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公开(公告)号：CN102259932A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110204453.2
申请日：2011-07-21
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种一维金属氧化物纳米材料的制备方法，具体工艺步骤如下：(1)将过渡金属源置于电热板加热区；(2)开启电热板升温至200～600℃，然后保温时间1～96h；(3)关闭电源，随电热板冷却至室温，此时金属源表面的氧化物即为目的产物。本发明工艺设备简单，成本低廉，制备温度低、适用于大面积制备，产率高，且适用多种过渡金属，制备的金属氧化物纳米材料结晶性能良好。
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公开(公告)号：CN102351249A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110204454.7
申请日：2011-07-21
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米结构三氧化钼的制备方法，具体步骤如下：(1)将基片进行清洗并烘干；(2)将钼蒸发源置于电热板加热区，将基片置于钼蒸发源正上方0.1～5.0mm，开启电热板升温至200～600℃，保温0.1～48h；(3)关闭电源，随电热板冷却至室温；取下基片，此时基片表面沉积出的一层白色物质即为三氧化钼。本发明工艺设备简单，成本低廉，制备温度低，适用于不同基片上大面积制备产率高，且制备过程中无需任何催化剂；制备的三氧化钼产物结晶性能良好，无任何杂相。
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公开(公告)号：CN102351249B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201110204454.7
申请日：2011-07-21
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米结构三氧化钼的制备方法，具体步骤如下：(1)将基片进行清洗并烘干；(2)将钼蒸发源置于电热板加热区，将基片置于钼蒸发源正上方0.1～5.0mm，开启电热板升温至200～600℃，保温0.1～48h；(3)关闭电源，随电热板冷却至室温；取下基片，此时基片表面沉积出的一层白色物质即为三氧化钼。本发明工艺设备简单，成本低廉，制备温度低，适用于不同基片上大面积制备产率高，且制备过程中无需任何催化剂；制备的三氧化钼产物结晶性能良好，无任何杂相。
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