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公开(公告)号：CN115360153B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202211024398.3
申请日：2022-08-24
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 , 哈尔滨工业大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/473
Abstract: 本发明公开了一种高集成大功率微波源制冷基板及其制备方法，制冷基板主要包含大功率集成单元、流体制冷单元、基板支撑单元；所述的大功率集成单元实现与多组微波功率器件排列集成，可实现高集成度；流体制冷单元实现大功率微波源的高效散热；基板支撑单元实现大功率微波源的功能电路集成。本发明采用内嵌式高导热大功率集成单元，阵列式肋条增强散热结构、分体式流体制冷单元等设计，有效增强了制冷基板的散热能力及其结构可靠性，保证了大功率微波源的高集成和大功率特性。
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公开(公告)号：CN115360153A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211024398.3
申请日：2022-08-24
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 , 哈尔滨工业大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/473
Abstract: 本发明公开了一种高集成大功率微波源制冷基板及其制备方法，制冷基板主要包含大功率集成单元、流体制冷单元、基板支撑单元；所述的大功率集成单元实现与多组微波功率器件排列集成，可实现高集成度；流体制冷单元实现大功率微波源的高效散热；基板支撑单元实现大功率微波源的功能电路集成。本发明采用内嵌式高导热大功率集成单元，阵列式肋条增强散热结构、分体式流体制冷单元等设计，有效增强了制冷基板的散热能力及其结构可靠性，保证了大功率微波源的高集成和大功率特性。
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公开(公告)号：CN114038923A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111279072.0
申请日：2021-10-31
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/102 , G02B6/122 , G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种薄膜铌酸锂光波导与InP基光电探测器异质集成结构，该结构主要包括InP基光电探测器外延层、耦合层、薄膜铌酸锂光波导、缓冲层和衬底；InP基光电探测器外延层通过耦合层集成于薄膜铌酸锂光波导正上方，缓冲层和衬底依次分布于薄膜铌酸锂光波导下方；沿薄膜铌酸锂光波导传输至InP基光电探测器的光信号通过倏逝波耦合机制，从薄膜铌酸锂光波导透过耦合层先耦合进入其正上方的InP基锥形过渡区，再进入InP基光电探测器外延层，实现薄膜铌酸锂光波导与InP基光电探测器外延层片上异质集成，满足薄膜铌酸锂光芯片和InP基光电探测器芯片的低损耗异质集成需求。
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公开(公告)号：CN117191866A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311186072.5
申请日：2023-09-14
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于3ω电学法的金刚石晶体片热导率测试方法及系统，测试方法包括金刚石晶体片的热电信号电极设计与制备、测试频率设计与控制、3ω电学法参数控制与测试、金刚石晶体片热导率高精度拟合分析。本发明基于3ω电学法，通过对热电信号电极的设计、测试参数的设计、制备技术和测试技术的控制，实现对微米和毫米量级厚度的金刚石晶体片热导率的高精度测试，解决了目前测试方法难以实现对高导热、厚度百微米量级至毫米量级自支撑金刚石晶体片热导率的高精度表征与评估，满足基于金刚石材料的半导体器件研制及其热管理技术开发需求。
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公开(公告)号：CN114038923B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202111279072.0
申请日：2021-10-31
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 , 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/102 , G02B6/122 , G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种薄膜铌酸锂光波导与InP基光电探测器异质集成结构，该结构主要包括InP基光电探测器外延层、耦合层、薄膜铌酸锂光波导、缓冲层和衬底；InP基光电探测器外延层通过耦合层集成于薄膜铌酸锂光波导正上方，缓冲层和衬底依次分布于薄膜铌酸锂光波导下方；沿薄膜铌酸锂光波导传输至InP基光电探测器的光信号通过倏逝波耦合机制，从薄膜铌酸锂光波导透过耦合层先耦合进入其正上方的InP基锥形过渡区，再进入InP基光电探测器外延层，实现薄膜铌酸锂光波导与InP基光电探测器外延层片上异质集成，满足薄膜铌酸锂光芯片和InP基光电探测器芯片的低损耗异质集成需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114039273A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111279069.9
申请日：2021-10-31
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种InP基激光器与薄膜铌酸锂光波导异质集成结构，属于光电集成芯片领域；该结构主要包括InP基激光器外延层薄膜、耦合层、薄膜铌酸锂光波导和衬底。InP基激光器外延层通过耦合层集成于薄膜铌酸锂光波导正上方，激光器输出光通过倏逝波耦合机制耦合进入其正下方的铌酸锂光波导中传输，满足InP基激光器芯片与薄膜铌酸锂光芯片的低损耗异质集成需求。
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公开(公告)号：CN114039273B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202111279069.9
申请日：2021-10-31
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 , 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明公开了一种InP基激光器与薄膜铌酸锂光波导异质集成结构，属于光电集成芯片领域；该结构主要包括InP基激光器外延层薄膜、耦合层、薄膜铌酸锂光波导和衬底。InP基激光器外延层通过耦合层集成于薄膜铌酸锂光波导正上方，激光器输出光通过倏逝波耦合机制耦合进入其正下方的铌酸锂光波导中传输，满足InP基激光器芯片与薄膜铌酸锂光芯片的低损耗异质集成需求。
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公开(公告)号：CN115394673A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211020542.6
申请日：2022-08-24
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种适用于3ω电学法的大尺寸晶圆级衬底热测试变温环境控制装置，包括装置控制腔体、晶圆级衬底承载台、电路探针互联模块、测试温控模块、温度显示模块及真空控制模块；装置控制腔体用于实现其他模块的集成固定；晶圆级衬底承载台用于大尺寸晶圆级衬底材料的固定和温度控制；电路探针互联模块用于解决热导率测试过程中测试样品的电信号输入和监测；测试温控模块用于控制装置内环境温度调控；真空控制模块用于控制装置内环境的真空度调控。本发明解决了现有3ω电学法热测试装置无法对大尺寸晶圆衬底直接进行任意环境条件下热导率测试的问题，提升基于3ω电学法的热测试能力和环境适用性。
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公开(公告)号：CN115394673B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202211020542.6
申请日：2022-08-24
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种适用于3ω电学法的大尺寸晶圆级衬底热测试变温环境控制装置，包括装置控制腔体、晶圆级衬底承载台、电路探针互联模块、测试温控模块、温度显示模块及真空控制模块；装置控制腔体用于实现其他模块的集成固定；晶圆级衬底承载台用于大尺寸晶圆级衬底材料的固定和温度控制；电路探针互联模块用于解决热导率测试过程中测试样品的电信号输入和监测；测试温控模块用于控制装置内环境温度调控；真空控制模块用于控制装置内环境的真空度调控。本发明解决了现有3ω电学法热测试装置无法对大尺寸晶圆衬底直接进行任意环境条件下热导率测试的问题，提升基于3ω电学法的热测试能力和环境适用性。
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公开(公告)号：CN113611695B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110781461.7
申请日：2021-07-12
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/473 , H01L23/373 , H01L23/367 , H01L21/52
Abstract: 本发明公开了一种万瓦级GaN基固态功率源系统及其制造方法，系统包括高效率GaN功放单元、微波信号控制单元、多层级散热单元和智能管控单元，所有单元集成在4U标准机柜内；所述高效率GaN功放单元实现万瓦级功率，微波信号控制单元实现稳定射频微波，多层级散热单元保证了系统的安全性，智能管控单元保证了系统运行稳定性和可调控性。本发明采用采用高效率GaN功放单元实现万瓦级功率源的高集成度和小尺寸，有效满足了单机柜的系统集成，同时采用多层级散热单元解决万瓦级功率产生的热可靠性隐患，有效保证了功率源系统性能的稳定性和系统安全性；相比传统的磁控管结构功率源系统，其尺寸更小、稳定性和可靠性更高。
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