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公开(公告)号：CN103848573B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201210519413.1
申请日：2012-12-06
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种高储能密度高温度稳定性介电玻璃陶瓷复合材料及其制备方法，该介电玻璃陶瓷复合材料所含的化学组分为a PbO?b BaO?c Na2O?d Nb2O5?e SiO2?fR2O3，其中a、b、c、d、e、f表示各组分之间的摩尔比例，分别为0≤a≤7.1，6.2≤b≤17.1，15.5≤c≤17.1，29.7≤d≤34.3，31≤e≤38.5，0≤f≤3，R为La、Ce、Pr、Sm和Lu中的一种。该介电玻璃陶瓷复合材料通过高温熔融与可控结晶的方法制得：首先将球磨后的精细粉末采用熔融加快速冷却的方法制得透明玻璃薄片，然后经过可控结晶技术制备出玻璃陶瓷片，最后成形加工与制备金属电极得到介电玻璃陶瓷平板电容器。本发明所制备的介电玻璃陶瓷由纳米尺度高介电常数铁电铌酸盐相与无孔致密高击穿强度的非晶玻璃相构成，兼具高储能密度与高温度稳定性的优点，用于制造高压高储能电容器。
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公开(公告)号：CN105800937A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201410836882.5
申请日：2014-12-29
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C03C10/02
Abstract: 本发明公开了一种降低铌酸盐基玻璃陶瓷高压电容器器件介电损耗的方法，在玻璃陶瓷的原料中添加氧化铝，所添加的氧化铝与二氧化硅的摩尔比为0.1％-5％。铌酸盐基玻璃陶瓷的成分组成为：xPbO-ySrO-zNb2O5-wNa2O-vSiO2，其中的x、y、z、w、v表示各成分的摩尔数，且5≤x≤7，9≤y≤11，30≤z≤33，15≤w≤18，25≤v≤35。本发明通过添加氧化铝来改善玻璃相性能，在不改变原有制备工艺条件下提高了玻璃相绝缘电阻，降低了玻璃相的电导损耗，宏观上降低了铌酸盐基玻璃陶瓷高压电容器的介电损耗。
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公开(公告)号：CN103848571A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210519441.3
申请日：2012-12-06
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C03C8/14
Abstract: 一种提高玻璃陶瓷电容器交流电压击穿强度的半导体玻璃釉及其制备方法，该半导体玻璃釉包括具有非线性电阻特性陶瓷粉、低熔点玻璃粉及乙基纤维素，具有非线性电阻特性陶瓷粉由以下重量百分含量的原料经烧结、研磨、过筛制得：94％～96％ZnO粉、2％～3.0％MnO2粉、1％～1.5％Cr2O3粉、1％～1.5％Bi2O3粉；具有非线性电阻特性陶瓷粉与低熔点玻璃粉的重量比为100∶(75～125)；乙基纤维素的含量为陶瓷粉与低熔点玻璃粉总重量的30％。其制备方法为：将陶瓷粉与过400目筛的低熔点玻璃粉按比例混合均匀；然后向得到的混合粉末中加入乙基纤维素，然后混合均匀。将该玻璃釉涂覆于留边型玻璃陶瓷高压电容器电极边缘对电极边缘进行保护，可明显提高玻璃陶瓷高压电容器交流电压击穿强度。
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公开(公告)号：CN104681273A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310625982.9
申请日：2013-11-28
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: H01G4/005
Abstract: 一种新型高压陶瓷电容器电极及其制备方法，该电极包括采用丝网印刷技术印刷在玻璃陶瓷片上下表面的活性焊料层和采用丝网印刷技术印刷在该活性焊料层表面的银浆层，由双面印刷有活性焊料和银浆的玻璃陶瓷片在空气气氛下烧结而成。该电极采用以下方法制得：采用丝网印刷技术在玻璃陶瓷片上下表面印刷活性焊料层，烘干后采用丝网印刷技术在该活性焊料层表面印刷银浆层，将双面印刷有活性焊料和银浆的玻璃陶瓷片在空气气氛下进行烧结形成致密无孔隙且导电性良好的电极。本发明可避免常规银浆电极-陶瓷界面孔隙带来的电场集中效应，提高高压陶瓷电容器直流电压击穿强度。本发明采用银浆保护焊料技术，制备得到致密无孔隙金属电极，工艺简单。
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公开(公告)号：CN106783811A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611243215.1
申请日：2016-12-29
Applicant: 北京有色金属研究总院
CPC classification number: Y02P40/57 , H01L28/40 , C03B32/02 , C03C10/0054 , C23C14/10 , C23C14/18 , C23C14/185 , C23C14/28 , C23C14/35 , H01L23/642
Abstract: 本发明公开了一种高储能密度玻璃陶瓷薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)选择原料，配料，研磨，混合，所述原料为PbO，SrCO3，Na2CO3，Nb2O5和SiO2；将所述原料加热熔融，在模具中成型为片状物；(2)将步骤(1)制备的片状物进行可控结晶热处理，得到以铌酸盐陶瓷相为主晶相的玻璃陶瓷片，通过机械加工得到圆片靶材；(3)清洗重掺硅衬底，去除重掺硅表面的氧化层，得到基片，将所述基片和步骤(2)得到的靶材分别进行沉积；(4)通过光刻工艺制备规则图案，使用磁控溅射在靶材表面镀金3min，形成顶电极，在基片底部镀铝15min，使铝与重掺硅基片形成欧姆接触作为底电极，形成MIM结构的电容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106783811B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201611243215.1
申请日：2016-12-29
Applicant: 北京有色金属研究总院
CPC classification number: Y02P40/57
Abstract: 本发明公开了一种高储能密度玻璃陶瓷薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)选择原料，配料，研磨，混合，所述原料为PbO，SrCO3，Na2CO3，Nb2O5和SiO2；将所述原料加热熔融，在模具中成型为片状物；(2)将步骤(1)制备的片状物进行可控结晶热处理，得到以铌酸盐陶瓷相为主晶相的玻璃陶瓷片，通过机械加工得到圆片靶材；(3)清洗重掺硅衬底，去除重掺硅表面的氧化层，得到基片，将所述基片和步骤(2)得到的靶材分别进行沉积；(4)通过光刻工艺制备规则图案，使用磁控溅射在靶材表面镀金3min，形成顶电极，在基片底部镀铝15min，使铝与重掺硅基片形成欧姆接触作为底电极，形成MIM结构的电容。
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公开(公告)号：CN105800937B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201410836882.5
申请日：2014-12-29
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C03C10/02
Abstract: 本发明公开了一种降低铌酸盐基玻璃陶瓷高压电容器器件介电损耗的方法，在玻璃陶瓷的原料中添加氧化铝，所添加的氧化铝与二氧化硅的摩尔比为0.1％‑5％。铌酸盐基玻璃陶瓷的成分组成为：xPbO‑ySrO‑zNb2O5‑wNa2O‑vSiO2，其中的x、y、z、w、v表示各成分的摩尔数，且5≤x≤7，9≤y≤11，30≤z≤33，15≤w≤18，25≤v≤35。本发明通过添加氧化铝来改善玻璃相性能，在不改变原有制备工艺条件下提高了玻璃相绝缘电阻，降低了玻璃相的电导损耗，宏观上降低了铌酸盐基玻璃陶瓷高压电容器的介电损耗。
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公开(公告)号：CN106816495A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201611183846.9
申请日：2016-12-20
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: H01L31/18 , H01L31/08 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/184 , H01L31/0224 , H01L31/08 , H01L31/1864
Abstract: 本发明涉及一种砷化镓光导开关的制备方法，包括以下步骤：(1)清洗砷化镓表面；(2)在砷化镓表面涂覆一层光刻胶；(3)加热固化光刻胶；(4)冷却后进行曝光，接着进行曝光后显影前的烘烤；(5)冷却后进行显影，剥离需要镀膜位置的光刻胶；(6)镀膜作为电极；(7)进行解胶处理，去掉掩膜位置的光刻胶；(8)用划片机划取所需尺寸的晶片；(9)清洗后在快速退火炉中进行去应力退火处理。本发明通过半导体光刻技术制备电极，减少电极边缘阴影和毛刺，缓解电场增强效应，在不改变原料和其它工艺条件下提高砷化镓光导开关工作耐压性能。通过快速退火工艺，提高电极与砷化镓结合力，消除异质界面缺陷，从而提高砷化镓光导开关的性能。
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公开(公告)号：CN103848571B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201210519441.3
申请日：2012-12-06
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C03C8/14
Abstract: 一种提高玻璃陶瓷电容器交流电压击穿强度的半导体玻璃釉及其制备方法，该半导体玻璃釉包括具有非线性电阻特性陶瓷粉、低熔点玻璃粉及乙基纤维素，具有非线性电阻特性陶瓷粉由以下重量百分含量的原料经烧结、研磨、过筛制得：94％～96％ZnO粉、2％～3.0％MnO2粉、1％～1.5％Cr2O3粉、1％～1.5％Bi2O3粉；具有非线性电阻特性陶瓷粉与低熔点玻璃粉的重量比为100∶(75～125)；乙基纤维素的含量为陶瓷粉与低熔点玻璃粉总重量的30％。其制备方法为：将陶瓷粉与过400目筛的低熔点玻璃粉按比例混合均匀；然后向得到的混合粉末中加入乙基纤维素，然后混合均匀。将该玻璃釉涂覆于留边型玻璃陶瓷高压电容器电极边缘对电极边缘进行保护，可明显提高玻璃陶瓷高压电容器交流电压击穿强度。
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公开(公告)号：CN103848573A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210519413.1
申请日：2012-12-06
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种高储能密度高温度稳定性介电玻璃陶瓷复合材料及其制备方法，该介电玻璃陶瓷复合材料所含的化学组分为a？PbO-b？BaO-c？Na2O-d？Nb2O5-e？SiO2-fR2O3，其中a、b、c、d、e、f表示各组分之间的摩尔比例，分别为0≤a≤7.1，6.2≤b≤17.1，15.5≤c≤17.1，29.7≤d≤34.3，31≤e≤38.5，0≤f≤3，R为La、Ce、Pr、Sm和Lu中的一种。该介电玻璃陶瓷复合材料通过高温熔融与可控结晶的方法制得：首先将球磨后的精细粉末采用熔融加快速冷却的方法制得透明玻璃薄片，然后经过可控结晶技术制备出玻璃陶瓷片，最后成形加工与制备金属电极得到介电玻璃陶瓷平板电容器。本发明所制备的介电玻璃陶瓷由纳米尺度高介电常数铁电铌酸盐相与无孔致密高击穿强度的非晶玻璃相构成，兼具高储能密度与高温度稳定性的优点，用于制造高压高储能电容器。
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