基于纳米片堆叠结构的生化传感器及其制作方法

    公开(公告)号:CN109950157A

    公开(公告)日:2019-06-28

    申请号:CN201711398837.6

    申请日:2017-12-21

    Abstract: 本发明公开了一种基于纳米片堆叠结构的生化传感器及其制作方法。该生化传感器包括:SOI衬底、通过选择性刻蚀由牺牲层/敏感材料层构成的多堆叠层而形成的具有敏感材料的多层悬空堆叠结构、形成在多层悬空堆叠结构上的阳电极和阴电极、附着在多层悬空堆叠结构表面的以活性基团结尾的活性薄膜;生化传感器工作时,阳电极、阴电极分别与可调电压源的正极以及电流表的负极相连,可调电压源的负极与电流表的正极相连。其制作方法包括:清洗硅片;生长牺牲层/敏感材料层的多堆叠层;图形化多堆叠层;制作电极;选择性刻蚀多堆叠层中的牺牲层部分;活性试剂修饰。本发明的生化传感器成本低、灵敏度和精度高;本发明能够高效、低成本地批量制造生化传感器。

    基于纳米片堆叠结构的生化传感器

    公开(公告)号:CN207587696U

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201721808605.9

    申请日:2017-12-21

    Abstract: 本实用新型公开了一种基于纳米片堆叠结构的生化传感器。该生化传感器包括:SOI衬底、通过选择性刻蚀由牺牲层/敏感材料层构成的多堆叠层而形成的具有敏感材料的多层悬空堆叠结构、形成在多层悬空堆叠结构上的阳电极和阴电极、附着在多层悬空堆叠结构表面的以活性基团结尾的活性薄膜;生化传感器工作时,阳电极、阴电极分别与可调电压源的正极以及电流表的负极相连,可调电压源的负极与电流表的正极相连。本实用新型的生化传感器成本低、灵敏度和精度高;本实用新型能够高效、低成本地批量制造生化传感器。

Patent Agency Ranking