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公开(公告)号：CN114220794B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202111334987.7
申请日：2021-11-11
Applicant: 北京工业大学 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L23/552 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供一种抗单粒子辐射加固的增强型GaN功率器件，包括一个衬底(212)；一个成核层(211)；一个缓冲层(210)；一个沟道层(209)；一个第一势垒层(208)；一个钝化层(202)；一个源极(201)；一个漏极(207)；一个栅极(203)；还包括：一个与钝化层和第一势垒层相连接的第二势垒层，和一个与第二势垒层和漏极相连接的第二P型GaN层；或者一个与源极、沟道层和缓冲层相连接的隔离埋层(213)，和一个与源极、隔离埋层和缓冲层相连接的第一P型GaN层(214)。
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公开(公告)号：CN114220794A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111334987.7
申请日：2021-11-11
Applicant: 北京工业大学 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L23/552 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供一种抗单粒子辐射加固的增强型GaN功率器件，包括一个衬底(212)；一个成核层(211)；一个缓冲层(210)；一个沟道层(209)；一个第一势垒层(208)；一个钝化层(202)；一个源极(201)；一个漏极(207)；一个栅极(203)；还包括：一个与钝化层和第一势垒层相连接的第二势垒层，和一个与第二势垒层和漏极相连接的第二P型GaN层；或者一个与源极、沟道层和缓冲层相连接的隔离埋层(213)，和一个与源极、隔离埋层和缓冲层相连接的第一P型GaN层(214)。
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公开(公告)号：CN120049871A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510072553.6
申请日：2025-01-17
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H03K17/22 , H03K17/284 , H03K17/687
Abstract: 本发明属于电子电路领域，具体涉及了一种延时可调的低功耗的上电复位电路，旨在解决现有的上电复位电路的面积开销较大，且RC延时结构实现毫秒级以上的延时较为困难的问题。本发明包括：阈值产生电路的输入端接电源电压，阈值产生电路的输出端连接施密特触发器的输入端；施密特触发器的输出端连接延时电路的第一输入端，延时电路的第二输入端连接外部时钟信号，延时电路的输出端向外部输出上电复位信号；阈值产生电路用于跟踪监测电源电压的变化，并在电源电压超过设定阈值后产生上电信号；施密特触发器电路用于对上电信号实现翻转阈值的调控并输出调控后的上电信号；延时电路用于实现对上电信号的延迟。本发明实现了对上电信号的延时调节。
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公开(公告)号：CN113704169B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202110924960.7
申请日：2021-08-12
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F15/173
Abstract: 本发明公开了一种面向嵌入式的可配置众核处理器，包括：内部数据总线系统、事件总线系统、数据连接线、路由单元和处理器核；内部数据总线系统包括若干条横、纵向数据线；若干条横、纵向数据线横纵交错排列，形成N个交叉点，每个交叉点对应放置一个路由单元，相邻路由单元之间通过横向数据线或纵向数据线连接；事件总线系统包括：事件控制单元、事件总线和事件信号线；各处理器核与对应的路由单元之间通过数据连接线连接；各事件控制单元一方面与事件总线连接，另一方面通过事件信号线与对应的处理器核和路由单元连接。本发明可满足嵌入式、高实时性、芯片内部处理器核之间高同步性、芯片内部通信并行性和高吞吐量的需求。
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公开(公告)号：CN116131814A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211493609.8
申请日：2022-11-25
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种适用于FDSOI工艺的双电源冗余锁存瞬时剂量率辐射加固触发器结构,属于抗辐射集成电路设计技术领域。通过增加冗余锁存结构，抑制由瞬时剂量率辐射导致的电源塌陷所引起的触发器输出数据翻转和扰动。冗余锁存结构采用与触发器主体结构不同的电源供电，并进行版图加固设计。整体电路采用晶体管堆叠结构，提高触发器抗瞬时剂量率辐射的能力。本发明的设计基于商用规则，可操作性强，易实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110676252B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201910865159.2
申请日：2019-09-12
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L27/02 , H01L27/092
Abstract: 本发明涉及一种抗瞬时辐射加固的集成电路版图结构，包括P阱，N阱，NMOS器件，PMOS器件，第一P阱接触，第二P阱接触，第一N阱接触，第二N阱接触；其中，NMOS器件、第一P阱接触和第二P阱接触位于P阱中，PMOS器件、第一N阱接触和第二N阱接触位于N阱中；第一P阱接触在NMOS器件源端一侧，第二P阱接触在NMOS器件漏端一侧，第一P阱接触和第二P阱接触的面积之和不小于所在P阱面积的15％，第一N阱接触在PMOS器件源端一侧，第二N阱接触在PMOS器件漏端一侧，第一N阱接触和第二N阱接触的面积之和不小于所在N阱面积的15％；上述面积是指所述区域的平面版图面积。
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公开(公告)号：CN120017014A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411892756.1
申请日：2024-12-20
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种应用于绝缘体上硅工艺的内置滤波抗单粒子翻转触发器结构，包括第一级堆叠时钟控制电路、第一级锁存反相器、第一级复制反相器、延迟电路、第一级数据信号堆叠电路、第二级堆叠时钟控制电路、第二级锁存反相器、第二级复制反相器、第二级数据信号堆叠电路和输出反相器电路。堆叠时钟控制电路用于控制主从锁存器的工作状态并保证自身受到单粒子轰击后数据正确；锁存反相器用于实现数据的传输和锁存；复制反相器用于提供冗余信号；延迟电路用于用延迟信号实现SET脉冲的过滤；数据信号堆叠电路用于实现数据锁存，并保证锁存器受到单粒子轰击后数据正确。本发明有效降低单粒子软错误问题，基于绝缘体上硅工艺特征开发，有效降低加固开销，易实现。
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公开(公告)号：CN114582862B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202210221722.4
申请日：2022-03-09
Applicant: 西安电子科技大学 , 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种单片集成GaN/Ga2O3的Cascode增强型抗单粒子烧毁器件，包括Ga2O3FET结构和设置在所述Ga2O3FET结构右侧的GaN HEMT结构，Ga2O3FET结构和GaN HEMT结构均设置在衬底上，GaN HEMT结构和Ga2O3FET结构之间设置有第一钝化层；Ga2O3FET结构自下而上依次包括Ga2O3缓冲层和Ga2O3沟道层，Ga2O3沟道层的上方从左至右依次设置有第一源极、第一栅极和第一漏极；GaN HEMT结构自下而上依次包括AlN成核层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层的上方从左至右依次设置有第二源极、p‑GaN层和第二漏极，p‑GaN层的上方设置有第二栅极。本发明采用上述结构实现了新型Ga2O3的增强型器件，降低了宇航系统的重量和复杂度，增加了器件的可靠性，提高了器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压。
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公开(公告)号：CN119298882A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411202445.8
申请日：2024-08-29
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H03K3/013 , H03K3/356 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种抗双节点翻转加固的锁存器电路结构，反相器电路用于反相输入数据信号D、产生时钟信号CLKNN以及输出Q；延时电路用于延时瞬态脉冲；C单元结构用于滤波；时钟控制输入结构用于控制信号在锁存器中的传播；锁存器电路用于保证电路在受到单粒子辐射时信号保持正确的状态；时钟控制C单元结构用于滤波以及控制锁存器电路的输出信号。本发明设计的电路结构，针对双节点翻转加固效果好，敏感节点少，电路设计简单，易实现。
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公开(公告)号：CN119298881A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202410973826.X
申请日：2024-07-19
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H03K3/013 , H03K3/356 , H03K19/003
Abstract: 本发明涉及一种FinFET工艺的冗余反馈锁存多层次抗单粒子加固触发器，包括数据输入结构、时钟输入结构、四个时钟控制结构，延时结构、数据主锁存结构、数据从锁存结构和数据输出结构，触发器对数据主锁存结构和数据从锁存结构均使用冗余反馈电路锁存数据，并使用延时结构对一路数据进行延时以滤除数据端的外来单粒子瞬态脉冲，通过冗余反馈锁存结构和延时单元实现了电路对单粒子单位/多位翻转、单粒子瞬态的多维度加固，显著提高了触发器的抗单粒子辐射加固能力；此外本发明优选采用电路和版图结合的设计加固方法，对单位栅极间距内的Fin设计为最大数量，并对敏感节点处器件使用叉指结构，同时将敏感节点对隔离布局，进一步增强抗单粒子多位翻转能力。
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