公开(公告)号：CN109082641A

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201810986292.9

申请日：2018-08-28

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 邱万奇 ,  杨宇 ,  王耀辉 ,  程奕天 ,  焦东玲 ,  刘仲武 ,  钟喜春

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明属于金属涂层制备技术领域，公开了一种三层膜结构涂层及其制备方法。所述三层膜结构涂层由双相Cr+α-(Al,Cr)2O3基体粘结层、单相α-(Al,Cr)2O3支撑层和单相纳米α-Al2O3表层构成。以CrAl合金靶，通过直流磁控溅射依次沉积Cr+α-(Al,Cr)2O3基体粘结层和α-(Al,Cr)2O3支撑层；以Al+α-Al2O3复合靶，通过射频磁控溅射得到单相纳米α-Al2O3表层。本发明所得涂层的表面工作层为单相纳米α-Al2O3结构，硬度高，韧性好，高温热稳定性高，与金属基体摩擦时摩擦系数小，与高速钢，热作模具钢和高温合金等基体结合牢固。

公开(公告)号：CN109989044B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201910264818.7

申请日：2019-04-03

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 邱万奇 ,  杨宇 ,  程奕天 ,  焦东玲 ,  钟喜春 ,  刘仲武

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C22C30/00 ,  C22C32/00

Abstract: 本发明属于金属及其氧化物涂层技术领域，公开了一种AlCr+α‑Al2O3溅射靶材及制备与应用。所述溅射靶材由10～20wt％的α‑Al2O3，36.2～40.7wt％的Cr和43.8～49.3wt％的Al组成。将Al粉、Cr粉与α‑Al2O3粉经混粉、加压烧结，得到致密AlCr+α‑Al2O3溅射靶材。所得AlCr+α‑Al2O3溅射靶材通过射频磁控溅射在基体温度520～600℃和10％～15％O2分压下沉积可沉积出单相纳米α‑(Al,Cr)2O3薄膜，所沉积的薄膜硬度高，韧性好。

公开(公告)号：CN108411262B

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN201810178616.6

申请日：2018-03-05

Applicant: 华南理工大学 ,  广东省新材料研究所

Inventor： 邱万奇 ,  程奕天 ,  杨宇 ,  王书林 ,  周克崧 ,  代明江

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明属于金属氧化物涂层技术领域，公开了一种低温反应溅射沉积纳米α‑Al2O3涂层的方法。将Al粉及α‑Al2O3粉用粉末冶金的方法制成复合材料，切割成设备所需的尺寸后作为沉积靶材和工件基体分别安装在射频磁控溅射的靶工位和沉积腔室样品台上，排除沉积腔室残留的水蒸汽后抽至本底真空，然后注入Ar+O2混合气体进行预氧化处理；调整Ar+O2混合气中的O2分压至15％～25％范围，并调整工件基体温度至550～750℃范围，启动射频磁控溅射镀膜系统，开始反应沉积得到所述纳米α‑Al2O3涂层。本发明所得涂层为纳米晶结构涂层，韧性好，与基体结合牢固，涂层在相对较低的温度下具有稳定的α相结构。

公开(公告)号：CN109082641B

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201810986292.9

申请日：2018-08-28

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 邱万奇 ,  杨宇 ,  王耀辉 ,  程奕天 ,  焦东玲 ,  刘仲武 ,  钟喜春

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明属于金属涂层制备技术领域，公开了一种三层膜结构涂层及其制备方法。所述三层膜结构涂层由双相Cr+α‑(Al,Cr)2O3基体粘结层、单相α‑(Al,Cr)2O3支撑层和单相纳米α‑Al2O3表层构成。以CrAl合金靶，通过直流磁控溅射依次沉积Cr+α‑(Al,Cr)2O3基体粘结层和α‑(Al,Cr)2O3支撑层；以Al+α‑Al2O3复合靶，通过射频磁控溅射得到单相纳米α‑Al2O3表层。本发明所得涂层的表面工作层为单相纳米α‑Al2O3结构，硬度高，韧性好，高温热稳定性高，与金属基体摩擦时摩擦系数小，与高速钢，热作模具钢和高温合金等基体结合牢固。

公开(公告)号：CN108411262A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810178616.6

申请日：2018-03-05

Applicant: 华南理工大学 ,  广东省新材料研究所

Inventor： 邱万奇 ,  程奕天 ,  杨宇 ,  王书林 ,  周克崧 ,  代明江

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明属于金属氧化物涂层技术领域，公开了一种低温反应溅射沉积纳米α-Al2O3涂层的方法。将Al粉及α-Al2O3粉用粉末冶金的方法制成复合材料，切割成设备所需的尺寸后作为沉积靶材和工件基体分别安装在射频磁控溅射的靶工位和沉积腔室样品台上，排除沉积腔室残留的水蒸汽后抽至本底真空，然后注入Ar+O2混合气体进行预氧化处理；调整Ar+O2混合气中的O2分压至15％～25％范围，并调整工件基体温度至550～750℃范围，启动射频磁控溅射镀膜系统，开始反应沉积得到所述纳米α-Al2O3涂层。本发明所得涂层为纳米晶结构涂层，韧性好，与基体结合牢固，涂层在相对较低的温度下具有稳定的α相结构。

公开(公告)号：CN109989044A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201910264818.7

申请日：2019-04-03

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 邱万奇 ,  杨宇 ,  程奕天 ,  焦东玲 ,  钟喜春 ,  刘仲武

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C22C30/00 ,  C22C32/00

Abstract: 本发明属于金属及其氧化物涂层技术领域，公开了一种AlCr+α‑Al2O3溅射靶材及制备与应用。所述溅射靶材由10～20wt％的α‑Al2O3，36.2～40.7wt％的Cr和43.8～49.3wt％的Al组成。将Al粉、Cr粉与α‑Al2O3粉经混粉、加压烧结，得到致密AlCr+α‑Al2O3溅射靶材。所得AlCr+α‑Al2O3溅射靶材通过射频磁控溅射在基体温度520～600℃和10％～15％O2分压下沉积可沉积出单相纳米α‑(Al,Cr)2O3薄膜，所沉积的薄膜硬度高，韧性好。