本发明提供一种光学材料筛选装置，包括光学材料筛选机，所述光学材料筛选机一侧装设有第一传送带、第二传送带和第三传送带，且光学材料筛选机另一侧装设有输出传送带，且第一传送带上侧装设有进料漏斗，第二传送带上侧滑动配合有平料块，第三传送带上侧滑动配合有辅助推板，光学材料筛选机开设有与第三传送带相对应的进料口。在本发明中，在光学材料筛选机一侧安装第一传送带、第二传送带和第三传送带，在第一传送带上侧安装进料漏斗，第二传送带上侧安装平料块，第三传送带上侧安装辅助推板，能够较为便捷的将光学材料送入光学材料筛选机内，实现对光学材料的简单分拣，方便后续对光学材料进行筛选。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110517977A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910808008.3
申请日：2019-08-29
Applicant: 南通大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种改善大尺寸晶片腐蚀均匀性装置与方法，所述大尺寸晶片腐蚀装置包括喷液系统，所述喷液系统包括输送管、喷液头和喷液头旋转架，所述输送管为耐腐蚀材料制成的外管和多根内管组成，前半部分为软管结构，内管之间相互独立，从而可以输送多种不同的腐蚀液，所述喷液头连接腐蚀液输送管，可以直接将腐蚀液喷在晶片表面，所述喷液头出口处装有出液垫圈，所述出液垫圈正面为多孔状结构，可以控制出射腐蚀液流速、覆盖晶片的面积，所述喷液头旋转架固定在腐蚀腔顶部，喷液头固定在旋转架上，可以三百六十度旋转，喷液头旋转方向与晶片旋转方向相反。通过调节可晶片旋转底座的转速与喷液头转速，喷液头就可以快速均匀的将腐蚀液喷射在晶片表面。本发明结构简单，提高了喷液效率，达到迅速实现喷液均匀性，节约了成本。
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公开(公告)号：CN115685601A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211260724.0
申请日：2022-10-14
Applicant: 南通大学
Inventor： 渠莉华
Abstract: 本发明提供一种二维材料电光调制器，包括导电底板、导电底板上设置绝缘层，绝缘层上设置有润滑层，润滑层上设置有二维材料层，所述导电底板的底部设置有磁浮座，该磁浮座包括支脚和位于支脚下方的浮座套。在本发明中，在载有二维材料层的导电底板的底部安装磁浮座，磁浮座包括相互分离的支脚和浮座套，支脚和浮座套采用永磁球头和磁力球型槽配合的方式连接，两者之间为非接触时连接，其中浮座套通过锁紧螺钉安装在调制器的外壳内，当调制器壳体震动时，该震动不会影响支脚的稳定状态，进而不会对二维材料层的滑移造成阻碍的影响，进一步保证了二维材料层的调制速率。
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公开(公告)号：CN115610904A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211261541.0
申请日：2022-10-14
Applicant: 南通大学
Inventor： 渠莉华
Abstract: 本发明提供一种光学材料筛选装置，包括光学材料筛选机，所述光学材料筛选机一侧装设有第一传送带、第二传送带和第三传送带，且光学材料筛选机另一侧装设有输出传送带，且第一传送带上侧装设有进料漏斗，第二传送带上侧滑动配合有平料块，第三传送带上侧滑动配合有辅助推板，光学材料筛选机开设有与第三传送带相对应的进料口。在本发明中，在光学材料筛选机一侧安装第一传送带、第二传送带和第三传送带，在第一传送带上侧安装进料漏斗，第二传送带上侧安装平料块，第三传送带上侧安装辅助推板，能够较为便捷的将光学材料送入光学材料筛选机内，实现对光学材料的简单分拣，方便后续对光学材料进行筛选。
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公开(公告)号：CN110042469B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201910355286.8
申请日：2019-04-29
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种花色碳化硅宝石的制备方法，通过使用图形化碳化硅单晶衬底，衬底背面粘在石墨坩埚顶部上盖内层，石墨坩埚内放入高纯碳化硅原料，石墨坩埚放入晶体生长炉中，采用物理气相传输法晶体生长系统，晶体生长温度在1800℃‑2600℃，其中衬底温度在2300℃以下，原料温度大于2300℃，氩气氛下生长，反应室内气压在1‑4kPa之间，生长时间在60小时以上，得到碳化硅晶体作为碳化硅宝石原料，经过宝石加工，可获得黄绿、褐绿等花色碳化硅宝石。
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公开(公告)号：CN110042469A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910355286.8
申请日：2019-04-29
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种花色碳化硅宝石的制备方法，通过使用图形化碳化硅单晶衬底，衬底背面粘在石墨坩埚顶部上盖内层，石墨坩埚内放入高纯碳化硅原料，石墨坩埚放入晶体生长炉中，采用物理气相传输法晶体生长系统，晶体生长温度在1800℃-2600℃，其中衬底温度在2300℃以下，原料温度大于2300℃，氩气氛下生长，反应室内气压在1-4kPa之间，生长时间在60小时以上，得到碳化硅晶体作为碳化硅宝石原料，经过宝石加工，可获得黄绿、褐绿等花色碳化硅宝石。
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