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公开(公告)号：CN109942195A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201711389364.3
申请日：2017-12-20
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了一种具有高介电常数低介电损耗的玻璃陶瓷及其制备方法。该玻璃陶瓷的化学成分组成为：xBaO-ySrO-zPbO-wTiO2-vSiO2-tNb2O5，其中的x、y、z、w、v、t表示各成分的摩尔比例，分别为：2.5≤x≤14，14≤y≤20，0≤z≤10，4≤w≤12，16≤v≤22，10≤t≤30。其制备方法是：将上述成分对应的原料按照所述摩尔比例进行配料、混料，在1450℃的高温下保温3个小时形成熔融的玻璃液，然后将玻璃液制成玻璃片，玻璃片经过可控结晶热处理，得到本发明的玻璃陶瓷。本发明的玻璃陶瓷具有高的介电常数、低的介电损耗，适合用作高压电容器介质。
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公开(公告)号：CN109868467A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201711265538.5
申请日：2017-12-04
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了一种铝合金表面抗辐射加固复合涂层的制备方法，包括以下步骤：(1)对基材铝合金表面进行预处理；(2)将预处理后的铝合金片固定至不锈钢球磨罐底部，将钨粉、铝粉或铝合金粉按配比混合后放入球磨罐中，不锈钢磨球与粉料重量比为5∶1，使用行星式球磨机在真空或氩气保护的环境中以转速为100转/分钟球磨1小时，再以转速为300转/分钟高能球磨5～20小时，即可得到的铝合金表面抗辐射加固复合涂层；(3)采用真空热压致密化处理的方法进行致密化；(4)经表面修整和机加工得到铝合金表面抗辐射加固复合涂层。采用本发明的方法制备的铝合金表面抗辐射加固复合涂层，具有致密度高、界面结合力强、屏蔽性能好的特点，具有较大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN106676333B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201611129388.0
申请日：2016-12-09
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了一种属于封装材料领域的具有抗辐射加固功能的高导热电子封装材料。所述封装材料是一种Al‑W‑Si三元体系的复合材料，其中W的质量分数为20～40％，Si的质量分数为10～60％，其余为Al，该材料的密度为2.9～4.01g/cm3，热导率为130～200W/(m×K)，热膨胀系数为8～19×10‑6/K，厚度为2mm的该材料对40KeV能量的X射线屏蔽效能超过75％，对60KeV能量的X射线屏蔽效能超过40％。本发明制备的封装材料具有低比重、高热导率、低膨胀系数的特性，同时兼具抗辐射加固性能，可以满足某些特殊应用环境下对器件小型化、轻量化和多功能集成的要求。
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公开(公告)号：CN105780068A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201410782121.6
申请日：2014-12-16
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了一种单脉冲电沉积Ni-Fe合金磁性镀层的方法，在含有镍离子和铁离子的电镀液中，以可溶性镍铁合金为阳极，以经表面处理的铝合金为阴极，采用单脉冲电沉积法制备Ni-Fe合金镀层；其中，电沉积时间为1-4h，脉冲电流密度为3A/dm2，占空比分别为0.2、0.3、0.4或1，周期为1ms。该方法制得的Ni-Fe合金镀层表面光洁，结构紧密，结晶细致、均匀，平整性好，无裂纹，得到Fe含量稳定的Ni-Fe合金镀层，通过调整脉冲电镀参数，得到具有磁性能较好的磁性镀层，并在静磁场中具有一定的磁屏蔽效能。
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公开(公告)号：CN105499583A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510946812.X
申请日：2015-12-16
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: B22F3/20
CPC classification number: B22F3/20
Abstract: 本发明公开了属于复合材料制备技术领域的一种B4C/Al复合材料板材的制备方法。所述制备方法的步骤为：原料粉末的混合、制备挤压初坯、板材挤压成型。用该方法制备的B4C/Al复合材料板材可以大幅度减少加工工序，提高原料利用率，降低生产成本。制备的B4C/Al复合材料板材具备较好的致密度，且力学性能和热中子吸收性能优良；抗拉强度可达280MPa，5mm厚的复合材料板材的热中子吸收率达90％以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105401001A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510780175.3
申请日：2015-11-13
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明特别涉及一种粉末冶金法制备钨颗粒增强铝基复合材料的工艺方法。该工艺方法过程包括：钨粉经过乙醇湿磨分散处理，真空干燥后与一定比例铝粉混合；经过除气、热等静压烧结以及机加工等工序，即可制得钨颗粒增强铝基复合材料。本发明通过对钨粉的表面预处理，使钨粉由团聚的链状变成单分散的颗粒状，提高了钨粉在复合材料内部的分散性和烧结活性，复合材料具有增强相分布均匀、致密度高、力学性能好等优点，采用粉末冶金的制备方法，工艺路线简单，制备周期短，成本低，可实现大规模的工业应用生产。
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公开(公告)号：CN102486655B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201010580804.5
申请日：2010-12-03
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: G05D11/16 , C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 一种用于吸收高频腔高次模的铁氧体吸收器及其制备方法。采用的材料体系为Ni-Zn-Co尖晶石(S)型铁氧体，其分子化学式为：NixZn1-x-yCoyFe2O4，其中x为0.40～0.80，y为0.04～0.20。采用粉末固态反应法或管道式合成化学共沉淀法进行铁氧体粉体的批量制备。采用常规压制—烧结法制备铁氧体筒状坯体。采用精磨和切割工艺加工铁氧体块材。采用丝网印刷银浆及其后续烧渗工艺金属化银层。采用片状Sn-Ag合金焊料将铁氧体块材与高频腔腔体进行焊接。本发明实现铁氧体吸收器在470MHZ～1090MHz频段的吸波性能。同时，选用较低的焊接温度，避免了由于钎焊温度过高以及还原性气氛引起的铁氧体化学计量成分的变化，可有效防止铁氧体在焊接过程中性能的恶化。将该铁氧体吸收器应用于粒子加速器的高频腔中可深度抑制高次模场，提高腔中束流的稳定性。
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公开(公告)号：CN103171184A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110430786.7
申请日：2011-12-20
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种低频强磁场屏蔽材料。这种屏蔽材料由单层或多层高电导率材料和铁磁性材料构成。屏蔽材料是高电导率材料和铁磁性材料分别按照不同的次序、层数及厚度等方式进行组合。在屏蔽材料制备过程中需对铁磁性材料进行热处理。考虑到高磁导率铁磁性材料在强磁场环境下易发生磁饱和现象，首先选用高抗磁饱和材料来初步减弱强磁场，然后采用高磁导率材料进一步屏蔽弱化后的磁场，在高抗磁饱和材料层和高磁导率材料层之间使用高电导率材料作为磁阻挡层，同时也具有部分屏蔽交变磁场的作用。本发明的屏蔽材料在厚度为0.2mm左右时，对10kHz～500kHz的低频强磁场的屏蔽效能达到了40dB，解决了在屏蔽材料允许厚度有限的条件下如何提高低频强磁场屏蔽效能是一个技术难题。
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公开(公告)号：CN109913680A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201711336252.1
申请日：2017-12-13
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了一种中子屏蔽铝基复合材料及其制备方法。该中子屏蔽铝基复合材料采用纯铝作为基体材料，屏蔽组分为金属氢化物和富10B单质或化合物；其中，金属氢化物的质量百分含量为20％～50％；富10B单质或化合物的质量百分含量为10％～20％；余量为铝和不可避免的杂质。其制备方法包括如下步骤：(1)按铝基复合材料的成分配比称取原料粉末；(2)在氩气保护条件下混料；(3)将混合料进行冷等静压成型，得到冷等静压坯锭；(4)将冷等静压坯锭装入铝包套，于300～450℃脱气后进行热等静压成型；(5)去除铝包套，得到铝基复合材料。本发明的中子屏蔽铝基复合材料对0.1MeV以上的快中子具备良好的慢化和屏蔽效果，且具有良好的耐热、耐辐照和结构力学性能。
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公开(公告)号：CN105364078B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201510796590.8
申请日：2015-11-18
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明属于电磁屏蔽技术领域，公开了一种具有良好导磁功能的软磁合金涂层的制备方法。所述软磁合金涂层的制备方法包括的步骤为：软磁合金粉末分级、软磁合金粉末热处理、配料、制模和固化。所制备的软磁合金涂层在直流磁场下具有较好的初始磁导率，可应用于低频磁场屏蔽领域，而且制备涂层工艺简单，较易加工，适用于任何形状的屏蔽产品。
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