公开(公告)号：CN106967947B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201710254049.3

申请日：2017-04-18

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 邱万奇 ,  甄永辉 ,  王书林 ,  刘仲武 ,  钟喜春 ,  焦东玲

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明属于金属涂层制备技术领域，公开了一种镶嵌结构界面α‑Cr2O3涂层及其制备方法。所述制备方法为：以Cr作沉积靶材，通过磁控溅射系统在工件基体表面沉积Cr过渡层，然后在500～600℃热氧化处理，在Cr过渡层表面形成α‑Cr2O3镶嵌结构界面层，再重新放入磁控溅射系统中，在脉冲频率为600～2000Hz、占空比为1.5～5％、氧分压为7～15％的Ar+O2混合气体条件下用高功率脉冲反应磁控溅射法沉积出α‑Cr2O3涂层。本发明所得镶嵌结构界面α‑Cr2O3涂层方法沉积工艺稳定，不存在靶中毒问题，所沉积的涂层与基体结合牢固，具有稳定的α相结构。

公开(公告)号：CN106967947A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201710254049.3

申请日：2017-04-18

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 邱万奇 ,  甄永辉 ,  王书林 ,  刘仲武 ,  钟喜春 ,  焦东玲

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

CPC classification number: C23C14/0036 ,  C23C14/083 ,  C23C14/14 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5853

Abstract: 本发明属于金属涂层制备技术领域，公开了一种镶嵌结构界面α‑Cr2O3涂层及其制备方法。所述制备方法为：以Cr作沉积靶材，通过磁控溅射系统在工件基体表面沉积Cr过渡层，然后在500～600℃热氧化处理，在Cr过渡层表面形成α‑Cr2O3镶嵌结构界面层，再重新放入磁控溅射系统中，在脉冲频率为600～2000Hz、占空比为1.5～5％、氧分压为7～15％的Ar+O2混合气体条件下用高功率脉冲反应磁控溅射法沉积出α‑Cr2O3涂层。本发明所得镶嵌结构界面α‑Cr2O3涂层方法沉积工艺稳定，不存在靶中毒问题，所沉积的涂层与基体结合牢固，具有稳定的α相结构。