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公开(公告)号：CN119830816A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510308756.0
申请日：2025-03-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/30 , G06F17/16 , G06F119/02 , G06F119/04 , G06F119/14 , G06F119/16
Abstract: 本申请涉及汽车芯片技术领域，公开了一种基于多失效机理竞争失效的汽车芯片可靠性评估方法，该方法包括开展单失效机理评估试验得到加速因子及失效率、构建加速因子矩阵和失效率矩阵计算占比系数矩阵、构建多机理竞争失效矩阵计算综合失效率及平均寿命时间以评估其可靠性。本申请，实现了全面考虑多种失效机理的竞争关系，通过科学合理的试验和计算方法，能够准确评估汽车芯片在复杂应力环境下的综合失效率和平均寿命时间，有效克服了传统单独评估各失效机理的局限性，为汽车芯片可靠性评估提供了更精准、更符合实际工况的评估手段，满足汽车行业对芯片可靠性评估的严苛要求，提升了汽车芯片在设计、生产及应用环节的可靠性保障水平。
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公开(公告)号：CN119827939A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510094757.X
申请日：2025-01-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种功率器件动态导通电阻检测方法、系统、设备、存储介质及程序产品，应用于功率器件动态导通电阻检测系统，功率器件动态导通电阻检测系统包括上位机、控制器、双脉冲测试电路和信号采集器，其中，双脉冲测试电路安装有被测氮化镓功率器件；方法包括：在被测氮化镓功率器件的测试温度满足预设测试条件的情况下，通过控制器向双脉冲测试电路发送多组双脉冲测试信号；通过信号采集器采集被测氮化镓功率器件在多组双脉冲测试信号下的多组电气测试参数；通过上位机基于多组电气测试参数，检测被测氮化镓功率器件的导通电阻。采用本方法提升进行功率器件动态导通电阻检测的检测准确性。
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公开(公告)号：CN119555711B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510120710.6
申请日：2025-01-26
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明公开了一种材料均匀性的自动化检测方法和计算机设备，所述方法包括：设置X射线发射器的电压、电流和曝光时间条件，并且设置待测材料的观察区域和均匀性判定标准；对探测器表面直接照射X射线，获得空场探测图像像素点灰度值：将待测材料放置在探测器表面，对探测器表面照射X射线，获得满场探测图像像素点灰度值；根据空场探测图像的像素点灰度值和满场探测图像的像素点灰度值，计算获取待测材料在观察区域的变异系数；将观察区域的变异系数与所设置的均匀性判定标准进行对比，当变异系数低于判定标准时判断材料均匀性满足要求，否则判断材料均匀性不合格。本发明能够对材料不同区域的致密性、厚度的一致性等进行快速检验判断。
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公开(公告)号：CN119555711A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202510120710.6
申请日：2025-01-26
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明公开了一种材料均匀性的自动化检测方法和计算机设备，所述方法包括：设置X射线发射器的电压、电流和曝光时间条件，并且设置待测材料的观察区域和均匀性判定标准；对探测器表面直接照射X射线，获得空场探测图像像素点灰度值：将待测材料放置在探测器表面，对探测器表面照射X射线，获得满场探测图像像素点灰度值；根据空场探测图像的像素点灰度值和满场探测图像的像素点灰度值，计算获取待测材料在观察区域的变异系数；将观察区域的变异系数与所设置的均匀性判定标准进行对比，当变异系数低于判定标准时判断材料均匀性满足要求，否则判断材料均匀性不合格。本发明能够对材料不同区域的致密性、厚度的一致性等进行快速检验判断。
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公开(公告)号：CN118937818A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411196239.0
申请日：2024-08-29
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R29/08
Abstract: 本申请涉及一种微波辐射试验装置。装置包括：装置包括信号注入模块、辐射试验模块和样品检测模块，信号注入模块包括探针；辐射试验模块的第一内表面和第二内表面之间的形成谐振腔体，且第一内表面和第二内表面之间的间隔距离非均匀分布；第一内表面上设置有第一开孔和第二开孔，且第二开孔在第一内表面上所处的位置与第二内表面之间的距离小于预设距离阈值；信号注入模块用于通过探针从第一开孔向谐振腔体中注入电场信号源，信号源用于调节谐振腔体中的电场强度；样品检测模块用于通过第二开孔将试验样品安置在谐振腔体中，并检测试验样品在谐振腔体中的微波辐射损伤。采用本装置能够可靠进行微波辐射实验。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118801572A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410979683.3
申请日：2024-07-22
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H02J13/00 , G06F30/20 , G06F113/04 , G06F119/08 , G06F119/04
Abstract: 本申请涉及一种上述功率模块的监测方法、装置、低压配电网和计算机设备，涉及智能电网技术领域，本申请通过获取低压配电网中各功率模块的配置信息和运行状态参数，运行状态参数包括温度参数、湿度参数和电流参数，首先根据各功率模块的配置信息确定各功率模块对应的加速寿命模型，之后即可根据各功率模块的温度参数、湿度参数和电流参数以及对应的加速寿命模型确定各功率模块的寿命预测值，从而实现对低压配电网中各功率模块的寿命的预测，有利于对各功率模块进行可靠性检测及运行管理。
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公开(公告)号：CN118625089A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202411054456.6
申请日：2024-08-02
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明提供了一种功率转换电路开关器件退化机制监测方法，在单独判断开关器件内部缺陷的退化机制时，通过电流变化率的变化趋势，确认为氧化层缺陷密度增加或界面缺陷密度增加引起开关器件内部缺陷退化。而开关器件还会出现封装退化，封装出现退化时，会导致开关器件的串联电阻增加，电流变化率增大，进而在判断开关器件封装和内部缺陷的退化机制时，通过电流变化率减小确认为氧化层缺陷密度增加引起开关器件内部缺陷退化；电流变化增大时，通过导通电阻和低频噪声检测二次检测，确认出准确封装和/或界面缺陷密度增加引起开关器件出现退化。
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公开(公告)号：CN117723163B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410172490.7
申请日：2024-02-07
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01K11/125 , G01R31/26
Abstract: 本申请涉及一种GaN HEMTs器件结温测试装置及方法。GaN HEMTs器件结温测试装置包括：样品台，样品台包括本体和分液管道，本体开设有用于容置分液管道的容纳腔，本体还用于承载待测器件；测温模块，用于测量本体表面的实际温度；冷却设备，用于根据实际温度和预设温度范围调节流过分液管道的冷却液的流量，以使本体表面的温度维持在预设温度范围内；反射率热成像设备，用于获取待测器件对可见光的反射率，并基于反射率获取结温测试结果。本申请的GaN HEMTs器件结温测试装置及方法能使样品台表面的温度始终维持在预设温度范围内，避免由于样品台温度不稳定而影响待测器件对可见光的反射率，导致最终测试结果不准确的情况发生，提高结温测试结果的准确性。
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公开(公告)号：CN118133728A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311725084.0
申请日：2023-12-14
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/30
Abstract: 本申请涉及一种电路生成方法、装置、计算机设备、存储介质和程序产品。所述方法包括：获取用户输入的电路需求信息；根据所述电路需求信息从电路模板数据库中存储的多个电路模板中筛选得到至少一个目标电路模板，并计算各所述目标电路模板的初始参数信息；根据各所述目标电路模板的初始参数信息和电路元件参数库中存储的多个第一电路元件的标准参数值，获取各所述目标电路模板的目标参数信息；根据各所述目标电路模板和各所述目标电路模板的目标参数信息，生成多个目标电路。采用本方法能够提高电路设计效率。
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公开(公告)号：CN118011291A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410157404.5
申请日：2024-02-04
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及磁场探测技术领域，特别是涉及一种磁场测量探头和系统。磁场测量探头包括基础环形线圈和反相巴伦；环形线圈与反向巴伦连接；基础环形线圈，用于探测目标磁场的初始磁场信号，并将初始磁场信号传输至反相巴伦；反相巴伦，用于对初始磁场信号进行相位反转，得到目标磁场信号，本申请在通过磁场测量探头对目标磁场进行磁场测试时，并未采用有源放大电路，因此，本申请相比起传统技术中通过引入有源放大电路的磁场测量探头进行磁场测量的方式，能够有效降低磁场测量探头的生产成本，能够实现针对磁场测量探头的大规模批量生成，并且，可实现针对目标磁场的有效磁场检测，得到目标磁场信号。
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