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公开(公告)号：CN114864582A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210417384.1
申请日：2022-04-20
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L27/108 , H01L29/51 , H01L21/8242 , G11C11/409 , G11C11/4099
Abstract: 本发明公开了一种存储单元及其数据读写方法、制备方法及存储器，存储单元包括：第一晶体管与第二晶体管；第一晶体管包括：第一栅极、位于第一栅极底面的第一介电层以及位于第一介电层底面的第一沟道层、第一源极与第一漏极；第二晶体管包括：第二栅极、位于第二栅极顶面的第二介电层以及位于第二介电层顶面的第二沟道层、第二源极与第二漏极；第二栅极与第一漏极连接；第二介电层包括：铁电层，铁电层位于第二源极与第二漏极的底面。本发明采用两个晶体管堆叠的存储单元结构进行数据读写，不仅消除了存储电容对尺寸缩小的影响，还避免了存储电容的结构互连的长度较长的问题，从而减小了互连线的距离，减小了电路延迟，提高了存储器的整体性能。
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公开(公告)号：CN110473850A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910853481.3
申请日：2019-09-10
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/427
Abstract: 本发明公开了一种散热结构和散热系统。该散热结构包括：散热通道；散热翅片，设置于散热通道的至少一侧；位于散热通道同一侧的散热翅片沿散热通道的延伸方向排列；散热通道与散热翅片均形成为空腔结构；散热翅片包括相对设置的第一端和第二端，第一端为封闭端，第二端为开口端，第二端与散热通道连通。本发明实施例提供的技术方案通过设置空腔结构的散热通道和散热翅片，可增大散热面积，可以在较小的散热结构的体积上将散热面积增大，从而可提高散热效率，有利于避免器件和芯片的热失控损坏。
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公开(公告)号：CN114863967B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202210417396.4
申请日：2022-04-20
Applicant: 南方科技大学
IPC: G11C11/22
Abstract: 本发明公开了一种双栅晶体管存储单元、数据读写方法、制作方法及存储器，其中，双栅晶体管存储单元包括：第一栅极；第一介电层，设置在所述第一栅极的顶面；沟道层，设置在所述第一介电层的顶面；源极与漏极，所述源极与所述漏极设置在所述第一介电层的顶面并位于所述沟道层两侧；其中，所述第一介电层包括铁电层，所述铁电层位于所述源极与所述漏极的底面；第二介电层，设置在所述沟道层的顶面；第二栅极，设置在所述第二介电层的顶面。本发明采用一个晶体管作为存储单元，消除了存储电容限制存储单元缩小面积的缺陷，使得铁电存储器可以很好的应用在三维集成技术中。
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公开(公告)号：CN114863967A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210417396.4
申请日：2022-04-20
Applicant: 南方科技大学
IPC: G11C11/22
Abstract: 本发明公开了一种双栅晶体管存储单元、数据读写方法、制作方法及存储器，其中，双栅晶体管存储单元包括：第一栅极；第一介电层，设置在所述第一栅极的顶面；沟道层，设置在所述第一介电层的顶面；源极与漏极，所述源极与所述漏极设置在所述第一介电层的顶面并位于所述沟道层两侧；其中，所述第一介电层包括铁电层，所述铁电层位于所述源极与所述漏极的底面；第二介电层，设置在所述沟道层的顶面；第二栅极，设置在所述第二介电层的顶面。本发明采用一个晶体管作为存储单元，消除了存储电容限制存储单元缩小面积的缺陷，使得铁电存储器可以很好的应用在三维集成技术中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118137100A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410378915.X
申请日：2024-03-29
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明公开了一种谐振环、可调微波带阻器件，谐振环包括基体和贴片，所述贴片覆盖在所述基体表面，所述贴片的材质为掺杂的半导体复合材料；所述掺杂的半导体复合材料的杂质电离能为0.2～0.5eV。本发明通过深能级杂质掺杂的半导体复合材料制备成的贴片，可以在不显著增加微波传输损耗的前提下，有效地改变谐振环的折射率和介电常数，从而实现滤波频率的简单调制。这种调制方式不需要复杂的结构调整或外部气体充放，使得滤波器的调节变得更加方便快捷。利用温度变化来调节载流子浓度，进而改变谐振环的滤波频率，提供了一种灵活的频率调节手段。
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公开(公告)号：CN112570717A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011337655.X
申请日：2020-11-25
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明提供一种非晶合金增材的制备方法，所述制备方法包括：使用高于被加工金属材料的等离子频率的脉冲激光对所述金属材料进行加热至融化，并通过限定脉冲激光的脉冲宽度为10fs‑1ms实现所述金属材料融化后的快速冷却。所述制备方法可以制造非晶合金三维零件，可避免非晶合金中纳米晶粒的产生，且可适用的非晶合金成分显著大于现有技术所覆盖的非晶合金成分区域。
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公开(公告)号：CN210403704U
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201921504912.7
申请日：2019-09-10
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/427
Abstract: 本实用新型公开了一种散热结构和散热系统。该散热结构包括：散热通道；散热翅片，设置于散热通道的至少一侧；位于散热通道同一侧的散热翅片沿散热通道的延伸方向排列；散热通道与散热翅片均形成为空腔结构；散热翅片包括相对设置的第一端和第二端，第一端为封闭端，第二端为开口端，第二端与散热通道连通。本实用新型实施例提供的技术方案通过设置空腔结构的散热通道和散热翅片，可增大散热面积，可以在较小的散热结构的体积上将散热面积增大，从而可提高散热效率，有利于避免器件和芯片的热失控损坏。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN217544619U
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202220921103.1
申请日：2022-04-20
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L27/108 , H01L29/51 , H01L21/8242 , G11C11/409 , G11C11/4099
Abstract: 本实用新型公开了一种存储单元及存储器，存储单元包括：第一晶体管与第二晶体管；第一晶体管包括：第一栅极、位于第一栅极底面的第一介电层以及位于第一介电层底面的第一沟道层、第一源极与第一漏极；第二晶体管包括：第二栅极、位于第二栅极顶面的第二介电层以及位于第二介电层顶面的第二沟道层、第二源极与第二漏极；第二栅极与第一漏极连接；第二介电层包括：铁电层，铁电层位于第二源极与第二漏极的底面。本实用新型采用两个晶体管堆叠的存储单元结构进行数据读写，不仅消除了存储电容对尺寸缩小的影响，还避免了存储电容的结构互连的长度较长的问题，从而减小了互连线的距离，减小了电路延迟，提高了存储器的整体性能。
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公开(公告)号：CN217544163U
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202220939684.1
申请日：2022-04-20
Applicant: 南方科技大学
IPC: G11C11/22
Abstract: 本实用新型公开了双栅晶体管存储单元及存储器，其中，双栅晶体管存储单元包括：第一栅极；第一介电层，设置在所述第一栅极的顶面；沟道层，设置在所述第一介电层的顶面；源极与漏极，所述源极与所述漏极设置在所述第一介电层的顶面并位于所述沟道层两侧；其中，所述第一介电层包括铁电层，所述铁电层位于所述源极与所述漏极的底面；第二介电层，设置在所述沟道层的顶面；第二栅极，设置在所述第二介电层的顶面。本实用新型采用一个晶体管作为存储单元，消除了存储电容限制存储单元缩小面积的缺陷，使得铁电存储器可以很好的应用在三维集成技术中。
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