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公开(公告)号：CN109950157A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201711398837.6
申请日：2017-12-21
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L27/12 , G01N27/327
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米片堆叠结构的生化传感器及其制作方法。该生化传感器包括：SOI衬底、通过选择性刻蚀由牺牲层/敏感材料层构成的多堆叠层而形成的具有敏感材料的多层悬空堆叠结构、形成在多层悬空堆叠结构上的阳电极和阴电极、附着在多层悬空堆叠结构表面的以活性基团结尾的活性薄膜；生化传感器工作时，阳电极、阴电极分别与可调电压源的正极以及电流表的负极相连，可调电压源的负极与电流表的正极相连。其制作方法包括：清洗硅片；生长牺牲层/敏感材料层的多堆叠层；图形化多堆叠层；制作电极；选择性刻蚀多堆叠层中的牺牲层部分；活性试剂修饰。本发明的生化传感器成本低、灵敏度和精度高；本发明能够高效、低成本地批量制造生化传感器。
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公开(公告)号：CN105780068B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201410782121.6
申请日：2014-12-16
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了一种单脉冲电沉积Ni‑Fe合金磁性镀层的方法，在含有镍离子和铁离子的电镀液中，以可溶性镍铁合金为阳极，以经表面处理的铝合金为阴极，采用单脉冲电沉积法制备Ni‑Fe合金镀层；其中，电沉积时间为1‑4h，脉冲电流密度为3A/dm2，占空比分别为0.2、0.3、0.4或1，周期为1ms。该方法制得的Ni‑Fe合金镀层表面光洁，结构紧密，结晶细致、均匀，平整性好，无裂纹，得到Fe含量稳定的Ni‑Fe合金镀层，通过调整脉冲电镀参数，得到具有磁性能较好的磁性镀层，并在静磁场中具有一定的磁屏蔽效能。
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公开(公告)号：CN104681273A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310625982.9
申请日：2013-11-28
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: H01G4/005
Abstract: 一种新型高压陶瓷电容器电极及其制备方法，该电极包括采用丝网印刷技术印刷在玻璃陶瓷片上下表面的活性焊料层和采用丝网印刷技术印刷在该活性焊料层表面的银浆层，由双面印刷有活性焊料和银浆的玻璃陶瓷片在空气气氛下烧结而成。该电极采用以下方法制得：采用丝网印刷技术在玻璃陶瓷片上下表面印刷活性焊料层，烘干后采用丝网印刷技术在该活性焊料层表面印刷银浆层，将双面印刷有活性焊料和银浆的玻璃陶瓷片在空气气氛下进行烧结形成致密无孔隙且导电性良好的电极。本发明可避免常规银浆电极-陶瓷界面孔隙带来的电场集中效应，提高高压陶瓷电容器直流电压击穿强度。本发明采用银浆保护焊料技术，制备得到致密无孔隙金属电极，工艺简单。
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公开(公告)号：CN104671665A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310625971.0
申请日：2013-11-28
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C03C10/02
Abstract: 一种低介电损耗的无铅玻璃陶瓷及其制备方法，该玻璃陶瓷的成分组成为：aBaO-bSrO-cNb2O5-dZnO-xSiO2-yB2O3-zREO，其中，a、b、c、d、x、y、z为摩尔比表示成分之间的摩尔比，REO表示稀土氧化物；且满足：0≤a≤10.35，9.97≤b≤20.70，20.19≤c≤20.70，14.80≤d≤15.50，14.56≤x≤15.00，27.51≤y≤28.10，0≤z≤3.00。其制备方法为：根据所述玻璃陶瓷的成分组成选择原料，按比例混合，高温熔融；将熔融均匀的玻璃液体快速倒入预热的金属模具中，冷却成型，去应力退火；将得到的玻璃片进行可控结晶处理即可。本发明的玻璃陶瓷实现了无铅元素、环境友好，其交流击穿场强可达到18kV／mm以上，介电常数在60～90之间。本发明的玻璃陶瓷的介电损耗可降低至0.02％，介电常数的频率稳定性好，适合作为高压电容器介质。
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公开(公告)号：CN102751437B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201210228883.2
申请日：2012-07-03
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了一种免电激活的阻变存储器及其制备方法，属于半导体非易失性存储器技术领域。本发明的免电激活的阻变存储器，包括底电极、顶电极以及位于所述底电极和顶电极之间的阻变功能层材料，阻变功能层材料由一层稀土氧化物薄膜和一层过渡金属氧化物薄膜构成。本发明采用稀土氧化物薄膜和过渡金属氧化物薄膜双层薄膜作为阻变功能层，利用活性金属形成的原生氧化层以及稀土氧化物免激活特性，通过沉积过程中缺陷调控技术，获得了具有稳定电阻转变特性的免电激活的阻变存储器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102456725B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201010529363.6
申请日：2010-10-28
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: H01L29/51 , H01L21/28 , H01L21/285 , C23C14/28 , C23C14/08
Abstract: 本发明涉及一种单晶高K栅介质材料及其制备方法。本发明的单晶高K栅介质材料由单晶P型Si基片和在它上面沉积的氧化铪的单晶薄膜组成。本发明采用传统的陶瓷烧结技术制备高纯度的氧化铪靶材，以单晶P型Si片作为基片，在基片上使用激光脉冲沉积的方法形成氧化铪的单晶薄膜，通过改变激光烧蚀的能量、脉冲频率来调节薄膜的晶态。本发明制备的立方相氧化铪高K栅介质薄膜为单晶薄膜；并且具有较高的介电常数和非常小的漏电流密度，适于做高K栅介质使用。
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公开(公告)号：CN103165665A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110408536.3
申请日：2011-12-09
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: H01L29/51 , H01L21/285
Abstract: 本发明提供一种非晶高k栅介质堆栈及其制备方法。该栅介质堆栈包括单晶硅基片、采用磁控共溅射法在该单晶硅基片上沉积的非晶CeO2-HfO2薄膜、以及采用磁控溅射法或热蒸发沉积法沉积的金属栅电极。本发明采用特定的陶瓷烧结技术制备高纯度的氧化铪(氧化铈)靶材，以单晶硅基片作为衬底材料，在基片上使用磁控共溅射的方法形成非晶CeO2-HfO2薄膜。该栅介质堆栈中的非晶CeO2-HfO2薄膜具有较高的介电常数、较小的漏电流密度。该制备方法简单，重复性好，所制备的陶瓷薄膜适合高k栅介质材料使用。
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公开(公告)号：CN102568818A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010613018.0
申请日：2010-12-20
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了属于功能材料技术领域的一种玻璃陶瓷叠层电容器的内电极及其制备方法，该内电极结构包括叠层的玻璃陶瓷电介质层和银浆电极层，且在每个相邻的玻璃陶瓷电介质层和银浆电极层之间设有内电极过渡层。其制备流程为：首先在玻璃陶瓷电介质单片的两面均镀上一层金属膜作为内电极过渡层；然后在镀金属膜层表面涂敷低温银浆电极，再进行多层叠片处理，然后烧结即可。本发明找到了可以在低温下烧结的玻璃陶瓷叠层电容器用内电极结构及其制备方法，使得烧结温度下降了超过300℃，而且保持了玻璃陶瓷电介质材料的本身电性能，介电常数保持在176左右，直流击穿场强提高到～33kV/mm。非常适合制作耐高压的多层陶瓷电容器用内电极。
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公开(公告)号：CN101658968B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200910093251.8
申请日：2009-09-23
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了属于用于射频能量衰减等技术领域的一种镍锌铁氧体与无氧铜基板的焊接方法。首先将镍锌铁氧体在空气中进行烧渗银层使其金属化，形成10-20μm厚的过渡层，然后使用Sn-Ag合金焊料将镍锌铁氧体与无氧铜在真空下进行焊接，焊接温度为300-380℃。本发明的镍锌铁氧体与无氧铜基板的焊接方法避免了由于钎焊温度过高引起的铁氧体断裂以及铁氧体性能的恶化，从而解决了镍锌基铁氧体吸收器在制备中遇到的问题。此低温焊接方法可以扩展到其它铁氧体与无氧铜或不锈钢的焊接应用中，使其得到更为广泛的应用价值。
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公开(公告)号：CN101684545B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200810222930.6
申请日：2008-09-23
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了属于硅纳米材料制备技术领域的一种脉冲激光沉积制备纳米硅的方法。首先清洗并固定弧面硅靶和衬底，抽真空后通入惰性缓冲气体，调节衬底温度，采用KrF准分子激光器对硅靶进行烧蚀，激光烧蚀过程完成后，排出真空腔中的残余气体，通入惰性气体至常压，在衬底上收集硅纳米颗粒，取出并放置在惰性气体密封箱中存放。通过选择合适的硅靶形状、沉积距离、缓冲气体压力和衬底温度来调整纳米硅的尺寸和分散性。采用本发明可以直接在半导体单晶上获得尺寸可控、分散均匀的高面密度硅纳米颗粒，能够直接应用于光电器件的组装，显著增加了硅纳米颗粒的应用前景。另外，采用本发明制备的小于10nm的硅纳米颗粒具有很好的光致发光特征。
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