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公开(公告)号：CN110298203B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201810243005.5
申请日：2018-03-23
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: G06F21/76
Abstract: 本发明提出了一种金钥产生装置及方法，该金钥产生装置包括一第一存取电路、一第一运算电路以及一第一验证电路。在一写入期间，第一存取电路写入一第一预设数据至一第一电阻式存储单元。在一随机化程序后，第一存取电路读取流经第一电阻式存储单元的一第一电流。第一运算电路对第一电流进行计算，用以产生一第一计算结果。第一验证电路根据第一计算结果，产生一第一密码。
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公开(公告)号：CN109147860B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201710498769.4
申请日：2017-06-27
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明提供一种存储器存储装置，包括存储器晶胞阵列以及存储器控制电路。存储器晶胞阵列包括多个存储器晶胞。存储器晶胞阵列用以存储数据。存储器控制电路耦接至存储器晶胞阵列。存储器控制电路用以对存储器晶胞当中的目标存储器晶胞施加设定信号以及重置信号两者其中之一以产生读取电流。存储器控制电路接收目标存储器晶胞的读取电流。存储器控制电路比较读取电流与参考电流。存储器控制电路依据比较结果来判断目标存储器晶胞是否失败。另外，一种存储器存储装置的测试方法也被提出。
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公开(公告)号：CN109215709A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201710532576.6
申请日：2017-07-03
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种电阻式存储器装置及其电阻式存储单元的设定方法。电阻式存储单元的设定方法包括：对电阻式存储单元执行第一设定操作，并在第一设定操作完成后对电阻式存储单元执行第一验证操作；依据第一验证操作的验证结果以决定是否对电阻式存储单元执行第一重置操作，并在决定执行该第一重置操作并执行完成后对所述电阻式存储单元执行一第二验证操作；以及，依据第二验证操作的验证结果，以决定是否对电阻式存储单元执行第二重置操作，并在决定执行第二重置操作并执行完成后对电阻式存储单元执行第三验证操作。
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公开(公告)号：CN110060722A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201810043783.X
申请日：2018-01-17
Applicant: 华邦电子股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种电阻式存储器存储装置的上电复位方法包括：对电阻式存储器存储装置的存储器晶胞执行形成程序。形成程序包括对存储器晶胞施加至少一次形成电压以及至少一次重置电压。形成程序更包括加热步骤。对存储器晶胞施加重置电压的步骤可以在加热步骤之前或之后执行。在施加一次形成电压之后，若存储器晶胞通过验证，不对存储器晶胞施加下一次形成电压。在加热步骤之后，若存储器晶胞通过验证，不对存储器晶胞施加下一次形成电压。此外，在施加一次重置电压之后，若存储器晶胞通过验证，不对存储器晶胞施加下一次重置电压。
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公开(公告)号：CN109147860A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710498769.4
申请日：2017-06-27
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明提供一种存储器存储装置，包括存储器晶胞阵列以及存储器控制电路。存储器晶胞阵列包括多个存储器晶胞。存储器晶胞阵列用以存储数据。存储器控制电路耦接至存储器晶胞阵列。存储器控制电路用以对存储器晶胞当中的目标存储器晶胞施加设定信号以及重置信号两者其中之一以产生读取电流。存储器控制电路接收目标存储器晶胞的读取电流。存储器控制电路比较读取电流与参考电流。存储器控制电路依据比较结果来判断目标存储器晶胞是否失败。另外，一种存储器存储装置的测试方法也被提出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106206409A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510230562.X
申请日：2015-05-08
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538 , H01L23/535
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/288 , H01L21/4803 , H01L21/4867 , H01L21/76801 , H01L23/3157 , H01L23/49827 , H01L23/525 , H01L23/5328 , H01L23/5329 , H01L24/05 , H01L24/81 , H01L2224/02311 , H01L2224/02317 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2225/06541 , H01L2924/01029 , H01L2924/01013 , H01L2924/01079 , H01L2924/014
Abstract: 本发明提供了一种堆叠电子装置及其制造方法，其中，堆叠电子装置的制造方法包括：进行一第一三维打印，以在一第一基底上形成一第一绝缘层以及多个第一重布线层；进行一第二三维打印，以于第一绝缘层上形成一第二基底以及电连接至第一重布线层的多个基底通孔电极；进行一第三三维打印，以于第二基底上形成一第二绝缘层以及电连接至基底通孔电极的多个第二重布线层；将一第三基底的多个接点接合至第二重布线层，使第三基底装设于第二绝缘层上。本发明也提供以上述方法制造的堆叠电子装置。本发明可以缩短基底通孔电极的制造时间，还可有效简化制造堆叠电子装置的工艺步骤及降低制造成本。
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公开(公告)号：CN109308927B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201710628986.0
申请日：2017-07-28
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种内存储存装置以及电阻式内存组件的形成方法，包括：开始形成程序以对电阻式内存组件施加形成电压，使电阻式内存组件从高阻态转变为低阻态，并且测量电阻式内存组件的第一电流；对电阻式内存组件进行加热步骤，并且测量电阻式内存组件的第二电流；以及比较第一电流以及第二电流，并且依据第一电流以及第二电流的比较结果来决定对电阻式内存组件施加第一电压信号或第二电压信号，或者结束形成程序。另外，一种包括电阻式内存组件的内存储存装置也被提出。
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公开(公告)号：CN109215709B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201710532576.6
申请日：2017-07-03
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种电阻式存储器装置及其电阻式存储单元的设定方法。电阻式存储单元的设定方法包括：对电阻式存储单元执行第一设定操作，并在第一设定操作完成后对电阻式存储单元执行第一验证操作；依据第一验证操作的验证结果以决定是否对电阻式存储单元执行第一重置操作，并在决定执行该第一重置操作并执行完成后对所述电阻式存储单元执行一第二验证操作；以及，依据第二验证操作的验证结果，以决定是否对电阻式存储单元执行第二重置操作，并在决定执行第二重置操作并执行完成后对电阻式存储单元执行第三验证操作。
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公开(公告)号：CN109584930A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811042175.3
申请日：2018-09-07
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种数据读取方法以及使用此方法的非易失性存储器装置。所述数据读取方法包括：从非易失性存储器装置的存储单元对取得第一读取电流以及第二读取电流；根据第一读取电流以及第二读取电流进行计算操作以取得计算结果；并且根据计算结果判断此存储单元对的逻辑状态。所述计算操作至少包括一个信号加法运算及一个信号乘法运算。
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公开(公告)号：CN106356450B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201510415026.7
申请日：2015-07-15
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种存储元件及其制造方法。存储元件包括衬底、电容器、保护元件、第一金属内连线以及第二金属内连线。电容器位于第一区的衬底上。保护元件位于第二区的衬底中。电容器包括多个下电极、上电极以及电容介电层。上电极具有第一部分以及第二部分，其中第二部分延伸至第二区。电容介电层位于下电极与上电极之间。第一金属内连线位于电容器与衬底之间。第二金属内连线位于上电极的第二部分与保护元件之间，其将上电极电性连接至保护元件。本发明可减少等离子体损害的产生，以提升产品的可靠度与良率。
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