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公开(公告)号：CN113903381B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202010572546.X
申请日：2020-06-22
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种电阻式内存装置以及其可靠度提升方法被提出。可靠度提升方法包括：针对多个存储单元进行形成动作；针对形成后的存储单元进行读取以分别获得多个形成后电流；依据形成后电流中的统计值设定参考电流；针对存储单元进行设定动作；计算每一存储单元的设定后电流与参考电流的比值，并依据比值判断每一存储单元的物理状态；以及，依据每一存储单元的物理状态以决定是否对每一存储单元执行修复动作。
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公开(公告)号：CN114171084B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202010952236.0
申请日：2020-09-11
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种电阻式内存装置包括内存晶胞阵列、至少一虚置晶体管及控制电路。内存晶胞阵列包括多个内存晶胞。各内存晶胞包括电阻转换元件。虚置晶体管与电阻转换元件电性绝缘。控制电路耦接至内存晶胞阵列及虚置晶体管。控制电路用于提供第一位线电压、源极线电压及字线电压给虚置晶体管，以使虚置晶体管输出饱和电流。控制电路用于依据饱和电流决定驱动内存晶胞的第二位线电压的大小。另外，一种电阻式内存装置的操作方法及内存晶胞阵列亦被提出。
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公开(公告)号：CN111326539B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201811530303.9
申请日：2018-12-14
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: H01L27/24
Abstract: 本发明提供了一种电阻式随机存取存储器及其形成方法，该形成方法包括形成一膜层堆迭；图案化上述膜层堆迭，以形成多个堆迭结构；沿着上述堆迭结构的侧壁形成保护层；在上述堆迭结构之间形成第一隔离结构；在至少一堆迭结构中形成至少一凹槽，以在上述至少一堆迭结构中定义出多个物理性分开的电丝单元；以及在上述至少一凹槽中形成第二隔离结构。上述膜层堆迭包括底电极层、以及位于该底电极层上的电阻转换层。本发明可以解决电阻式随机存取存储器的软性错误位问题。
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公开(公告)号：CN115332184A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202110511466.8
申请日：2021-05-11
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: H01L23/00
Abstract: 本发明提供一种半导体结构用以产生物理不可仿制功能码。半导体结构包括金属层、N个钛结构以及N个氮化钛结构，N为正整数。金属层形成N个金属结构。钛结构分别形成在金属结构的一端上。氮化钛结构分别形成在钛结构的上方。其中金属结构与分别对应的钛结构以及氮化钛结构分别形成多个柱状体。柱状体提供多个电阻值，上述电阻值用以产生物理不可仿制功能码。
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公开(公告)号：CN112909159A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201911219661.2
申请日：2019-12-03
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种电阻式随机存取存储器，包括第一电极、第二电极、可变电阻层、第一金属层、第二金属层及电阻稳定层。第二电极配置于第一电极上。可变电阻层配置于第一电极与第二电极之间。第一金属层配置于可变电阻层与第二电极之间。第二金属层配置于第一金属层与第二电极之间。电阻稳定层配置于第一金属层与第二金属层之间。可变电阻层的氧含量高于第一金属层的氧含量，第一金属层的氧含量高于电阻稳定层的氧含量，电阻稳定层的氧含量高于第二金属层的氧含量。所述电阻式随机存取存储器具有良好的耐久性、重置特性以及数据保持能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112582007A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910927655.6
申请日：2019-09-27
Applicant: 华邦电子股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种数据写入方法及非易失性存储器。数据写入方法包含依据第一旗标以提供重置电压至多个选中存储单元，针对选中存储单元递回地进行重置程序；依据选中存储单元的多个第一验证电流以设定第二旗标；以及在第二旗标被设定的条件下：依据选中存储单元的电阻值以提供设置电压至选中存储单元；以及依据选中存储单元的多个第二验证电流以设定第一旗标。
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公开(公告)号：CN111681694A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201910178936.6
申请日：2019-03-11
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供了一种电阻式存储器电路，包括第一电阻式存储器单元、第二电阻式存储器单元、第一晶体管以及第二晶体管。第一电阻式存储器单元耦接于第一位线以及第一节点之间。第二电阻式存储器单元耦接于第二位线以及第一节点之间。第一晶体管包括第一栅极端、第一漏极端以及第一源极端，第一栅极端耦接至第一字元线，第一漏极端耦接至第一节点，第一源极端耦接至第一源极线。第二晶体管包括第二栅极端、第二漏极端以及第二源极端，第二栅极端耦接至第一字元线，第二漏极端耦接至第一节点，第二源极端耦接至第二源极线。
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公开(公告)号：CN110060722A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201810043783.X
申请日：2018-01-17
Applicant: 华邦电子股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种电阻式存储器存储装置的上电复位方法包括：对电阻式存储器存储装置的存储器晶胞执行形成程序。形成程序包括对存储器晶胞施加至少一次形成电压以及至少一次重置电压。形成程序更包括加热步骤。对存储器晶胞施加重置电压的步骤可以在加热步骤之前或之后执行。在施加一次形成电压之后，若存储器晶胞通过验证，不对存储器晶胞施加下一次形成电压。在加热步骤之后，若存储器晶胞通过验证，不对存储器晶胞施加下一次形成电压。此外，在施加一次重置电压之后，若存储器晶胞通过验证，不对存储器晶胞施加下一次重置电压。
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公开(公告)号：CN112786780B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201911086645.0
申请日：2019-11-08
Applicant: 华邦电子股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种电阻式随机存取存储器阵列及其制造方法。电阻式随机存取存储器阵列包括基板，此基板的阵列区包括第一区及第二区。电阻式随机存取存储器阵列包括位于基板上的底电极层、位于底电极层上的氧离子储藏层、位于氧离子储藏层上的扩散阻障层、位于扩散阻挡层上的电阻转换层以及位于电阻转换层上的顶电极层。位于第一区的扩散阻挡层不同于位于第二区的扩散阻挡层。
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公开(公告)号：CN112582007B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201910927655.6
申请日：2019-09-27
Applicant: 华邦电子股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种数据写入方法及非易失性存储器。数据写入方法包含依据第一旗标以提供重置电压至多个选中存储单元，针对选中存储单元递回地进行重置程序；依据选中存储单元的多个第一验证电流以设定第二旗标；以及在第二旗标被设定的条件下：依据选中存储单元的电阻值以提供设置电压至选中存储单元；以及依据选中存储单元的多个第二验证电流以设定第一旗标。
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