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公开(公告)号：CN109147860A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710498769.4
申请日：2017-06-27
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明提供一种存储器存储装置，包括存储器晶胞阵列以及存储器控制电路。存储器晶胞阵列包括多个存储器晶胞。存储器晶胞阵列用以存储数据。存储器控制电路耦接至存储器晶胞阵列。存储器控制电路用以对存储器晶胞当中的目标存储器晶胞施加设定信号以及重置信号两者其中之一以产生读取电流。存储器控制电路接收目标存储器晶胞的读取电流。存储器控制电路比较读取电流与参考电流。存储器控制电路依据比较结果来判断目标存储器晶胞是否失败。另外，一种存储器存储装置的测试方法也被提出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109147860B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201710498769.4
申请日：2017-06-27
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明提供一种存储器存储装置，包括存储器晶胞阵列以及存储器控制电路。存储器晶胞阵列包括多个存储器晶胞。存储器晶胞阵列用以存储数据。存储器控制电路耦接至存储器晶胞阵列。存储器控制电路用以对存储器晶胞当中的目标存储器晶胞施加设定信号以及重置信号两者其中之一以产生读取电流。存储器控制电路接收目标存储器晶胞的读取电流。存储器控制电路比较读取电流与参考电流。存储器控制电路依据比较结果来判断目标存储器晶胞是否失败。另外，一种存储器存储装置的测试方法也被提出。
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公开(公告)号：CN106373606A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201510669711.2
申请日：2015-10-13
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0064 , G11C2013/0066 , G11C2013/0073 , G11C2013/0076 , G11C2013/0078 , G11C2013/0092
Abstract: 本发明提供一种电阻式存储器装置及其写入方法，包括：接收逻辑数据，并且选择电阻式存储单元；判断逻辑数据的逻辑准位；当逻辑数据为第一逻辑准位时，其中电阻式存储单元的第一读取电流大于第一参考电流，在写入期间，提供设定脉冲以及重置脉冲至电阻式存储单元；以及当逻辑数据为第二逻辑准位时，其中电阻式存储单元的第二读取电流小于第二参考电流，在写入期间，提供重置脉冲至电阻式存储单元。重置脉冲及设定脉冲的极性相反。另外，一种电阻式存储器装置也被提出。本发明提供的电阻式存储器装置，可正确地写入数据。
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公开(公告)号：CN109147844B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201710463294.5
申请日：2017-06-19
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种电阻式存储器及其电阻式存储单元的恢复电阻窗口方法。于第一期间，过重置电压差被施加于电阻式存储单元的上电极与下电极之间，其中该过重置电压差落于电阻式存储单元的重置互补切换电压范围。于第二期间，设定电压差被施加于电阻式存储单元的上电极与下电极之间，以增加电阻式存储单元的限电流。于第三期间，对电阻式存储单元进行重置操作。
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公开(公告)号：CN106373606B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201510669711.2
申请日：2015-10-13
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种电阻式存储器装置及其写入方法，包括：接收逻辑数据，并且选择电阻式存储单元；判断逻辑数据的逻辑准位；当逻辑数据为第一逻辑准位时，其中电阻式存储单元的第一读取电流大于第一参考电流，在写入期间，提供设定脉冲以及重置脉冲至电阻式存储单元；以及当逻辑数据为第二逻辑准位时，其中电阻式存储单元的第二读取电流小于第二参考电流，在写入期间，提供重置脉冲至电阻式存储单元。重置脉冲及设定脉冲的极性相反。另外，一种电阻式存储器装置也被提出。本发明提供的电阻式存储器装置，可正确地写入数据。
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公开(公告)号：CN109147844A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710463294.5
申请日：2017-06-19
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0097 , G11C13/0007 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0045 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/31 , G11C2213/52 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/143 , H01L45/146 , H01L45/147 , G11C13/0059
Abstract: 本发明提供一种电阻式存储器及其电阻式存储单元的恢复电阻窗口方法。于第一期间，过重置电压差被施加于电阻式存储单元的上电极与下电极之间，其中该过重置电压差落于电阻式存储单元的重置互补切换电压范围。于第二期间，设定电压差被施加于电阻式存储单元的上电极与下电极之间，以增加电阻式存储单元的限电流。于第三期间，对电阻式存储单元进行重置操作。
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