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公开(公告)号：CN116575001A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310404349.0
申请日：2023-04-14
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种Al50Cr50/富铝刚玉结构Al‑Cr‑O双层薄膜及其制备方法和应用，该薄膜包括Al50Cr50薄膜层和富铝刚玉结构Al‑Cr‑O薄膜层；所述富铝刚玉结构Al‑Cr‑O薄膜层中包括α‑Cr2O3相、α‑Al2O3相和α‑(Al,Cr)2O3相，不含亚稳相Al2O3；所述富铝刚玉结构Al‑Cr‑O薄膜层中铝的含量为32.5wt％～35.1wt％。Al50Cr50薄膜层、基材和Al‑Cr‑O薄膜层三者之间均有较高的结合强度和粘结作用。Al50Cr50薄膜层在Al‑Cr‑O薄膜层不断被离子刻蚀和技工冲击损耗时，具有低温氧化成Al‑Cr‑O薄膜层的作用。
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公开(公告)号：CN116422873A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310220765.5
申请日：2023-03-09
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SPS技术的La‑Fe‑Si基磁制冷复合材料及其制备方法，将La‑Fe‑Si基磁制冷材料粉末和微米级Fe粉混合均匀，利用高温放电等离子烧结成型，制备得到磁制冷块体材料；所述烧结温度为1100‑1300K，压力为10‑100MPa；所述La‑Fe‑Si基磁制冷材料为(La1‑xCex)(FeyCo1‑y)11‑zSiz化合物，其中0≤x≤0.4，0≤y≤2，1.0≤z≤1.6，其粒径≤100μm，所述微米级Fe粉粒径为3‑5μm。本发明有效解决了La‑Fe‑Si材料难成型的问题。同时，极大地简化了工艺流程。通过上述方法制得的复合材料具有良好的磁热效应同时兼具极佳的力学性能。
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公开(公告)号：CN114807854A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210394587.3
申请日：2022-04-14
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基表面沉积α‑氧化铝介质膜的方法。本发明的硅基表面沉积α‑氧化铝介质膜的方法包括以下步骤：先将α‑Al2O3籽晶均匀附着在单晶硅片表面，再进行磁控溅射沉积α‑Al2O3薄膜。本发明通过在单晶硅片表面均匀附着α‑Al2O3籽晶，可以将反应溅射沉积单相α‑Al2O3膜的沉积温度降低至600℃以下，沉积得到的单相α‑Al2O3膜均匀致密，可以替代SOI结构中的热氧化SiO2层，进而可以提高集成电路板的击穿电压。
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公开(公告)号：CN113215496A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110470245.0
申请日：2021-04-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种FeNi合金层、电镀液及制备方法和应用。所述FeNi合金层包括Fe和Ni，所述Fe的含量在78～91wt％，Ni的含量在9～22wt％。所述电镀液包括镍盐、铁盐、缓冲剂、活化剂、稳定剂、整平剂和润湿剂。通过将金属基底置于上述电镀液中电镀得到所述FeNi合金层。本发明在钢铁工件上电镀FeNi合金层来替代传统电镀Ni层，不用高温扩散退火热处理就能直接渗硼，能有效抑制渗硼层中的FeB，NiB，Ni3B等多种脆性相，在后续淬火热处理时，显著降低渗硼层中的内应力，防止渗硼层开裂。
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公开(公告)号：CN109454225B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201811283811.1
申请日：2018-10-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种La‑Fe‑Si基室温磁制冷复合材料及其制备方法，由La‑Fe‑Si基磁制冷材料和Ce‑Co合金粉末均匀混合，经低温热压烧结和后续高温扩散热处理，最后快淬至室温，制得圆柱形复合磁制冷材料；所述La‑Fe‑Si基磁制冷材料由粒度为100～300μm和小于46μm的颗粒混合而成。该复合材料由磁热工质和粘结剂构成；一方面，粘结剂降低材料孔隙度，因而获得良好致密度，优良力学性能；另一方面，粘结剂原子热扩散进入主相颗粒，有利于获得大平台状磁熵变与大制冷能力的La‑Fe‑Si基磁制冷复合材料，很好的解决了La‑Fe‑Si脆性大以及与一级相变相伴的热/磁滞大等难以应用于磁制冷循环的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106967947B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201710254049.3
申请日：2017-04-18
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于金属涂层制备技术领域，公开了一种镶嵌结构界面α‑Cr2O3涂层及其制备方法。所述制备方法为：以Cr作沉积靶材，通过磁控溅射系统在工件基体表面沉积Cr过渡层，然后在500～600℃热氧化处理，在Cr过渡层表面形成α‑Cr2O3镶嵌结构界面层，再重新放入磁控溅射系统中，在脉冲频率为600～2000Hz、占空比为1.5～5％、氧分压为7～15％的Ar+O2混合气体条件下用高功率脉冲反应磁控溅射法沉积出α‑Cr2O3涂层。本发明所得镶嵌结构界面α‑Cr2O3涂层方法沉积工艺稳定，不存在靶中毒问题，所沉积的涂层与基体结合牢固，具有稳定的α相结构。
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公开(公告)号：CN109082641A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810986292.9
申请日：2018-08-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于金属涂层制备技术领域，公开了一种三层膜结构涂层及其制备方法。所述三层膜结构涂层由双相Cr+α-(Al,Cr)2O3基体粘结层、单相α-(Al,Cr)2O3支撑层和单相纳米α-Al2O3表层构成。以CrAl合金靶，通过直流磁控溅射依次沉积Cr+α-(Al,Cr)2O3基体粘结层和α-(Al,Cr)2O3支撑层；以Al+α-Al2O3复合靶，通过射频磁控溅射得到单相纳米α-Al2O3表层。本发明所得涂层的表面工作层为单相纳米α-Al2O3结构，硬度高，韧性好，高温热稳定性高，与金属基体摩擦时摩擦系数小，与高速钢，热作模具钢和高温合金等基体结合牢固。
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公开(公告)号：CN109023226A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810817668.3
申请日：2018-07-24
Applicant: 华南理工大学
IPC: C23C8/70
Abstract: 本发明属于渗硼技术领域，公开了一种柔性硼势固体渗硼剂及制备单相Fe2B渗硼层的方法。所述渗硼剂由供硼剂B4C、活化剂KBF4、添加剂Ni粉和填充剂构成。将供硼剂B4C、活化剂KBF4、添加剂Ni粉和填充剂经机械搅拌混合均匀，得到渗硼剂；将钢铁基体表面经预处理后埋入渗硼剂中，密封，然后升温至880～950℃进行渗硼处理，冷却后取出钢铁基体，在钢铁基体表面得到单相Fe2B渗硼层。本发明显著扩大制备出单相Fe2B渗硼层B4C用量范围，渗硼剂重复利用率高，并能回收生产KF副产品。所得单相Fe2B渗硼层表层孔隙疏松显著降低，厚度比传统渗硼剂提高20～50％。
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公开(公告)号：CN102351249B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201110204454.7
申请日：2011-07-21
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米结构三氧化钼的制备方法，具体步骤如下：(1)将基片进行清洗并烘干；(2)将钼蒸发源置于电热板加热区，将基片置于钼蒸发源正上方0.1～5.0mm，开启电热板升温至200～600℃，保温0.1～48h；(3)关闭电源，随电热板冷却至室温；取下基片，此时基片表面沉积出的一层白色物质即为三氧化钼。本发明工艺设备简单，成本低廉，制备温度低，适用于不同基片上大面积制备产率高，且制备过程中无需任何催化剂；制备的三氧化钼产物结晶性能良好，无任何杂相。
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