一种p型CuxSy半导体纳米晶、制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN102774871B

    公开(公告)日:2014-10-29

    申请号:CN201210252126.9

    申请日:2012-07-19

    CPC classification number: Y02E10/549 Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种p型CuxSy半导体纳米晶、制备方法及其应用,属于纳米材料制备和应用领域。所述纳米晶CuxSy的x/y=1.8,形状为球形,粒径为6~12nm;所述方法包括制备铜源、制备硫源、将铜源注入到硫源中加热反应得到胶体溶液,通过清洗和离心沉降得到所述纳米晶;所述纳米晶的晶相单一、分散性良好、尺寸和形貌可控,在整个近红外光区都有较强的吸收,吸收峰在1100-1500nm;且具有良好的导电性,较高的载流子迁移率、良好耐高温性和稳定性。所述方法产率高,可进行大规模的生产。将所述纳米晶应用于薄膜太阳能电池器件中的空穴传输层,可以显著提高空穴传输层的传输能力。

    一种p型CuxSy半导体纳米晶、制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN102774871A

    公开(公告)日:2012-11-14

    申请号:CN201210252126.9

    申请日:2012-07-19

    CPC classification number: Y02E10/549 Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种p型CuxSy半导体纳米晶、制备方法及其应用,属于纳米材料制备和应用领域。所述纳米晶CuxSy的x/y=1.8,形状为球形,粒径为6~12nm;所述方法包括制备铜源、制备硫源、将铜源注入到硫源中加热反应得到胶体溶液,通过清洗和离心沉降得到所述纳米晶;所述纳米晶的晶相单一、分散性良好、尺寸和形貌可控,在整个近红外光区都有较强的吸收,吸收峰在1100-1500nm;且具有良好的导电性,较高的载流子迁移率、良好耐高温性和稳定性。所述方法产率高,可进行大规模的生产。将所述纳米晶应用于薄膜太阳能电池器件中的空穴传输层,可以显著提高空穴传输层的传输能力。

    发光材料及其制备方法、纳米片膜材、背光源和显示装置

    公开(公告)号:CN107722962B

    公开(公告)日:2019-09-17

    申请号:CN201610665824.X

    申请日:2016-08-12

    Inventor: 钟海政 刘立格

    Abstract: 本发明提供一种钙钛矿纳米片发光材料的制备方法,包括:制备反应前驱体溶液,所述反应前驱体溶液包括甲胺卤盐溶液和无机金属卤化物溶液,其中,所述甲胺卤盐溶液的摩尔浓度在0.5mol/L至其饱和浓度之间;分别将甲胺卤盐溶液和无机金属卤化物溶液添加至乳液溶剂中,获得前驱体乳液,在所述前驱体乳液中,所述无机金属卤化物与所述甲胺卤盐的摩尔比为1:(0.6‑0.8);破乳获得钙钛矿量子点材料;控制所述钙钛矿量子点材料自组装,以获得所述钙钛矿纳米片发光材料。本发明还提供一种钙钛矿纳米片发光材料、一种钙钛矿纳米片膜材、一种背光源和一种显示装置。利用所述钙钛矿纳米片发光材料制成的背光源可以发出具有颜色的偏振光,从而可以简化显示装置的结构。

Patent Agency Ranking