公开(公告)号：CN101684545A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200810222930.6

申请日：2008-09-23

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 王磊 ,  杜军 ,  屠海令 ,  朱世伟

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/14

Abstract: 本发明公开了属于硅纳米材料制备技术领域的一种脉冲激光沉积制备纳米硅的方法。首先清洗并固定弧面硅靶和衬底，抽真空后通入惰性缓冲气体，调节衬底温度，采用KrF准分子激光器对硅靶进行烧蚀，激光烧蚀过程完成后，排出真空腔中的残余气体，通入惰性气体至常压，在衬底上收集硅纳米颗粒，取出并放置在惰性气体密封箱中存放。通过选择合适的硅靶形状、沉积距离、缓冲气体压力和衬底温度来调整纳米硅的尺寸和分散性。采用本发明可以直接在半导体单晶上获得尺寸可控、分散均匀的高面密度硅纳米颗粒，能够直接应用于光电器件的组装，显著增加了硅纳米颗粒的应用前景。另外，采用本发明制备的小于10nm的硅纳米颗粒具有很好的光致发光特征。

公开(公告)号：CN101684545B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200810222930.6

申请日：2008-09-23

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 王磊 ,  杜军 ,  屠海令 ,  朱世伟

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/14

Abstract: 本发明公开了属于硅纳米材料制备技术领域的一种脉冲激光沉积制备纳米硅的方法。首先清洗并固定弧面硅靶和衬底，抽真空后通入惰性缓冲气体，调节衬底温度，采用KrF准分子激光器对硅靶进行烧蚀，激光烧蚀过程完成后，排出真空腔中的残余气体，通入惰性气体至常压，在衬底上收集硅纳米颗粒，取出并放置在惰性气体密封箱中存放。通过选择合适的硅靶形状、沉积距离、缓冲气体压力和衬底温度来调整纳米硅的尺寸和分散性。采用本发明可以直接在半导体单晶上获得尺寸可控、分散均匀的高面密度硅纳米颗粒，能够直接应用于光电器件的组装，显著增加了硅纳米颗粒的应用前景。另外，采用本发明制备的小于10nm的硅纳米颗粒具有很好的光致发光特征。