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公开(公告)号：CN114530487A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202111662487.6
申请日：2021-12-30
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/16 , H01L21/329 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种带边缘终端的金刚石肖特基二极管的制备方法，包括：在高掺杂p型金刚石衬底上外延轻掺杂p型金刚石外延层；选择性外延掩膜的制作；轻掺杂p型金刚石外延层；n型氧化镓外延层的生长；氧化镓外延层的剥离；背面欧姆接触的制备；正面肖特基电极的制备。本发明针对现有金刚石肖特基二极管由于肖特基电极边缘的电场聚集效应导致器件击穿电压下降的问题，基于n型氧化镓选择性延生长技术，提出一种带n型保护环和场限环的金刚石肖特基二极管的制备方法，具有肖特基边缘峰值电场抑制能力强，器件击穿电压高，高温稳定性好等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112885899A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202011497971.3
申请日：2020-12-17
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
IPC: H01L29/47 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/28 , H01L21/335 , C23C16/04
Abstract: 本发明涉及一种自对准超低欧姆接触电阻GaN HEMT器件及其制造方法，主要解决了超高频器件尺寸极限微缩条件下对栅源、栅漏间距的有效调制问题，并且具备较高的工艺稳定性，可以实现实验室外的生产制造；所述器件包括衬底、缓冲层、高掺杂n+‑GaN层、源极、势垒层、栅极、势垒金属层和漏极。所述器件基本制造流程为先制造出肖特基T型栅结构，利用所述T型栅结构的金属栅帽作为浮空掩膜，结合高各向异性刻蚀技术，实现对源漏区域的定义，进而实现可靠的短欧姆接触间距，有效降低GaN基器件沟道中载流子渡越时间带来的寄生延时，提升器件截止频率性能。
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公开(公告)号：CN112616204A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011504641.2
申请日：2020-12-17
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高功率密度热源器件及其制造方法，器件主要包括功能管芯、框架外壳、内部键合金丝和互联输入端；所述功能管芯采用蛇形等列递减阵列结构实现热分布的均匀性，提升热源功率密度；所述框架外壳采用内嵌结构，使功能管芯直接嵌入框架外壳底部，可直接与散热热沉或散热器接触，减低高功率密度热源内部热阻；所述内部键合金丝实现对功能管芯的电路输入；所述互联输入端采用键合基板与垂直插拔式铜管结构，实现对高功率密度热源器件的功率输入。上述结构设计实现了器件可实现高功率密度、低器件热阻和便捷应用等特性，有效满足器件热管理开发领域对高功率密度器件的需求。
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公开(公告)号：CN114497186A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111669320.2
申请日：2021-12-30
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/267 , H01L21/329 , H01L29/861
Abstract: 本发明公开了一种金刚石/氧化镓异质pn结二极管的制备方法，包括如下步骤：在高掺杂p型金刚石衬底上外延轻掺杂p型金刚石外延层；选择性外延掩膜的制作；轻掺杂n型氧化镓和高掺杂n型氧化镓外延层的生长；氧化镓外延层的剥离；正面和背面欧姆接触的制备。本发明针对现有pn结型金刚石二极管由于n型掺杂激活率低导致的n型掺杂区域电阻高、器件导通电阻大的问题，基于氧化镓选择性延生长技术，开发了一种金刚石异/氧化镓超宽禁带异质pn结二极管的制备方法，具有器件导通电阻低、击穿电压高、高温稳定性好等优点。
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公开(公告)号：CN213782023U
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202023053183.3
申请日：2020-12-17
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
IPC: H01L29/47 , H01L29/423 , H01L29/778
Abstract: 本实用新型公开了一种自对准超低欧姆接触电阻GaN HEMT器件，所述器件包括衬底、缓冲层、高掺杂n+‑GaN层、源极、势垒层、栅极、势垒金属层和漏极，先制造出肖特基T型栅结构，利用所述T型栅结构的金属栅帽作为浮空掩膜，结合高各向异性刻蚀技术，实现对源漏区域的定义，进而实现可靠的短欧姆接触间距，有效降低GaN基器件沟道中载流子渡越时间带来的寄生延时，提升器件截止频率性能。
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公开(公告)号：CN214014555U
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202023066990.9
申请日：2020-12-17
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种高功率密度热源器件，主要包括功能管芯、框架外壳、内部键合金丝和互联输入端；所述功能管芯采用蛇形等列递减阵列结构实现热分布的均匀性，提升热源功率密度；所述框架外壳采用内嵌结构，使功能管芯直接嵌入框架外壳底部，可直接与散热热沉或散热器接触，减低高功率密度热源内部热阻；所述内部键合金丝实现对功能管芯的电路输入；所述互联输入端采用键合基板与垂直插拔式铜管结构，实现对高功率密度热源器件的功率输入。上述结构设计实现了器件可实现高功率密度、低器件热阻和便捷应用等特性，有效满足器件热管理开发领域对高功率密度器件的需求。
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