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公开(公告)号：CN118688596A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410535002.4
申请日：2024-04-30
IPC: G01R31/26
Abstract: 本公开提供了一种功率器件的次级粒子辐照分析方法、装置、设备及介质，涉及半导体器件辐射效应技术领域，包括获取待分析功率器件对应的第一特性参数以及入射中子对应的第二特性参数；根据所述第一特性参数和预设的蒙特卡罗模拟平台，构建所述功率器件对应的功率器件仿真模型；根据所述第二特性参数、所述功率器件仿真模型和所述蒙特卡罗模拟平台，模拟所述入射中子辐照所述功率器件的全生命周期，得到所述入射中子辐照所述功率器件产生的次级粒子的辐照数据。本公开不需要粒子探测器以实验的方式探测次级粒子特征，降低了探测难度，提高了探测效率，不需要特定的粒子探测器，降低了成本。
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公开(公告)号：CN117741385A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311793569.3
申请日：2023-12-22
IPC: G01R31/26 , G01R31/265
Abstract: 本申请提供一种IGBT模块大气中子失效率的评估方法、装置、电子设备和存储介质，其中，I GBT模块大气中子失效率的评估方法包括：获取I GBT模块的辐照试验的数据，其中；基于辐照试验过程中发生失效的样品数量r和有效样品总注量TSUM，计算I GBT模块的辐照试验失效率λACC；基于I GBT模块的辐照试验失效率λACC、有效样品总注量TSUM、辐照试验过程中发生失效的样品数量r，计算失效率置信区间；获取目标环境下的平均中子通量Φ；基于目标环境下的平均中子通量Φ、I GBT模块的辐照试验失效率λACC，计算I GBT模块在目标环境下的真实失效率；将I GBT模块在目标环境下的真实失效率和失效率置信区间作为I GBT模块的失效率评估结果。本申请能够实现对I GBT模块大气中子失效率进行评估。
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公开(公告)号：CN119358199A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411224496.0
申请日：2024-09-03
IPC: G06F30/20 , G21F3/00 , G21F1/10 , G21F1/08 , G16C60/00 , G06F119/04 , G06F119/08 , G06F119/18
Abstract: 本申请涉及一种热中子屏蔽结构及其制造方法、热中子失效的防护方法。其中，热中子屏蔽结构的制造方法包括：提供半导体器件，所述半导体器件对热中子失效敏感；将所述半导体器件中具有热中子吸收截面的元素设置为目标吸收元素；仿真模拟一具有所述目标吸收元素的热中子屏蔽结构在不同参数下的热中子屏蔽效果，并根据仿真结果确定所述热中子屏蔽结构的防护参数；根据所述防护参数制造所述热中子屏蔽结构。本申请减小或消除了热中子辐射对半导体器件的影响，提高了半导体器件在大气中子辐射环境下的可靠性。
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公开(公告)号：CN117991328A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410214788.X
申请日：2024-02-27
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01T3/00
Abstract: 本发明提供了一种宽能谱中子位移损伤强度的确定装置及方法，该装置包括：测量电路、控制模块；测量电路包括硅三极管、源表；硅三极管和源表连接；源表与控制模块连接；通过宽能谱中子源向硅三极管进行宽能谱中子辐照；在达到各预设宽能谱中子注量时向源表发送测量指令；以使源表向硅三极管的发射极和集电极施加偏置电压、基极施加预设电流；在施加完成后测量硅三极管的集电极电流；根据各集电极电流、预设电流，确定宽能谱中子注量与硅三极管的放大系数的倒数变化量之间的系数；根据该系数，计算待确定半导体器件的宽能谱中子位移损伤强度。能够避免通过测量中子能谱数据来计算此种宽能谱中子的位移损伤。
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公开(公告)号：CN117423686A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311239312.3
申请日：2023-09-25
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L23/556
Abstract: 本申请涉及一种阿尔法粒子的屏蔽方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：根据电子器件的材料类型和制作工艺，确定屏蔽层的目标材料；根据所述电子器件中阿尔法粒子的来源材料、所述电子器件的有源区，以及所述目标材料，确定所述屏蔽层的目标尺寸参数，以及所述屏蔽层在所述来源材料和所述有源区之间的目标位置；控制器件运维端根据所述目标尺寸参数和所述目标材料，制作所述屏蔽层，并将所述屏蔽层放置于所述目标位置处，以对所述来源材料向所述有源区发射的阿尔法粒子进行屏蔽。采用本方法能够更加准确、有效的降低集成电路中出现软错误的概率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118858094A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410656704.8
申请日：2024-05-24
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N15/08
Abstract: 本申请膜结构渗透率测试技术领域，尤其是涉及膜结构材料高压渗水率测试方法。该方法包括如下步骤：步骤一、建立渗透率变化系数数学模型公式；步骤二、制备若干个测试样品进行分组；步骤三、压力测试；步骤四、根据渗透率变化系数数学模型公式计算得到渗水率值。1.本发明通过较低压力，如中压范围的测试数据，可以直接推断出膜结构材质在液态高压环境(10
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公开(公告)号：CN118798022A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410771731.X
申请日：2024-06-15
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/27
Abstract: 本发明公开了基于机器学习模型的大气中子软错误评估方法，涉及大气分析技术领域，该方法公开了如下步骤：步骤S1：获取中子核反应次级离子信息库；步骤S2：目标芯片的单粒子效应器件仿真，获取带单粒子翻转标签的机器学习样本；步骤S3：将带单粒子翻转标签的机器学习样本作为机器学习分类算法的输入，构建中子单粒子翻转评估模型；步骤S4：计算大气中子软错误率，本发明的方法基于机器学习分类算法构建中子单粒子翻转评估模型，实现了大气中子软错误评估，可以突破已有试验评估技术的局限，提供了一种快速且低成本的大气中子软错误率评估方法。
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公开(公告)号：CN118332994A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410493593.3
申请日：2024-04-23
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/367
Abstract: 本公开提供了一种单粒子瞬态脉冲拟合方法、装置、设备及介质，涉及电路仿真技术领域，包括获取带电辐射粒子入射至纳米器件的第一时间参数和第二时间参数；根据第一时间参数，得到用于拟合单粒子瞬态脉冲的峰值电流的第一双指数模型；根据第二时间参数，得到用于拟合单粒子瞬态脉冲的长尾电流的第二双指数模型；根据第一双指数模型和第二双指数模型，得到单粒子瞬态脉冲的拟合模型。本公开将带电辐射粒子入射至纳米器件的过程分为两部分，通过构建两个双指数模型，实现对单粒子瞬态脉冲的精确模拟，提高了纳米级器件的拟合效果。
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公开(公告)号：CN119573895A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411894280.5
申请日：2024-12-20
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01J5/90
Abstract: 本申请涉及一种红外探测器NETD不确定度计算方法、装置、设备、存储介质和程序产品。所述方法包括：首先，在满足测试条件的情况下，获取目标红外设备上各像元的测试温度、响应电压和噪声电压，然后，根据各像元的测试温度、响应电压和噪声电压确定各像元的噪声等效温差的扩展不确定度，最后，根据各像元的噪声等效温差的扩展不确定度，确定用于表征目标红外设备的噪声等效温差的可信程度的总体噪声等效温差的扩展不确定度。采用本方法能够实现对目标红外设备的噪声等效温差的扩展不确定度的计算。
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公开(公告)号：CN119227474A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410826845.X
申请日：2024-06-25
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明公开了基于机器学习的器件单粒子翻转截面和敏感区的获取方法，涉及半导体分析技术领域，该系统公开了如下步骤：步骤S1：目标芯片的重离子单粒子效应器件仿真，获取带单粒子翻转标签的机器学习样本；步骤S2：将带单粒子翻转标签的机器学习样本作为机器学习分类算法的输入，确定发生单粒子翻转的决策边界；步骤S3：机器学习算法提取的单粒子翻转决策边界映射到目标芯片上，即可得到芯片的单粒子效应敏感区。本发明结合单粒子效应器件仿真数据，提出了器件单粒子翻转截面和敏感区的获取方法，通过本发明的方法可以实现芯片重离子单粒子效应敏感性的快速评估，大大节省了试验成本。
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