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公开(公告)号:CN116312709A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310159799.8
申请日:2023-02-14
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G11C29/00
Abstract: 本发明公开了一种用于FLASH冗余修复的地址译码控制电路,包含字线地址译码控制电路和字线冗余替换修复电路。本发明通过增加对字线地址译码器实施控制的电路结构,实现屏蔽存在缺陷存储单元的标准字线,同时利用冗余字线进行替换修复,完成修复后的存储器能够正常使用,从而显著提高FLASH存储器的成品率。