公开(公告)号：CN108780659A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780013131.5

申请日：2017-02-09

Applicant: ARM有限公司

Inventor： 巴尔·S·桑德胡 ,  塞扎里·皮耶奇克 ,  罗伯特·坎贝尔·艾特肯 ,  乔治·麦克尼尔·拉蒂摩尔

IPC: G11C13/00 ,  G11C7/08 ,  G11C7/06

CPC classification number: G11C7/222 ,  G11C7/062 ,  G11C7/08 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2013/0045 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/15 ,  H03F3/45179 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/471 ,  H03F2203/45044

Abstract: 概括地说，本技术的实施例提供了一种放大电路，所述放大电路包括读出放大器和被配置为向读出放大器提供信号的至少一个相关电子开关(CES)。所述读出放大器根据所述CES元件提供的信号来输出放大版本的输入信号。所述CES元件提供的信号取决于所述CES材料的状态。所述CES元件向所述读出放大器提供稳定的阻抗，这可以提高从位线读取数据的可靠性，并减少读取期间引入的误差的数量。

公开(公告)号：CN105304125B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201510213938.6

申请日：2015-04-29

Applicant: 英特尔公司

Inventor： B·林 ,  C·德雷 ,  A·罗伊 ,  L·魏 ,  F·哈姆扎奥卢

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/004 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1677 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0045 ,  G11C2013/0057 ,  G11C2013/0066 ,  G11C2013/0078

Abstract: 本发明描述了用于提高电阻式存储器能量效率和可靠性的装置和方法。装置可以包括耦合到导电线路的电阻式存储器单元。装置还可以包括耦合到导电线路的驱动器，其用于在写入操作期间驱动用于电阻式存储器单元的电流。可以在写入操作期间在两个或更多时间段内选择性地增大驱动器的电阻，以检测导电线路上的电压变化。在检测到电压变化时，可以关断用于写入操作的电流以提高电阻式存储器能量效率和可靠性。

公开(公告)号：CN108074610A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201710555856.9

申请日：2017-07-10

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 郑想勋

IPC: G11C13/00 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C13/004 ,  G11C7/04 ,  G11C7/16 ,  G11C7/20 ,  G11C13/0061 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2013/0045 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/76

Abstract: 根据实施例的阻变存储装置可以包括存储单元阵列和读取电路。存储单元阵列可以包括耦接在多个字线和多个位线之间的多个阻变存储单元。在检测流过选中的阻变存储单元的电流量之前，读取电路可以在预设的第一时间段内将与选中的阻变存储单元耦接的字线耦接到第一接地电压供应端子。在读取操作中，读取电路可以在预设的第二时间段内将与选中的阻变存储单元耦接的位线耦接到电源电压供应端子。

公开(公告)号：CN103858168B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201180074045.8

申请日：2011-09-02

Applicant: 慧与发展有限责任合伙企业

Inventor： 赛厄马克·塔瓦莱伊

IPC: G11C7/22 ,  G11C7/10

CPC classification number: G11C13/004 ,  G11C5/04 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0033 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0045 ,  G11C2013/0047 ,  G11C2013/0073

Abstract: 公开一种用于存储数据的设备和用于读取存储单元的方法。公开的示例性方法包含：在存储单元的读周期期间，在该存储单元上施加电流，来读取该存储单元的内容。在该存储单元的后续读周期期间，沿相反方向在该存储单元上施加后续电流，来读取该存储单元的该内容。

公开(公告)号：CN105810241A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610027106.X

申请日：2016-01-15

Applicant: 力旺电子股份有限公司

Inventor： 许家荣 ,  孙文堂 ,  罗俊元

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0097 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2013/0045

Abstract: 一种电阻式存储器的控制方法。首先，开始对该电阻式存储器进行一动作，使得电阻式存储器为一特定状态。接着，开始一运作周期。在运作周期的一第一子周期时，提供一第一极性的一第一控制信号。在运作周期的一第二子周期时，提供一第二极性的一第二控制信号。在运作周期的一第三子周期时，提供该第一极性的一第三控制信号。在运作周期的一第四子周期时，提供一读取信号，使得该电阻性存储器产生一读取电流。而根据读取电流，控制电路即据以验证该电阻式存储器是否为该特定状态。

公开(公告)号：CN105431906A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201380078607.5

申请日：2013-07-31

Applicant: 惠普发展公司 ,  有限责任合伙企业

Inventor： 布伦特·埃德加·布坎南

IPC: G11C13/00 ,  G11C5/14

CPC classification number: G11C13/0059 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0045 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/66106 ,  H01L29/66113 ,  H01L29/861 ,  H01L29/866 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1608

Abstract: 本公开提供一种存储器单元，其包括设置在第一导体与第二导体之间的电阻式存储器元件，所述第一导体和第二导体被配置为激活所述电阻式存储器元件。所述存储器单元还包括与所述存储器元件并联地设置在所述第一导体与第二导体之间的二极管。

公开(公告)号：CN101937717B

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201010221425.7

申请日：2010-06-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许国原 ,  陈柏宏 ,  黄建程 ,  苏布拉马尼·肯基瑞

IPC: G11C17/16 ,  G01R27/08

CPC classification number: G11C13/00 ,  G11C5/147 ,  G11C7/00 ,  G11C7/062 ,  G11C7/22 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  G11C16/26 ,  G11C17/16 ,  G11C17/165 ,  G11C17/18 ,  G11C2013/0045

Abstract: 本发明提供一种测量电阻值的方法及电路，该电路包括：一第一子电路，用以接收一输入电压，并产生一第一电压与一第二电压，该第一电压产生流经一电阻性装置的一第一电流，而该第二电压产生该第二电流；一节点，电性耦接至该电阻性装置，并具有一第三电压，该第三电压产生一第三电流；以及一第二子电路，用以产生一第四电压，其具有一逻辑态，表示该电阻性装置的逻辑态。本发明可以有效率并精确地测量电熔丝电阻值。

公开(公告)号：CN108932962A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201710379670.2

申请日：2017-05-25

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 侯纪伟 ,  袁之泉 ,  刘锴 ,  柳鹏 ,  姜开利 ,  范守善

IPC: G11C13/00 ,  H01L45/00

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0097 ,  G11C2013/0045 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/008 ,  G11C2213/16 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34

Abstract: 本发明提供一种相变存储器写入、读取、擦除数据的方法，包括以下步骤：提供一相变存储器，该相变存储器包括：至少一加热层及至少一相变层，该相变层与所述加热层对应设置，所述相变层的材料包括二氧化钒；控制所述加热层加热所述相变层，使该相变层保持在相变温度，此时向该相变层输入电信号，使该相变层发生相变，从而写入数据；向所述相变层输入一电信号，使该相变层不发生相变，测量电路中的电流大小，得出该相变层的电阻，根据电阻值的大小从而读取数据；控制所述加热层停止加热所述相变层，从而擦除该相变层的数据。

公开(公告)号：CN105431906B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201380078607.5

申请日：2013-07-31

Applicant: 慧与发展有限责任合伙企业

Inventor： 布伦特·埃德加·布坎南

IPC: G11C13/00 ,  G11C5/14

CPC classification number: G11C13/0059 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0045 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/66106 ,  H01L29/66113 ,  H01L29/861 ,  H01L29/866 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1608

Abstract: 本公开提供一种存储器单元，其包括设置在第一导体与第二导体之间的电阻式存储器元件，所述第一导体和第二导体被配置为激活所述电阻式存储器元件。所述存储器单元还包括与所述存储器元件并联地设置在所述第一导体与第二导体之间的二极管。

公开(公告)号：CN107836023A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201680041211.7

申请日：2016-04-13

Applicant: 爱德斯托科技有限公司

Inventor： J·丁 ,  V·P·戈皮纳特 ,  N·冈萨雷斯 ,  D·刘易斯 ,  D·卡马拉汉 ,  关明生

IPC: G11C11/00 ,  G11C13/00 ,  G11C16/04 ,  G11C17/16

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0097 ,  G11C2013/0045 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/74 ,  G11C2213/79 ,  G11C2213/82 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/085 ,  H01L45/12 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1266

Abstract: 在一个实施方式中，一种半导体存储器装置包括多个电阻式切换存储器单元，其中，各电阻式切换存储器单元可以包括：(i)可编程阻抗元件，该可编程阻抗元件具有阳极和阴极；(ii)存取晶体管，该存取晶体管具有联接到位线的漏极、联接到可编程阻抗元件阴极的源极、以及联接到字线的栅极；(iii)阱，该阱具有被构造为源极的第一扩散区域、被构造为漏极的第二扩散区域、以及被构造为阱触点的第三扩散区域；以及(iv)二极管，该二极管具有处于第二扩散区域处的阴极和处于第三扩散区域处的阳极，其中，在可编程阻抗元件上的擦除操作期间二极管导通。