公开(公告)号：CN117038702A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310888993.X

申请日：2023-07-19

Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) ,  北京大学深圳研究院

Inventor： 秦来香 ,  何进 ,  李春来 ,  魏益群 ,  陈国豪 ,  李向杰 ,  何燕冬 ,  解冰 ,  岳玉涛 ,  衣法臻 ,  康化宇 ,  徐张伟

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了集成电路领域的一种提高驱动电流的环状二维MoS2晶体管器件，包括SiO2纳米核、MoS2沟道、源区、漏区、高KHfO2介质层、漏接触电极、栅电极和源接触电极，源接触电极、栅电机和漏接触电极依次排布设置，且SiO2纳米核置于源接触电极、栅电机和漏接触电极中心部位，源区位于源接触电极与SiO2纳米核之间。本发明提出的环状二维MoS2晶体管器件结构结合了二维半导体材料高的载流子迁移率及环栅晶体管器件优异的栅控能力，同时利用环形结构提高沟道有效宽度Weff，从而在不牺牲器件所占面积的情况下达到提高驱动电流的目的，本发明对于继续缩小晶体管器件的尺寸，延续摩尔定律的生命具有重要的意义。

公开(公告)号：CN102915957B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201210345336.2

申请日：2012-09-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 张波 ,  靳纯艳 ,  方敏 ,  王金延 ,  王茂俊 ,  于民 ,  解冰 ,  吴文刚

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种制作空气桥及电感的方法。其步骤主要包括：在基片上利用光刻胶制作第一牺牲胶层；在第一牺牲胶层上涂敷光刻胶制作第二牺牲胶层，该第二牺牲胶层的长度小于第一牺牲胶层的长度；通过烘烤使牺牲胶层的边角圆滑并固化，形成拱形的空气桥支撑基片；利用电子束蒸发制作种子层；在种子层上电镀金属材料层；采用腐蚀方法去除种子层，采用有机溶剂去除牺牲胶层，形成空气桥。本发明使用光刻胶制作两层牺牲胶层，可以提高空气桥的性能，并能提高工艺效率，减小制作过程中对器件造成的损伤，同时避免使用剧毒试剂，保护环境。

公开(公告)号：CN103094360A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210256999.7

申请日：2012-07-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 靳纯艳 ,  王金延 ,  方敏 ,  张波 ,  王茂俊 ,  于民 ,  解冰 ,  吴文刚

IPC: H01L29/92 ,  H01L21/334

Abstract: 本发明提供一种可变电容及其制作方法。该可变电容包括依次排列的高阻GaN层、高迁移率GaN层、AlGaN势垒层和金属层。该方法包括：在衬底上生长缓冲层；在缓冲层上依次生长高阻GaN层和高迁移率GaN层；在高迁移率GaN层上生长AlGaN势垒层；在AlGaN势垒层上采用ICP-RIE方法刻蚀隔离岛；然后涂光刻胶，进行光刻、曝光并显影，形成肖特基电极图形；再通过电子束蒸发一金属层，将光刻胶剥离后形成可变电容。利用本发明，可在GaN基上实现与高电子迁移率晶体管HEMT工艺兼容的可变电容，对于实现LNAs、VCOs以及混频器等电路有重要意义。

公开(公告)号：CN102915957A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210345336.2

申请日：2012-09-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 张波 ,  靳纯艳 ,  方敏 ,  王金延 ,  王茂俊 ,  于民 ,  解冰 ,  吴文刚

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种制作空气桥及电感的方法。其步骤主要包括：在基片上利用光刻胶制作第一牺牲胶层；在第一牺牲胶层上涂敷光刻胶制作第二牺牲胶层，该第二牺牲胶层的长度小于第一牺牲胶层的长度；通过烘烤使牺牲胶层的边角圆滑并固化，形成拱形的空气桥支撑基片；利用电子束蒸发制作种子层；在种子层上电镀金属材料层；采用腐蚀方法去除种子层，采用有机溶剂去除牺牲胶层，形成空气桥。本发明使用光刻胶制作两层牺牲胶层，可以提高空气桥的性能，并能提高工艺效率，减小制作过程中对器件造成的损伤，同时避免使用剧毒试剂，保护环境。

公开(公告)号：CN1114227C

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN00100121.3

申请日：2000-01-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 许铭真 ,  谭长华 ,  何燕东 ,  卫建林 ,  解冰 ,  刘晓卫

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件参数分析系统。包括半导体参数测试仪器，计算机，测试台，计算机与测试仪器接口卡，半导体参数分析软件系统。半导体参数测试仪器测量完整的半导体器件I-V输出特性；半导体参数分析软件系统对测得的I-V特性进行比例差值处理，得到相应的比例差值I-V输出谱特性，并用峰位和峰高度来直接确定半导体器件参数。与传统的拟合法或外推法相比，提高了精度，缩短了分析程序，明显地提高了工效。可应用于各尺度半导体器件参数信息处理领域。

公开(公告)号：CN102856188A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210277907.3

申请日：2012-08-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 蔡金宝 ,  王金延 ,  刘洋 ,  徐哲 ,  王茂俊 ,  于民 ,  解冰 ,  吴文刚

IPC: H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种氮化镓基器件的湿法腐蚀方法，其步骤包括：在氮化镓基器件表面淀积保护层；在保护层上涂敷光刻胶，并对待腐蚀区域进行光刻；刻蚀待腐蚀区域的保护层；去除剩余光刻胶；对氮化镓基器件在高温条件下进行氧化处理；将氧化处理后的氮化镓基器件置于腐蚀性溶液中进行腐蚀。本发明可制得槽底平整、台阶边缘光滑的腐蚀槽，并能有效减少对器件造成的损伤，适用于氮化镓基器件的隔离工艺以及其它腐蚀工艺。

公开(公告)号：CN1261205A

公开(公告)日：2000-07-26

申请号：CN00100121.3

申请日：2000-01-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 许铭真 ,  谭长华 ,  何燕东 ,  卫建林 ,  解冰 ,  刘晓卫

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件参数比例差值算符分析方法及其系统。先通过半导体参数测试仪器测量完整的半导体器件Ⅰ－Ⅴ输出特性,然后通过比例差值算符分析软件系统对上述Ⅰ－Ⅴ特性进行比例差值处理,得到相应的比例差值Ⅰ－Ⅴ函数特性和半导体参数。与传统的拟合法或外推法相比,提高了精度,缩短了测试程序,明显地提高了工效。可应用于半导体参数信息处理领域。