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公开(公告)号：CN110703434B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201910976600.4
申请日：2019-10-15
Applicant: 南通大学
IPC: G02B27/00
Abstract: 本发明公开了一种基于三级像差理论确定环形孔径二次曲面非球面度梯度的方法，全口径二次曲面可以看作是内环孔径为0的环形孔径二次曲面。本发明克服了全口径和环形孔径二次曲面计算非球面度梯度没有函数形式，表达式不统一、不直观的缺点，理论可靠，结果简单。利用非球面参数便可快速、准确、直接地写出各种孔径二次曲面非球面度梯度的表达式，适用范围广，能显著提高工作效率，为非球面的加工和检测方案的制定，以及为工程时间和造价评估提供依据。
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公开(公告)号：CN113716555B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202110935921.7
申请日：2021-08-16
Applicant: 南通大学
IPC: C01B32/198 , H01L29/16
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯实现的二维半导体材料的结构设计，其设计方案包括：基材选取‑键合设计‑Fe原子插层结构设计‑应变，其中，氧化石墨烯实现铁电信息存储的简单结构，不仅维度低，尺度小，通过对设计的结构施加双轴应变调控能带结构得到需要的能隙，从而实现石墨烯在半导体领域的应用，本发明具有结构简单、操作方便，易于加工、能隙可控的特点，不仅可应用于光伏、能源、还适用于微电子器件，具有非常广的应用前景。
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公开(公告)号：CN111370567B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202010199097.9
申请日：2020-03-20
Applicant: 南通大学
IPC: H10N30/853 , H10N30/045
Abstract: 本发明公开了一种基于机械应变调控BaTiO3铁电薄膜中极化旋转的使用方法，包括衬底和BaTiO3薄膜，薄膜设置在衬底上方，薄膜沿着[001]方向进行生长，对薄膜进行预极化处理，对四方相衬底外加双轴等效面内应力，导致铁电薄膜极化在面内向c轴方向翻转；衬底的压应变增大，极化取向完全翻转到沿c轴方向时，继续增加衬底应力，导致沿c轴方向的极化增大，方向不变；应力作用达到足以使极化取向完全沿c轴时，再逐步减小应力，记录不同应力作用下，薄膜铁电极化的大小、方向。本发明通过改变衬底应变，借助衬底与薄膜间的应变耦合的双轴等效应变调控，实现铁电自发极化面内旋转，并且可用于对BaTiO3薄膜中的极化旋转调控，也适用于较小BaTiO3体材料中极化面内转动调控。
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公开(公告)号：CN111416034B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202010199179.3
申请日：2020-03-20
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于磁致伸缩实现BaTiO3薄膜铁电极化转动的使用方法，包括衬底和BaTiO3薄膜，BaTiO3薄膜沿着[001]方向外延生长在衬底上，对薄膜需进行单畴化处理，将该生长于衬底上的薄膜放置在垂直于薄膜表面且不断加大的外加电场中，测量薄膜c方向的极化强度，至极化强度不再增加，撤去外电场；将金属导线卷绕在金属芯上，固定在衬底的两侧，导线通过可调电阻连接于直流稳压电源；以初始极化方向作为起始方向，逐渐加大电压，记录铁电极化方向的改变，至铁电极化翻转到平行于薄膜平面；重新接通电源，可通过调控电压进行10进制编码的信息存储或读取。本发明通过磁致伸缩和应变耦合，使得薄膜产生双轴等效应变而驱动铁电薄膜自发极化转动，实现多态存储。
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公开(公告)号：CN113211337A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110538166.9
申请日：2021-05-18
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明涉及一种超硬衬底片抛光用抛光盘的制备方法及精密抛光方法，属于衬底加工技术。本发明提出了一种新型衬底片抛光用抛光盘制备方法，通过使用多层复合抛光盘，对衬底片进行精密抛光，与传统衬底片抛光工艺相比极大的简化了工艺流程，获得面型较好的衬底抛光片，抛光后的衬底片平均厚度差小，弯曲翘曲度低。本方法工艺简单易操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111416034A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010199179.3
申请日：2020-03-20
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于磁致伸缩实现BaTiO3薄膜铁电极化转动的使用方法，包括衬底和BaTiO3薄膜，BaTiO3薄膜沿着[001]方向外延生长在衬底上，对薄膜需进行单畴化处理，将该生长于衬底上的薄膜放置在垂直于薄膜表面且不断加大的外加电场中，测量薄膜c方向的极化强度，至极化强度不再增加，撤去外电场；将金属导线卷绕在金属芯上，固定在衬底的两侧，导线通过可调电阻连接于直流稳压电源；以初始极化方向作为起始方向，逐渐加大电压，记录铁电极化方向的改变，至铁电极化翻转到平行于薄膜平面；重新接通电源，可通过调控电压进行10进制编码的信息存储或读取。本发明通过磁致伸缩和应变耦合，使得薄膜产生双轴等效应变而驱动铁电薄膜自发极化转动，实现多态存储。
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公开(公告)号：CN111243353A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010085941.5
申请日：2020-02-10
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明提供了一种智能阅读方法，包括如下步骤：S10获取数据；S20选择阅读模式，所述阅读模式包括纸质阅读、视频阅读以及音频阅读；S30调整显示模块的位置、读者的坐姿以及照明模块的亮度；以及S40通过所述影像数据判断是否需要休息或干涉。本发明提供了一种智能阅读系统，通过三种阅读模式的切换使阅读变得更加灵活，增加了读者阅读的乐趣。同时由于设置了语音阅读模式，使得盲人也能使用普通的纸质书籍进行阅读，拓宽了盲人的阅读范围。
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公开(公告)号：CN111046625A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911247271.6
申请日：2019-12-09
Applicant: 南通大学
IPC: G06F30/398 , G16C60/00
Abstract: 本发明公开了一种应变调控二硫化硒半导体器件的仿真方法，包括以下步骤：采用Materials Studio软件构建单层二硫化硒模型→优化无应变的单层无硫化硒，得到基态结构→改变应变的大小和范围，进行非自洽计算→计算态密度，计算能带→相关器件的其他特性计算。本发明通过结合密度泛函理论、平面波和赝势理论、最大化局部瓦涅尔函数以及紧束缚近似理论，从而为实验研究提供指导和理论依据，减少实验过程中的盲目性。
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公开(公告)号：CN102620169B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210068184.6
申请日：2012-03-15
Applicant: 南通大学
IPC: F21S2/00 , F21V19/00 , F21V13/04 , F21Y101/02
Abstract: 本发明公开了一种照明区域色温选择性分布的方法，将灯具光源设置为中心光源和外环光源，中心光源位于灯具光源的中心位置，外环光源均匀对称地分布在中心光源的四周；外环光源内侧与中心光源外侧距离大于等于10毫米；中心光源为全半角宽度小于等于80度发光二极管，外环光源为全半角宽度小于等于130度发光二极管；中心光源为红光或蓝光或白光的发光二极管光源；外环光源为相关色温与中心光源相差1000K以上的白光发光二极管光源。本发明充分利用LED光源多色度和高指向性的特点，实现LED灯的圆形或类圆形照明区域内相关色温有选择性的分布。
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公开(公告)号：CN103712110A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201410006344.3
申请日：2012-03-15
Applicant: 南通大学
IPC: F21S2/00 , F21V19/00 , F21V13/04 , F21Y101/02
Abstract: 本发明公开了一种实现LED灯照明区域内色温选择性分布的方法，将灯具光源设置为中心光源和外环光源，中心光源位于灯具光源的中心位置，外环光源均匀对称地分布在中心光源的四周；外环光源内侧与中心光源外侧距离大于等于10毫米；中心光源为全半角宽度小于等于80度发光二极管，外环光源为全半角宽度小于等于130度发光二极管；中心光源为红光或蓝光或白光的发光二极管光源；外环光源为相关色温与中心光源相差1000K以上的白光发光二极管光源，灯具中心光源和外环光源均有高反射率反射碗。本发明充分利用LED光源多色度和高指向性的特点，实现LED灯的圆形或类圆形照明区域内相关色温有选择性的分布。
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