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公开(公告)号：CN119358199A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411224496.0
申请日：2024-09-03
IPC: G06F30/20 , G21F3/00 , G21F1/10 , G21F1/08 , G16C60/00 , G06F119/04 , G06F119/08 , G06F119/18
Abstract: 本申请涉及一种热中子屏蔽结构及其制造方法、热中子失效的防护方法。其中，热中子屏蔽结构的制造方法包括：提供半导体器件，所述半导体器件对热中子失效敏感；将所述半导体器件中具有热中子吸收截面的元素设置为目标吸收元素；仿真模拟一具有所述目标吸收元素的热中子屏蔽结构在不同参数下的热中子屏蔽效果，并根据仿真结果确定所述热中子屏蔽结构的防护参数；根据所述防护参数制造所述热中子屏蔽结构。本申请减小或消除了热中子辐射对半导体器件的影响，提高了半导体器件在大气中子辐射环境下的可靠性。
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公开(公告)号：CN119644083A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411740966.9
申请日：2024-11-29
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26 , G01R31/265
Abstract: 本发明公开提供了一种纳米FinFET器件大气中子辐射与经时击穿的试验方法，包括综合效应试验装置，将样品放入综合效应试验装置内，对样品施加大气中子辐射束线，通过所述综合效应试验装置对样品施加电压和温度；通过实验计算出样品的寿命时间，本发明在大气中子辐射环境中，对纳米FinFET器件进行经时击穿试验测试，以评估纳米FinFET器件在地面和飞行高度上的综合应力影响，无需单独进行两次试验进行评估，更加方便、快捷。
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公开(公告)号：CN117741385A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311793569.3
申请日：2023-12-22
IPC: G01R31/26 , G01R31/265
Abstract: 本申请提供一种IGBT模块大气中子失效率的评估方法、装置、电子设备和存储介质，其中，I GBT模块大气中子失效率的评估方法包括：获取I GBT模块的辐照试验的数据，其中；基于辐照试验过程中发生失效的样品数量r和有效样品总注量TSUM，计算I GBT模块的辐照试验失效率λACC；基于I GBT模块的辐照试验失效率λACC、有效样品总注量TSUM、辐照试验过程中发生失效的样品数量r，计算失效率置信区间；获取目标环境下的平均中子通量Φ；基于目标环境下的平均中子通量Φ、I GBT模块的辐照试验失效率λACC，计算I GBT模块在目标环境下的真实失效率；将I GBT模块在目标环境下的真实失效率和失效率置信区间作为I GBT模块的失效率评估结果。本申请能够实现对I GBT模块大气中子失效率进行评估。
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公开(公告)号：CN113484894B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202110654439.6
申请日：2021-06-11
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01T1/16
Abstract: 本发明涉及电子器件可靠性技术领域，公开了一种α粒子发射率测量方法，包括对粉末样品进行定型制样；分别对样品托盘和空的样品容器进行α粒子发射率背底测试，获得所述样品托盘的α粒子发射率和空的所述样品容器的α粒子发射率；对装满所述粉末样品的样品容器进行α粒子发射率测试，根据所述样品托盘的发射率和空的所述样品容器的α粒子发射率，获得所述粉末样品的α粒子发射率。通过根据实验需求对粉末样品进行定型和防沾污制样，来解决粉末样品存在形状不固定、容易被电离室气体吹起、容易污染托盘等问题。所述方法排除了试验设备对测试结果的干扰，解决了粉末样品α粒子发射率测试难题的同时还提高了试验准确度。
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公开(公告)号：CN117214647A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311343806.6
申请日：2023-10-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请涉及一种电子器件检测方法、装置、设备、存储介质和程序产品。方法包括：确定待测电子器件；所述待测电子器件的背面包括未被损坏的电极结构以及背面暴露区域，所述背面暴露区域的电极结构已损坏；控制预设加压装置向所述电极结构输入偏置电压后，监测所述待测电子器件对应的实时电流；控制激光装置向所述背面暴露区域发射激光，并监测所述实时电流是否发生变化，获得监测结果；根据所述监测结果确定所述背面暴露区域是否存在辐射效应敏感区域。采用本方法能够有效检测功率器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113077850B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202110278942.6
申请日：2021-03-16
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及电子器件可靠性技术领域，具体公开一种电子材料中α源的识别方法、装置及可读存储介质。方法包括构建α粒子发射能谱数据库；测量目标电子材料样品表面的α粒子发射能谱；对测量得到的目标电子材料样品表面的α粒子发射能谱，及α粒子发射能谱数据库中的α粒子发射能谱网格化处理；将网格化处理后的目标电子材料样品表面的α粒子发射能谱与网格化处理后的数据库中的α粒子发射能谱逐个比对得到匹配结果；根据匹配结果识别目标电子材料样品中的α源。即可从数据库中匹配出与目标电子材料样品表面的α粒子发射能谱最接近的能谱，以该能谱在数据库中所对应的α源作为目标电子材料样品中α源的识别结果，识别准确性较高，效率较高。
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公开(公告)号：CN115267467A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210534452.2
申请日：2022-05-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种测试结构及功率器件在线测试装置。所述测试结构包括：多条并联的测试支路，各所述测试支路均包括串联电阻及待测功率器件，所述待测功率器件与位于同一所述测试支路的所述串联电阻串接；供电检测装置，与所述测试支路相连接，用于向所述待测功率器件施加偏置电压，使得所述待测功率器件处于阻断状态，并实时监测干路中的电流。采用本测试结构能够提高试验效率。
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公开(公告)号：CN111693838B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202010405988.5
申请日：2020-05-14
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种纳米场效应晶体管的总剂量辐射试验方法和装置，该试验方法包括如下过程：提供具有统计学意义数量的场效应晶体管器件，进行第一电参数测试，获取其第一阈值电压；对场效应晶体管进行若干次辐射处理至达到预设的总辐射剂量，在每次辐射处理后均进行第二电参数测试；对辐射处理至总辐射剂量后的场效应晶体管进行偏置处理，然后进行第三电参数测试，获得第三阈值电压；根据数据处理所得的缺陷分布值判断所述场效应晶体管器件是否符合产品要求。该试验方法提供了一种针对纳米场效应晶体管的分析方法，其有效解决了纳米场效应晶体管的量子效应及涨落效应导致的波动幅度大，传统技术无法准确分析的问题。
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公开(公告)号：CN114662373A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210137442.5
申请日：2022-02-15
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/25 , G06F17/18 , G06F11/26 , G06F119/02
Abstract: 本申请涉及一种电子器件的软错误评估方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：获取将面源通过降能片组合照射电子器件的情况下，所述电子器件的单粒子翻转截面值组合；通过对体源照射电子器件的情形进行仿真，获得表面粒子通量组合，所述表面粒子通量组合与将面源通过降能片组合照射电子器件的情况下，获得的所述单粒子翻转截面值组合对应；基于所述单粒子翻转截面值组合和所述表面粒子通量组合，确定所述电子器件的软错误率。采用本方法能够提高电子器件的软错误率的评估精度。
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公开(公告)号：CN109669804B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201811442659.7
申请日：2018-11-29
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及用于降低ECC存储器的存储区实际软错误率的方法和装置。提供了一种用于降低ECC存储器的存储区实际软错误率的方法，该方法包括：获取ECC存储器的存储区实际软错误率的函数关系；根据函数关系确定对ECC存储器的存储架构进行拆解的拆解级别k；根据拆解级别k确定对ECC存储器的存储架构进行k级拆解后的存储区的字数和单个字内的位数；根据函数关系和获得的拆解后的存储区的字数和单个字内的位数确定ECC存储器在进行k级拆解后的存储区实际软错误率。上述方法将存储区的单个字拆解为多个字，降低了ECC存储器的软错误率，有效提高了ECC存储器的存储区抗软错误能力，且增强了ECC存储器的可靠性。
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