公开(公告)号：CN120024891A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510192124.2

申请日：2025-02-20

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 王业亮 ,  韩旭 ,  黄元 ,  戴贇贇 ,  郭子浩 ,  余钦泽 ,  曹雄柏

IPC: C01B32/194 ,  G02F1/35 ,  C01B32/19 ,  C01B32/186

Abstract: 本申请实施例提出一种增强石墨烯二次谐波的方法，包括以下步骤：将石墨烯薄层形成在具有电极结构和沟槽结构的衬底上；和在所述衬底和与所述石墨烯薄层接触的电极结构之间施加偏置电压，以增强位于所述沟槽结构区域处的所述悬空边缘的石墨烯薄层的二次谐波。本申请实施例提供的增强石墨烯二次谐波的方法，通过电场控制悬空边缘石墨烯的应变，能够高效且显著地提升石墨烯的二次谐波的强度。本申请实施例还提供一种石墨烯结构。

公开(公告)号：CN120039873A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510139648.5

申请日：2025-02-08

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 张钰 ,  贾亮广 ,  王业亮 ,  张璨 ,  张腾 ,  周福迪 ,  余钦泽

IPC: C01B32/194 ,  C30B23/02 ,  C30B29/46 ,  C01B32/188 ,  H01F1/00 ,  H01F41/00

Abstract: 本申请实施例提供一种二维材料的磁性调控方法，包括以下步骤：将所述二维材料形成在基底上，并使得所述二维材料具有局域磁性；和通过对形成在所述基底上的二维材料进行后退火处理，控制所述二维材料的原子空位缺陷，以调控所述二维材料的局域磁性。本申请实施例提供的二维材料的磁性调控方法，通过后退火的方式控制二维材料的原子空位缺陷，从而实现二维材料的原子级精度的磁性调控。