公开(公告)号：CN103848573B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201210519413.1

申请日：2012-12-06

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 杜军 ,  周毅 ,  张庆猛 ,  罗君 ,  唐群 ,  韩东方 ,  周昊

IPC: C03C10/02 ,  H01G4/08

Abstract: 一种高储能密度高温度稳定性介电玻璃陶瓷复合材料及其制备方法，该介电玻璃陶瓷复合材料所含的化学组分为a PbO?b BaO?c Na2O?d Nb2O5?e SiO2?fR2O3，其中a、b、c、d、e、f表示各组分之间的摩尔比例，分别为0≤a≤7.1，6.2≤b≤17.1，15.5≤c≤17.1，29.7≤d≤34.3，31≤e≤38.5，0≤f≤3，R为La、Ce、Pr、Sm和Lu中的一种。该介电玻璃陶瓷复合材料通过高温熔融与可控结晶的方法制得：首先将球磨后的精细粉末采用熔融加快速冷却的方法制得透明玻璃薄片，然后经过可控结晶技术制备出玻璃陶瓷片，最后成形加工与制备金属电极得到介电玻璃陶瓷平板电容器。本发明所制备的介电玻璃陶瓷由纳米尺度高介电常数铁电铌酸盐相与无孔致密高击穿强度的非晶玻璃相构成，兼具高储能密度与高温度稳定性的优点，用于制造高压高储能电容器。

公开(公告)号：CN103848571A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201210519441.3

申请日：2012-12-06

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 张庆猛 ,  唐群 ,  罗君 ,  韩东方 ,  周毅 ,  周昊 ,  杜军

IPC: C03C8/14

Abstract: 一种提高玻璃陶瓷电容器交流电压击穿强度的半导体玻璃釉及其制备方法，该半导体玻璃釉包括具有非线性电阻特性陶瓷粉、低熔点玻璃粉及乙基纤维素，具有非线性电阻特性陶瓷粉由以下重量百分含量的原料经烧结、研磨、过筛制得：94％～96％ZnO粉、2％～3.0％MnO2粉、1％～1.5％Cr2O3粉、1％～1.5％Bi2O3粉；具有非线性电阻特性陶瓷粉与低熔点玻璃粉的重量比为100∶(75～125)；乙基纤维素的含量为陶瓷粉与低熔点玻璃粉总重量的30％。其制备方法为：将陶瓷粉与过400目筛的低熔点玻璃粉按比例混合均匀；然后向得到的混合粉末中加入乙基纤维素，然后混合均匀。将该玻璃釉涂覆于留边型玻璃陶瓷高压电容器电极边缘对电极边缘进行保护，可明显提高玻璃陶瓷高压电容器交流电压击穿强度。

公开(公告)号：CN102054585A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200910236079.7

申请日：2009-10-27

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 杜军 ,  罗君 ,  王磊 ,  唐群 ,  朱君 ,  张庆猛 ,  章林文 ,  谢卫平 ,  李洪涛 ,  王勐

IPC: H01G4/00 ,  H01G4/005 ,  H01G4/08 ,  H01G4/224

Abstract: 本发明涉及一种微型高压电容器及其制备方法，电介质层由玻璃陶瓷材料构成，电极由内到外依次为金膜内电极、银浆过渡电极、In-Sn50合金薄片和紫铜片外电极端头，灌封材料为环氧树脂。本发明提供了一种直径Φ10～25mm，厚度1～2mm，标称电容量10pF～1nF，额定直流电压10～20kV，温度特性为X7R的微型高压电容器。该电容器的体积显著减小，电容器所采用的内外电极设计工艺，既可保证内电极的致密和连续性，又能减弱电极边缘效应，提高电容器的耐压强度，同时消除焊接过程造成片层介质材料脆性断裂的影响，为高压电容器的“小型化”、“薄片化”提供了一种新的设计思路和制备方法。

公开(公告)号：CN101659546A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200810118990.3

申请日：2008-08-27

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 杜军 ,  张庆猛 ,  王磊 ,  唐群 ,  罗君

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/47 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明涉及一种钛酸锶钡陶瓷电容器材料及其制备方法，其特征在于：其组成和配比为：80vol％～98vol％的Ba x Sr 1-x TiO 3 ，2vol％～20vol％的BaO-SiO 2 -B 2 O 3 系玻璃；所述Ba x Sr 1-x TiO 3 中的x取值范围为0.2～0.5；所述的BaO-SiO 2 -B 2 O 3 系玻璃中各成分的摩尔含量为BaO 48％～49％、SiO 2 20％～21％、B 2 O 3 26％～27％、SrO 1％～2％、ZrO 2 1％～2％、Al 2 O 3 0.5％～1％、MgO 0.1％～0.4％、Bi 2 O 3 0.1％～0.3％。本发明提供的钛酸锶钡陶瓷电容器材料及其制备方法可以使得钛酸锶钡的烧结温度降低250℃～400℃，保温时间降低到1个小时，晶粒细化至1～3微米，介电损耗保持在1×10 -3 左右，脉冲击穿场强提高到～40kV/mm，很好的满足了陶瓷电容器的要求。

公开(公告)号：CN104671665A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201310625971.0

申请日：2013-11-28

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 罗君 ,  杜军 ,  张庆猛 ,  唐群

IPC: C03C10/02

Abstract: 一种低介电损耗的无铅玻璃陶瓷及其制备方法，该玻璃陶瓷的成分组成为：aBaO-bSrO-cNb2O5-dZnO-xSiO2-yB2O3-zREO，其中，a、b、c、d、x、y、z为摩尔比表示成分之间的摩尔比，REO表示稀土氧化物；且满足：0≤a≤10.35，9.97≤b≤20.70，20.19≤c≤20.70，14.80≤d≤15.50，14.56≤x≤15.00，27.51≤y≤28.10，0≤z≤3.00。其制备方法为：根据所述玻璃陶瓷的成分组成选择原料，按比例混合，高温熔融；将熔融均匀的玻璃液体快速倒入预热的金属模具中，冷却成型，去应力退火；将得到的玻璃片进行可控结晶处理即可。本发明的玻璃陶瓷实现了无铅元素、环境友好，其交流击穿场强可达到18kV／mm以上，介电常数在60～90之间。本发明的玻璃陶瓷的介电损耗可降低至0.02％，介电常数的频率稳定性好，适合作为高压电容器介质。

公开(公告)号：CN102568818A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201010613018.0

申请日：2010-12-20

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 杜军 ,  朱君 ,  罗君 ,  张庆猛 ,  唐群

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/008 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明公开了属于功能材料技术领域的一种玻璃陶瓷叠层电容器的内电极及其制备方法，该内电极结构包括叠层的玻璃陶瓷电介质层和银浆电极层，且在每个相邻的玻璃陶瓷电介质层和银浆电极层之间设有内电极过渡层。其制备流程为：首先在玻璃陶瓷电介质单片的两面均镀上一层金属膜作为内电极过渡层；然后在镀金属膜层表面涂敷低温银浆电极，再进行多层叠片处理，然后烧结即可。本发明找到了可以在低温下烧结的玻璃陶瓷叠层电容器用内电极结构及其制备方法，使得烧结温度下降了超过300℃，而且保持了玻璃陶瓷电介质材料的本身电性能，介电常数保持在176左右，直流击穿场强提高到～33kV/mm。非常适合制作耐高压的多层陶瓷电容器用内电极。

公开(公告)号：CN102030327A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200910235202.3

申请日：2009-09-27

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 王磊 ,  陈兴 ,  杜军 ,  屠海令 ,  黄立娟 ,  罗君

IPC: C01B33/021 ,  C01B33/023 ,  B82B3/00 ,  C23C14/28 ,  C23C14/14

Abstract: 一种硅纳米材料制备技术领域的脉冲激光烧蚀(PLA)合成一维硅纳米线的方法。首先采用不同Si、SiO和SiO2配比的粉末制备复合靶材，将其置于Al2O3陶瓷管中部旋转部件中心。对陶瓷管进行加热的同时，采用机械泵维持炉管内压力至10Pa。为了提高硅纳米线的合成效率，在热蒸发复合靶材同时，KrF准分子激光器对复合靶进行烧蚀，激光烧蚀过程通入惰性气体进行气相Si源输送，样品收集位于靶材后方。通过选择合适的靶成分、缓冲气压、缓冲气体种类、炉体温度调整纳米硅线的尺寸和表面形态。采用本发明可以直接在各种衬底上获得单晶结构的尺寸可控硅纳米线，能够直接应用于光电器件的组装，显著增加了硅纳米线应用前景。另外，采用本发明制备的直径约10nm、长度超过1μm的硅纳米线具有很好的光致发光特征。

公开(公告)号：CN104671665B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201310625971.0

申请日：2013-11-28

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 罗君 ,  杜军 ,  张庆猛 ,  唐群

IPC: C03C10/02

Abstract: 一种低介电损耗的无铅玻璃陶瓷及其制备方法，该玻璃陶瓷的成分组成为：aBaO-bSrO-cNb2O5-dZnO-xSiO2-yB2O3-zREO，其中，a、b、c、d、x、y、z为摩尔比表示成分之间的摩尔比，REO表示稀土氧化物；且满足：0≤a≤10.35，9.97≤b≤20.70，20.19≤c≤20.70，14.80≤d≤15.50，14.56≤x≤15.00，27.51≤y≤28.10，0≤z≤3.00。其制备方法为：根据所述玻璃陶瓷的成分组成选择原料，按比例混合，高温熔融；将熔融均匀的玻璃液体快速倒入预热的金属模具中，冷却成型，去应力退火；将得到的玻璃片进行可控结晶处理即可。本发明的玻璃陶瓷实现了无铅元素、环境友好，其交流击穿场强可达到18kV／mm以上，介电常数在60～90之间。本发明的玻璃陶瓷的介电损耗可降低至0.02％，介电常数的频率稳定性好，适合作为高压电容器介质。

公开(公告)号：CN103159405B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201110415415.1

申请日：2011-12-13

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 杜军 ,  张庆猛 ,  罗君 ,  唐群 ,  韩东方 ,  周毅

IPC: C03C10/14

Abstract: 本发明提供一种具有高介电常数、低介电损耗的玻璃陶瓷及其制备方法，该玻璃陶瓷的化学成分组成为：xPbO-ySrO-zNb2O5-wNa2O-vSiO2-tR，其中的x、y、z、w、v、t表示各成分的摩尔比例，分别为：4≤x≤8，8.4≤y≤15，27≤z≤36，13.5≤w≤18，28≤v≤46，0.5≤t≤5，R为La2O3、Lu2O3、Pr6O11和Sm2O3中的一种。其制备方法是将上述成分对应的原料按照所述摩尔比例进行配料、混料，在1300℃～1450℃的高温下保温2～3小时形成熔融的玻璃液，然后将玻璃液制成玻璃片，玻璃片经过可控结晶热处理，得到本发明的玻璃陶瓷。本发明的玻璃陶瓷具有高的介电常数、低的介电损耗，适合用作交流高压电容器介质。

公开(公告)号：CN103159405A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201110415415.1

申请日：2011-12-13

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 杜军 ,  张庆猛 ,  罗君 ,  唐群 ,  韩东方 ,  周毅

IPC: C03C10/14

Abstract: 本发明提供一种具有高介电常数、低介电损耗的玻璃陶瓷及其制备方法，该玻璃陶瓷的化学成分组成为：xPbO-ySrO-zNb2O5-wNa2O-vSiO2-tR，其中的x、y、z、w、v、t表示各成分的摩尔比例，分别为：4≤x≤8，8.4≤y≤15，27≤z≤36，13.5≤w≤18，28≤v≤46，0.5≤t≤5，R为La2O3、Lu2O3、Pr6O11和Sm2O3中的一种。其制备方法是将上述成分对应的原料按照所述摩尔比例进行配料、混料，在1300℃～1450℃的高温下保温2～3小时形成熔融的玻璃液，然后将玻璃液制成玻璃片，玻璃片经过可控结晶热处理，得到本发明的玻璃陶瓷。本发明的玻璃陶瓷具有高的介电常数、低的介电损耗，适合用作交流高压电容器介质。