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公开(公告)号:CN120039873A
公开(公告)日:2025-05-27
申请号:CN202510139648.5
申请日:2025-02-08
Applicant: 北京理工大学
IPC: C01B32/194 , C30B23/02 , C30B29/46 , C01B32/188 , H01F1/00 , H01F41/00
Abstract: 本申请实施例提供一种二维材料的磁性调控方法,包括以下步骤:将所述二维材料形成在基底上,并使得所述二维材料具有局域磁性;和通过对形成在所述基底上的二维材料进行后退火处理,控制所述二维材料的原子空位缺陷,以调控所述二维材料的局域磁性。本申请实施例提供的二维材料的磁性调控方法,通过后退火的方式控制二维材料的原子空位缺陷,从而实现二维材料的原子级精度的磁性调控。