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公开(公告)号：CN106967947B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201710254049.3
申请日：2017-04-18
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于金属涂层制备技术领域，公开了一种镶嵌结构界面α‑Cr2O3涂层及其制备方法。所述制备方法为：以Cr作沉积靶材，通过磁控溅射系统在工件基体表面沉积Cr过渡层，然后在500～600℃热氧化处理，在Cr过渡层表面形成α‑Cr2O3镶嵌结构界面层，再重新放入磁控溅射系统中，在脉冲频率为600～2000Hz、占空比为1.5～5％、氧分压为7～15％的Ar+O2混合气体条件下用高功率脉冲反应磁控溅射法沉积出α‑Cr2O3涂层。本发明所得镶嵌结构界面α‑Cr2O3涂层方法沉积工艺稳定，不存在靶中毒问题，所沉积的涂层与基体结合牢固，具有稳定的α相结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108411262B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201810178616.6
申请日：2018-03-05
Abstract: 本发明属于金属氧化物涂层技术领域，公开了一种低温反应溅射沉积纳米α‑Al2O3涂层的方法。将Al粉及α‑Al2O3粉用粉末冶金的方法制成复合材料，切割成设备所需的尺寸后作为沉积靶材和工件基体分别安装在射频磁控溅射的靶工位和沉积腔室样品台上，排除沉积腔室残留的水蒸汽后抽至本底真空，然后注入Ar+O2混合气体进行预氧化处理；调整Ar+O2混合气中的O2分压至15％～25％范围，并调整工件基体温度至550～750℃范围，启动射频磁控溅射镀膜系统，开始反应沉积得到所述纳米α‑Al2O3涂层。本发明所得涂层为纳米晶结构涂层，韧性好，与基体结合牢固，涂层在相对较低的温度下具有稳定的α相结构。
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公开(公告)号：CN106939404A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201710102323.5
申请日：2017-02-24
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: C23C14/083 , C23C14/0036 , C23C14/081
Abstract: 本发明属于金属涂层技术领域，公开了一种纳米α‑氧化铝/氧化铬复合涂层及其制备方法。所述制备方法为：用AlCr合金作沉积靶材和工件基体分别安装在高功率脉冲磁控溅射的靶工位和沉积室样品台，排除真空室残存的水蒸汽后抽至本底真空，加热工件基体至所需温度，然后注入Ar+O2混合气体进行预氧化处理；调整Ar+O2混合气中的O2分压至6％～15％范围，并调整工件基体温度至480～700℃范围，启动高功率脉冲磁控溅射镀膜系统，开始反应沉积得到所述纳米α‑氧化铝/氧化铬复合涂层。本发明所得涂层为纳米晶结构涂层，韧性好，与基体结合牢固，涂层具有稳定的α相结构。
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公开(公告)号：CN106939404B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201710102323.5
申请日：2017-02-24
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于金属涂层技术领域，公开了一种纳米α‑氧化铝/氧化铬复合涂层及其制备方法。所述制备方法为：用AlCr合金作沉积靶材和工件基体分别安装在高功率脉冲磁控溅射的靶工位和沉积室样品台，排除真空室残存的水蒸汽后抽至本底真空，加热工件基体至所需温度，然后注入Ar+O2混合气体进行预氧化处理；调整Ar+O2混合气中的O2分压至6％～15％范围，并调整工件基体温度至480～700℃范围，启动高功率脉冲磁控溅射镀膜系统，开始反应沉积得到所述纳米α‑氧化铝/氧化铬复合涂层。本发明所得涂层为纳米晶结构涂层，韧性好，与基体结合牢固，涂层具有稳定的α相结构。
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公开(公告)号：CN108411262A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810178616.6
申请日：2018-03-05
Abstract: 本发明属于金属氧化物涂层技术领域，公开了一种低温反应溅射沉积纳米α-Al2O3涂层的方法。将Al粉及α-Al2O3粉用粉末冶金的方法制成复合材料，切割成设备所需的尺寸后作为沉积靶材和工件基体分别安装在射频磁控溅射的靶工位和沉积腔室样品台上，排除沉积腔室残留的水蒸汽后抽至本底真空，然后注入Ar+O2混合气体进行预氧化处理；调整Ar+O2混合气中的O2分压至15％～25％范围，并调整工件基体温度至550～750℃范围，启动射频磁控溅射镀膜系统，开始反应沉积得到所述纳米α-Al2O3涂层。本发明所得涂层为纳米晶结构涂层，韧性好，与基体结合牢固，涂层在相对较低的温度下具有稳定的α相结构。
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公开(公告)号：CN106967947A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201710254049.3
申请日：2017-04-18
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: C23C14/0036 , C23C14/083 , C23C14/14 , C23C14/35 , C23C14/5853
Abstract: 本发明属于金属涂层制备技术领域，公开了一种镶嵌结构界面α‑Cr2O3涂层及其制备方法。所述制备方法为：以Cr作沉积靶材，通过磁控溅射系统在工件基体表面沉积Cr过渡层，然后在500～600℃热氧化处理，在Cr过渡层表面形成α‑Cr2O3镶嵌结构界面层，再重新放入磁控溅射系统中，在脉冲频率为600～2000Hz、占空比为1.5～5％、氧分压为7～15％的Ar+O2混合气体条件下用高功率脉冲反应磁控溅射法沉积出α‑Cr2O3涂层。本发明所得镶嵌结构界面α‑Cr2O3涂层方法沉积工艺稳定，不存在靶中毒问题，所沉积的涂层与基体结合牢固，具有稳定的α相结构。
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