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公开(公告)号：CN118688596A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410535002.4
申请日：2024-04-30
IPC: G01R31/26
Abstract: 本公开提供了一种功率器件的次级粒子辐照分析方法、装置、设备及介质，涉及半导体器件辐射效应技术领域，包括获取待分析功率器件对应的第一特性参数以及入射中子对应的第二特性参数；根据所述第一特性参数和预设的蒙特卡罗模拟平台，构建所述功率器件对应的功率器件仿真模型；根据所述第二特性参数、所述功率器件仿真模型和所述蒙特卡罗模拟平台，模拟所述入射中子辐照所述功率器件的全生命周期，得到所述入射中子辐照所述功率器件产生的次级粒子的辐照数据。本公开不需要粒子探测器以实验的方式探测次级粒子特征，降低了探测难度，提高了探测效率，不需要特定的粒子探测器，降低了成本。
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公开(公告)号：CN119830816A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510308756.0
申请日：2025-03-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/30 , G06F17/16 , G06F119/02 , G06F119/04 , G06F119/14 , G06F119/16
Abstract: 本申请涉及汽车芯片技术领域，公开了一种基于多失效机理竞争失效的汽车芯片可靠性评估方法，该方法包括开展单失效机理评估试验得到加速因子及失效率、构建加速因子矩阵和失效率矩阵计算占比系数矩阵、构建多机理竞争失效矩阵计算综合失效率及平均寿命时间以评估其可靠性。本申请，实现了全面考虑多种失效机理的竞争关系，通过科学合理的试验和计算方法，能够准确评估汽车芯片在复杂应力环境下的综合失效率和平均寿命时间，有效克服了传统单独评估各失效机理的局限性，为汽车芯片可靠性评估提供了更精准、更符合实际工况的评估手段，满足汽车行业对芯片可靠性评估的严苛要求，提升了汽车芯片在设计、生产及应用环节的可靠性保障水平。
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公开(公告)号：CN117388601A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311237793.4
申请日：2023-09-25
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/00
Abstract: 本申请涉及一种错误率确定方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取被测电子器件在14MeV中子诱发下产生的单粒子效应的第一单粒子效应截面；根据所述被测电子器件的类型和敏感参数，确定所述被测电子器件在所述14MeV中子诱发下产生单粒子效应和在大气中子诱发下产生单粒子效应的目标等效因子；根据所述第一单粒子效应截面和所述目标等效因子，确定所述被测电子器件在所述大气中子诱发下产生的单粒子效应的目标单粒子效应截面；根据所述目标单粒子效应截面，确定所述被测电子器件的错误率。采用本方法能够提高确定被测电子器件在大气中子诱发下产生单粒子效应的错误率的准确性和效率。
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公开(公告)号：CN114354656B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202111486993.4
申请日：2021-12-07
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N23/00
Abstract: 本发明公开了一种系统级样品试验系统，屏蔽体用于屏蔽辐射，屏蔽体内设有试验空间，屏蔽体包括用于开启或关闭试验空间的屏蔽门体，样品位移台可移动设置，使样品位移台能够进入或离开试验空间，样品位移台包括基座、样品台及调整机构，调整机构用于调整样品台相对基座的高度。可将样品位移台置于屏蔽体外，并将样品置于样品台上固定，利用调整机构预调整样品台上样品的高度，随后可将样品位移台移动至试验空间内，样品位移台移动至试验空间内后不再调整或只需进行细微调整样品的位置，可减少操作人员及样品位移台在试验空间内的停留时间，能够减少辐射试验对人体及样品位移台的伤害，具有更好的安全性。
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公开(公告)号：CN109657272B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201811357662.9
申请日：2018-11-14
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/20
Abstract: 本公开涉及一种单粒子效应评估方法和装置。该方法包括：构建目标电路的三维电路模型，所述三维电路模型包含敏感区域；将所述三维电路模型输入核反应计算仿真软件中，获取在预定单粒子能量下所述敏感区域中产生的核反应次级离子；通过器件仿真软件获取所述核反应次级离子作用在所述敏感区域上输出的单粒子瞬态脉冲波形；将所述单粒子瞬态脉冲波形以等效电流源的形式加载到所述目标电路上，获取电路响应信息；以及通过所述电路响应信息对所述目标电路的单粒子效应进行评估。本公开中的方法能够精确量化产生大气中子单粒子效应的各个物理过程，并在此基础上对目标电路的单粒子效应进行评估。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111722075B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202010611079.7
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26 , H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种GaN基HEMT器件潜径迹表征用测试结构及表征方法，结构包括底座、导电连接层及扫描探针。底座用于放置GaN基异质结构，GaN基异质结构包括沿远离底座方向依次层叠设置的GaN缓冲层、势垒层以及欧姆接触层，其中，GaN缓冲层和势垒层之间形成有二维电子气，欧姆接触层与二维电子气连通；导电连接层连接底座与欧姆接触层；扫描探针由底座引出，并连接势垒层，以在扫描探针与底座之间形成电回路，扫描探针用于沿势垒层表面扫描并在预设的偏压条件下获取势垒层中潜径迹的表征结果。通过上述测试结构能够快速准确地验证GaN基异质结构的势垒层中是否存在潜径迹，当存在潜径迹，可获取其表征结果，实现对潜径迹的有效表征。
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公开(公告)号：CN114005486A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111190652.2
申请日：2021-10-13
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G11C29/56
Abstract: 本申请涉及一种非易失性存储器辐射效应测试方法、装置、计算机设备和存储介质，应用于内置非易失性存储器的存储芯片，该方法包括：对被测芯片进行工作模式配置和初始数据写入操作，以使被测芯片中的易失性存储器写入初始数据；控制被测芯片断电，等待预设时长，以使初始数据从非易失性存储器自动写入非易失性存储器；控制辐照装置以预设辐照参数，辐照非易失性存储器；控制被测芯片上电，等待设定时间，以使易失性存储器从非易失性存储器中读出反馈数据；获取反馈数据，并根据反馈数据和初始数据，得到辐射效应测试结果并输出。上述非易失性存储器辐射效应测试方法，无需直接访问非易失性存储器，有利于扩展存储器辐射效应测试方法的应用场景。
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公开(公告)号：CN110045204B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201910341865.7
申请日：2019-04-26
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/00
Abstract: 本申请涉及一种单粒子闩锁维持电流测试方法、装置及系统。所述方法包括：当监测到处于当前离子束辐照中的待测器件出现单粒子闩锁效应时，采集待测器件的电流，并将采集到的电流确认为效应电流；以效应电流作为待测器件的输入电流的初始值，逐次减小输入电流，直至监测到处于当前离子束辐照中的待测器件、退出单粒子闩锁效应时，将当前的输入电流确认为待测器件对应的退出电流；获取处于下一种离子束辐照中的待测器件对应的退出电流；将各退出电流中的最小值确认为待测器件的单粒子闩锁维持电流，从而，本申请能够获得待测器件在辐射环境下的单粒子闩锁维持电流，提高了测试单粒子闩锁维持电流的准确度，进而为改进器件抗闩锁设计提供数据支持。
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公开(公告)号：CN113161033A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110306114.9
申请日：2021-03-23
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G21K1/00
Abstract: 本申请涉及降能技术领域，具体公开一种降能装置、降能方法、电子设备及计算机可读存储介质。降能装置包括同轴设置的第一降能片和第二降能片，第一降能片的厚度沿第一降能片的周向呈螺旋式变化趋势，第二降能片的厚度沿第二降能片的周向呈螺旋式变化趋势；当第一降能片和第二降能片中的至少一个沿轴旋转时，第一降能片和第二降能片在轴向上的叠加厚度呈单调性变化趋势。当第一降能片和/或第二降能片沿轴旋转时，第一降能片和第二降能片在轴向上组合叠加的厚度是连续变化的，且呈单调性变化趋势，由此，当该降能装置设置于带电粒子的入射路径上时，带电粒子通过该降能装置可以实现能量的连续降低，实现带电粒子能量的连续调节效果。
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公开(公告)号：CN113132521A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110238546.0
申请日：2021-03-04
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H04M1/24
Abstract: 本发明涉及辐射效应评估技术领域，公开了一种移动终端软故障测试方法和系统，包括使得待测移动终端处于测试模式之下；使用中子束流对所述待测移动终端进行辐照测试；控制所述待测移动终端运行不同的应用功能；对所述待测移动终端进行监测，观察并统计所述待测移动终端在运行不同的应用功能时的错误情况；根据所述错误情况区分不同的软故障类型。使用中子束流模拟真实环境中大气中子对待测移动终端的辐照。观察并统计待测移动终端在不同运行模式下的错误情况，并基于待测移动终端的错误情况区分不同的软故障类型。通过高通量的中子源对待测移动终端进行辐照试验，快速激发待测移动终端中可能存在的软故障类型，向产品研发人员提供有效数据支撑。
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