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公开(公告)号：CN114108097B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202111325284.8
申请日：2021-11-10
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明涉及一种改善氮化镓晶体生长均匀性装置与生长方法，在氢化物气相外延生长氮化镓晶体装置中，通常衬底被固定在石墨托上，氯化镓与氨气在氮气载气作用下从低温区流向高温区的衬底面，进行结晶生长。生长区的气相饱和度受氮气载气流量、生长区装置的结构等影响导致生长的氮化镓晶体厚度明显不均匀。本发明采用带有石墨镂空围栏的石墨托，可以减小气相的涡旋流动速度，增大气相饱和度及其均匀性，并且在氯化镓的进气口增加半侧喇叭形开口，氨气进气口增加全喇叭形开口，可以降低气流速度并增加衬底表面气相的均匀性。本发明结构简单，增加了衬底上气相饱和度和均匀性，提高了氮化镓晶体生长效率，生长的氮化镓晶体表面更为平整且厚度均匀。
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公开(公告)号：CN115449896A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211184344.3
申请日：2022-09-27
Applicant: 南通大学
Inventor： 杨培培
IPC: C30B23/00
Abstract: 本发明公开了一种气相法生长碳化硅单晶的籽晶固定方法，包括下述步骤：(1)籽晶固定分两步进行，首先将碳化硅籽晶内置于半开环式石墨固定托，卡紧活动半开石墨环；(2)固定好籽晶的石墨固定托固定于石墨坩埚上盖内侧，籽晶生长面朝下；(3)石墨坩埚内放入碳化硅原料，在晶体生长炉中进行气相法生长碳化硅单晶。本发明通过半开环式石墨固定托固定籽晶的方法，实现对碳化硅籽晶的有效机械固定，再将石墨固定托粘接或机械固定于石墨坩埚内侧，进行气相法生长碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN112239888A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202011171522.X
申请日：2020-10-28
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种制备多尺寸环形莫桑石的有效方法，通过使用碳化硅单晶衬底‑多尺寸环形石墨圆筒复合衬底，该复合衬底背面粘在石墨坩埚盖内层，环形石墨圆筒粘在衬底生长面上，在石墨坩埚内底部放入高纯的碳化硅原料，采用物理气相传输法进行晶体生长，得到环形莫桑石，可以更为便捷的加工为不同孔径的环形饰品。
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公开(公告)号：CN112133649A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010995058.X
申请日：2020-09-21
Applicant: 南通大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸晶片均匀高温腐蚀装置及其腐蚀方法，包括腐蚀腔，内设有喷液系统和加热系统，喷液系统包括输送臂和喷液嘴，输送臂内部为腐蚀液输送管道，输送臂可以在水平面内前后移动和左右转动，喷液嘴连接腐蚀液输送管，直接将腐蚀液喷在晶片表面；加热系统包括晶片固定台和加热台，晶片固定台用周围多点卡口方式将晶片水平固定在台上，晶片固定台可旋转，加热台位于晶片固定台下方，直接加热晶片固定台，通过传导方式将热量传递给晶片。通过协调晶片固定台转速与输送臂平移速度和转动速度，喷液嘴可以迅速并均匀的将腐蚀液喷射在晶片表面，实现高温均匀腐蚀。本发明结构简单，可实现大尺寸晶片高温均匀腐蚀，提高了腐蚀效率和均匀性。
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公开(公告)号：CN111575795A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010412602.3
申请日：2020-05-15
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种蓝色莫桑石的制备方法，通过掺杂金属铝或含铝化合物实现蓝色莫桑石的制备，通过二次结晶方法结合内坩埚装置控制掺杂金属铝的均匀性进而得到颜色均匀的蓝色莫桑石，首先将高纯碳化硅粉料与掺杂金属铝或含铝化合物进行充分混合，然后在晶体生长炉中选择多晶莫桑石作为籽晶进行物理气相传输法生长出掺杂的多晶莫桑石，取出该多晶莫桑石敲碎放入内坩埚中，外坩埚底部放入高纯碳化硅粉，选择单晶莫桑石作为籽晶再次进行物理气相传输法生长，即可得到颜色均匀的蓝色莫桑石，第一次生长将铝与碳化硅粉结合起来，在第二次生长过程中铝随着碳化硅的气化而缓慢释放，进而达到均匀进入莫桑石中，实现颜色的均匀性控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110517977A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910808008.3
申请日：2019-08-29
Applicant: 南通大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种改善大尺寸晶片腐蚀均匀性装置与方法，所述大尺寸晶片腐蚀装置包括喷液系统，所述喷液系统包括输送管、喷液头和喷液头旋转架，所述输送管为耐腐蚀材料制成的外管和多根内管组成，前半部分为软管结构，内管之间相互独立，从而可以输送多种不同的腐蚀液，所述喷液头连接腐蚀液输送管，可以直接将腐蚀液喷在晶片表面，所述喷液头出口处装有出液垫圈，所述出液垫圈正面为多孔状结构，可以控制出射腐蚀液流速、覆盖晶片的面积，所述喷液头旋转架固定在腐蚀腔顶部，喷液头固定在旋转架上，可以三百六十度旋转，喷液头旋转方向与晶片旋转方向相反。通过调节可晶片旋转底座的转速与喷液头转速，喷液头就可以快速均匀的将腐蚀液喷射在晶片表面。本发明结构简单，提高了喷液效率，达到迅速实现喷液均匀性，节约了成本。
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公开(公告)号：CN112222062A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202010994444.7
申请日：2020-09-21
Applicant: 南通大学
IPC: B08B3/02 , B08B3/08 , B08B3/10 , B08B3/12 , B08B13/00 , F26B21/00 , H01L21/67 , H01L21/683 , C11D7/04 , C11D7/08 , C11D7/60
Abstract: 本发明公开了一种衬底片旋转腐蚀清洗设备及清洗方法，包括工艺腔、旋转机构系统、有机溶剂供给系统、清洗液供给系统、纯水供给系统、供气系统、机械手、回收系统和控制系统；工艺腔内包含衬底片固定装置和喷淋臂；旋转机构系统由电机系统与衬底片固定装置相连；有机溶剂供给系统开启时向工艺腔内输入有机溶剂；清洗液供给系统开启时向工艺腔内输入清洗液；供气系统由管路与喷淋臂连通；机械手自动实现衬底片的传递；回收系统用于排出工艺腔内的气体与废清洗液；控制系统由可编程式控制器及触摸人机界面组成。本发明方案采用有机溶剂、酸性清洗液、碱性清洗液等对衬底片表面进行清洗，溶解去除残留有机物、金属离子等，从而得到表面洁净的衬底片。
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公开(公告)号：CN110508537A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910808669.6
申请日：2019-08-29
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种改善大尺寸晶片腐蚀清洗中喷液效率装置与方法，所述大尺寸晶片腐蚀清洗中喷液效率装置包括喷淋臂，所述喷淋臂包括机械臂和喷淋嘴，所述机械臂内部为清洗液输送管道，可接兆声头，所述机械臂可前后水平移动和左右转动，所述喷淋嘴连接清洗液输送管，直接将清洗液喷在晶片表面，所述喷淋嘴出口处装有液体出射控制垫片，所述液体出射控制垫片为多孔状弯曲结构，可以控制出射清洗液流速、与晶片接触角度和接触面积。通过协调晶片固定装置转速与机械臂平移速度和转动速度，喷淋嘴可以迅速并均匀的将清洗液喷射在晶片表面。本发明结构简单，改善了喷液不均或点状溅射现象，达到迅速实现喷液均匀，提高了喷液效率，节约了清洗成本。
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公开(公告)号：CN109142314A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810899286.X
申请日：2018-08-08
Applicant: 南通大学
IPC: G01N21/65
CPC classification number: G01N21/65
Abstract: 本发明涉及一种p型掺杂6H‑碳化硅晶体的无损判定方法，使用变温拉曼光谱，对待测的p型掺杂6H‑SiC晶体样品进行光谱测量，探测光的入射方向为沿SiC晶片的（0001）方向，变温测量为室温到673K温度范围，温度间隔为50K。分析对比载流子敏感的A1纵向光学模，根据其强度及峰位的变化，可以判断样品是否为p型掺杂。有益效果是采用基于光谱分析法，对p型Al掺杂6H‑碳化硅晶体的载流子浓度进行检测和分析，无需像霍尔测量一样的镀电极，对待测样品无损伤，检测过程可实现自动化和程序控制，可对出厂产品进行全面检验，也可应用于目前市场存在的2、3、4、6英寸完整晶圆产品检验。
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