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公开(公告)号:CN116994997A
公开(公告)日:2023-11-03
申请号:CN202311013788.5
申请日:2023-08-11
Applicant: 北京石墨烯研究院有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 本发明涉及二维材料制备技术领域,公开一种二维材料转移装置及其转移方法。该二维材料转移装置包括承载单元、滚压单元和承载膜料带夹持运动单元,承载单元上设置有能够承载生长基材或者目标基材的承载位;滚压单元包括可沿竖直方向升降的滚压滚筒,承载膜料带能从承载单元和滚压滚筒之间通过,承载单元和滚压单元能相对运动,从而实现二维材料在生长基材和承载膜料带之间以及承载膜料带和目标基材之间的转移;承载膜料带夹持运动单元能夹持承载膜料带并带动其移动,以从生长基材上撕除承载膜料带或者将承载膜料带上的二维材料移动至目标基材上。所述二维材料转移装置可以实现二维材料的自动化转移,转移效率较高,重复性好,且能实现量产。
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公开(公告)号:CN116200732A
公开(公告)日:2023-06-02
申请号:CN202310215853.6
申请日:2023-03-06
Applicant: 北京石墨烯研究院有限公司
Abstract: 本申请提供一种开放式卷对卷化学气相沉积系统,包括反应装置、反应气体装置、至少四个抽气装置、至少两个保护气体装置、至少一个左狭缝法兰、至少一个右狭缝法兰、放卷装置以及收卷装置。反应装置包括反应腔室,反应气体装置、至少四个抽气装置和至少两个保护气体装置均与反应腔室连通,左狭缝法兰设置与反应腔室的左侧,右狭缝法兰设置于反应腔室的右侧。本申请的开放式卷对卷化学气相沉积系统,反应腔室内的压力小于1000Pa,可以实现在不开启反应腔室的情况下更换卷材,并可以实时对产品进行在线或者离线监测。
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公开(公告)号:CN119640236A
公开(公告)日:2025-03-18
申请号:CN202411893069.1
申请日:2024-12-20
Applicant: 北京石墨烯研究院 , 北京石墨烯研究院有限公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/26 , C23C16/54
Abstract: 本发明涉及一种用于气相沉积生长石墨烯晶圆的载具、上料机构及气相沉积装置,其中,载具包括:至少两组承载单元,所述承载单元沿碳源气体的气流方向依次排列;限位组件,位于所述承载单元上,用于实现晶圆的限位,所述限位组件被配置为使得晶圆所处平面与碳源气体的气流方向平行,同时使得相邻两组所述承载单元上的晶圆在与晶圆平面垂直的方向上呈错位排列。本发明有利于气流场及温度场均匀性,能够实现批量化、均匀性制备。
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公开(公告)号:CN119351993A
公开(公告)日:2025-01-24
申请号:CN202411463808.3
申请日:2024-10-18
Applicant: 北京石墨烯研究院 , 苏州大学 , 北京大学 , 北京石墨烯研究院有限公司
Abstract: 本公开涉及化学气相沉积制备技术领域,尤其是涉及一种加热装置、CVD设备及方法。加热装置包括线圈组件、石墨盘和导热垫片,线圈组件包括线圈和供电装置,线圈用于设置在CVD设备的腔室的周向外表面,供电装置用于向线圈供电,以使腔室内产生磁场;石墨盘用于安装于腔室内,石墨盘能够产生热量;导热垫片位于石墨盘上,与石墨盘同轴设置,导热垫片的直径小于石墨盘的直径;导热垫片用于承托晶圆,晶圆的直径大于导热垫片的直径,晶圆包括第一区域和第二区域,第一区域能够与导热垫片直接接触,第二区域与石墨盘之间间隙设置。通过热传导和热辐射相结合的加热方式,提高了晶圆温度分布的均匀性,有利于提高二维材料薄膜的均匀性和质量。
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公开(公告)号:CN119956335A
公开(公告)日:2025-05-09
申请号:CN202410382521.1
申请日:2024-03-29
Applicant: 苏州大学 , 北京石墨烯研究院 , 北京大学 , 北京石墨烯研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种批量化制备大尺寸高质量石墨烯晶圆的装置及方法。该装置包括石英管、加热组件、晶圆载具,加热组件采用中频线圈与石墨筒发热体配合,石墨筒发热体位于石英管内部,中频线圈位于石英管外部,与石墨筒发热体平齐,用于感应加热石墨筒发热体;晶圆载具上设置有若干限位部件,用于限定多片所述晶圆的位置。
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公开(公告)号:CN221829107U
公开(公告)日:2024-10-11
申请号:CN202420343759.9
申请日:2024-02-23
Applicant: 北京石墨烯研究院有限公司
Abstract: 本实用新型属于加热器技术领域,公开了一种加热器。加热器包括保温件和加热组件,保温件开设容置腔,加热组件位于容置腔内,加热组件串联接入电路中,靠近容置腔内壁的部分加热组件的电阻阻值大于位于容置腔中部的部分加热组件的电阻阻值。基于上述设置,散热慢的位置也即位于容置腔中部的部分加热组件的阻值小,产生的热量少;散热快的位置也即靠近容置腔内壁的部分加热组件的阻值大,产生的热量多,多产生的热量与保温件的散失热量平衡,与散热慢的位置的热量趋于接近,进而使得容置腔内的温度场趋于一致,所以上述设置提高了加热器加热目标物体或空间的温度均匀性,且结构简单。
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公开(公告)号:CN220569643U
公开(公告)日:2024-03-08
申请号:CN202322168732.9
申请日:2023-08-11
Applicant: 北京石墨烯研究院有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 本实用新型涉及二维材料制备技术领域,公开一种二维材料转移装置。该二维材料转移装置包括承载单元、滚压单元和承载膜料带夹持运动单元,承载单元上设置有能够承载生长基材或者目标基材的承载位;滚压单元包括可沿竖直方向升降的滚压滚筒,承载膜料带能从承载单元和滚压滚筒之间通过,承载单元和滚压单元能相对运动,从而实现二维材料在生长基材和承载膜料带之间以及承载膜料带和目标基材之间的转移;承载膜料带夹持运动单元能夹持承载膜料带并带动其移动,以从生长基材上撕除承载膜料带或者将承载膜料带上的二维材料移动至目标基材上。所述二维材料转移装置可以实现二维材料的自动化转移,转移效率较高,重复性好,且能实现量产。
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公开(公告)号:CN221872148U
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202420241914.6
申请日:2024-01-31
Applicant: 北京石墨烯研究院有限公司
Abstract: 本实用新型属于切割设备技术领域,公开了一种切膜装置以及切膜设备。切膜装置用于将贴附工件的贴附部从膜材上切割分离,切膜装置包括支座、切割模块以及固定模块,固定模块设置于支座上,固定模块包括承压件以及吸附件,吸附件用于吸附工件,以固定工件位置;切割模块设置于支座上,切割模块包括切割组件以及抵压组件,抵压组件被配置为贴附部贴附于工件上时将贴附部周侧的膜材抵压于承压件,切割组件用于将贴附部从膜材上切割分离。本切膜装置能够保证膜材在原位不滑动、不变形、进而降低膜材的破损率,从而提高工件的成品质量。
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公开(公告)号:CN220977132U
公开(公告)日:2024-05-17
申请号:CN202322965901.1
申请日:2023-11-02
Applicant: 北京石墨烯研究院 , 北京石墨烯研究院有限公司
IPC: C23C16/26 , C01B32/186 , B82Y40/00 , C23C16/458
Abstract: 本实用新型提供一种石墨烯制备载具及石墨烯制备装置,涉及石墨烯生产制备技术领域。用于放置在石墨烯生长设备的反应腔室内的石墨烯制备载具包括支架、旋转杆、滑杆和多片生长衬底,旋转杆连接于支架;滑杆设置于支架,滑杆和旋转杆垂直设置;多片生长衬底设置于支架内并套设于滑杆的外部,生长衬底设置于旋转杆的同侧。其中,旋转杆被配置为带动支架相对于反应腔室转动,使多片生长衬底沿滑杆的轴向方向滑动,用于相邻两片生长衬底相互接触并压合。生长衬底在石墨烯薄膜生长和压合过程中无需从滑杆上拆卸或移除,辅助实现石墨烯高温生长、石墨烯和生长衬底复合一体化,提高石墨烯和生长衬底界面洁净度。
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公开(公告)号:CN220740881U
公开(公告)日:2024-04-09
申请号:CN202322477868.8
申请日:2023-09-12
Applicant: 北京石墨烯研究院有限公司
IPC: B25B11/00
Abstract: 本实用新型属于夹具技术领域,公开了夹紧装置。该夹紧装置通过吸盘和压板的组合,确保了产品的稳定固定,通过吸盘将产品未设有胶黏层的一侧吸附在吸盘上,有效防止了产品在运送到位时,压板抬起的过程中,压板与胶黏层粘接造成产品褶皱或产品过度拉扯而散乱的问题,使得产品夹紧和释放过程更加快速和可靠,从而提高了生产效率。
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