公开(公告)号：CN110517977A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201910808008.3

申请日：2019-08-29

Applicant: 南通大学

Inventor： 李祥彪 ,  仲崇贵 ,  杨培培 ,  魏明杰 ,  李瑞雪 ,  尤佩扬 ,  罗礼进 ,  刘勇 ,  渠莉华 ,  周朋霞

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种改善大尺寸晶片腐蚀均匀性装置与方法，所述大尺寸晶片腐蚀装置包括喷液系统，所述喷液系统包括输送管、喷液头和喷液头旋转架，所述输送管为耐腐蚀材料制成的外管和多根内管组成，前半部分为软管结构，内管之间相互独立，从而可以输送多种不同的腐蚀液，所述喷液头连接腐蚀液输送管，可以直接将腐蚀液喷在晶片表面，所述喷液头出口处装有出液垫圈，所述出液垫圈正面为多孔状结构，可以控制出射腐蚀液流速、覆盖晶片的面积，所述喷液头旋转架固定在腐蚀腔顶部，喷液头固定在旋转架上，可以三百六十度旋转，喷液头旋转方向与晶片旋转方向相反。通过调节可晶片旋转底座的转速与喷液头转速，喷液头就可以快速均匀的将腐蚀液喷射在晶片表面。本发明结构简单，提高了喷液效率，达到迅速实现喷液均匀性，节约了成本。

公开(公告)号：CN110042469B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201910355286.8

申请日：2019-04-29

Applicant: 南通大学

Inventor： 李祥彪 ,  仲崇贵 ,  杨培培 ,  魏明杰 ,  罗礼进 ,  刘勇 ,  渠莉华 ,  周朋霞

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了一种花色碳化硅宝石的制备方法，通过使用图形化碳化硅单晶衬底，衬底背面粘在石墨坩埚顶部上盖内层，石墨坩埚内放入高纯碳化硅原料，石墨坩埚放入晶体生长炉中，采用物理气相传输法晶体生长系统，晶体生长温度在1800℃‑2600℃，其中衬底温度在2300℃以下，原料温度大于2300℃，氩气氛下生长，反应室内气压在1‑4kPa之间，生长时间在60小时以上，得到碳化硅晶体作为碳化硅宝石原料，经过宝石加工，可获得黄绿、褐绿等花色碳化硅宝石。

公开(公告)号：CN110042469A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910355286.8

申请日：2019-04-29

Applicant: 南通大学

Inventor： 李祥彪 ,  仲崇贵 ,  杨培培 ,  魏明杰 ,  罗礼进 ,  刘勇 ,  渠莉华 ,  周朋霞

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了一种花色碳化硅宝石的制备方法，通过使用图形化碳化硅单晶衬底，衬底背面粘在石墨坩埚顶部上盖内层，石墨坩埚内放入高纯碳化硅原料，石墨坩埚放入晶体生长炉中，采用物理气相传输法晶体生长系统，晶体生长温度在1800℃-2600℃，其中衬底温度在2300℃以下，原料温度大于2300℃，氩气氛下生长，反应室内气压在1-4kPa之间，生长时间在60小时以上，得到碳化硅晶体作为碳化硅宝石原料，经过宝石加工，可获得黄绿、褐绿等花色碳化硅宝石。