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公开(公告)号：CN119926462A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510076386.2
申请日：2025-01-17
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
Abstract: 一种石墨化碳包覆锡基金属异质相的复合材料、其制备方法与应用，属于电池材料技术领域。该石墨化碳包覆锡基金属异质相的复合材料以氮掺杂石墨化碳为壳，以锡基金属异质相为核；所述的锡基金属异质相定义为SnHE，由锡单质以及锡与第一过渡系金属元素的合金组成，第一过渡系金属元素为铜、锌、锰、钴、镍、钒和铁中至少一种。本发明能够提升正极材料的固硫和催化功能。
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公开(公告)号：CN119810436A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411842770.0
申请日：2024-12-13
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 深圳市港科才盛科技有限公司
Abstract: 本发明涉及人工智能领域和微生物领域，公开了基于级联分割网络的菌落区域图像分割方法、装置及设备，方法包括：对原始图像进行预处理，得到处理后的原始图像；获取预设的粗糙语义分割图和预设的背景图，将处理后的原始图像、背景图和粗糙语义分割图输入级联分割网络中；通过级联分割网络中的初始分割网络，对原始图像、背景图和粗糙语义分割图进行处理，生成初始分割结果图；通过目标分割网络，对处理后的原始图像、背景图和初始分割结果图进行处理，生成目标分割结果图，根据目标分割结果图，从处理后的原始图像中分割出菌落所在的图像区域，选取菌落所在的图像区域作为菌落区域图像。本发明有利于提高菌落区域图像的分割效率。
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公开(公告)号：CN119216842A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411541290.0
申请日：2024-10-31
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
Abstract: 本发明涉及激光加工技术领域，特别是涉及一种激光切割用的多气体协同辅助装置，包括上箱体，上箱体的顶面通过法兰安装有用于对激光束进行聚焦的聚焦镜，上箱体的底面设置有下箱体，下箱体的底部中心固定连接有导流管，导流管的一端伸入上箱体内，导流管的另一端伸出下箱体外，导流管的周围设置有若干个格栅孔，格栅孔开设在下箱体的底部，上箱体外壁连通有第一送气管，下箱体的外壁连通有第二送气管。本发明通过将上箱体内的气体通过导流管直接喷射到激光切割位置，同时将下箱体内的气体通过格栅孔喷射到激光加工区附近，形成两层气体保护墙，不仅能够协同完成熔渣的清理和加工区的冷却，同时形成的气体保护墙还能够减少空气卷入所导致的氧化。
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公开(公告)号：CN112634878B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202011476615.3
申请日：2020-12-15
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 北京大学深圳研究院
IPC: G10L15/06 , G10L15/183 , G10L15/19 , G10L15/22
Abstract: 本发明公开了一种语音识别后处理方法和系统及相关设备。所述方法包括：从语音识别系统针对输入语音进行第一次解码产生的词图lattice中，提取前N个最好的识别结果N‑best lists；使用训练好的带有词性的BERT双向语言模型对N‑best lists进行重打分；从N‑best lists中选择得分最高的结果作为最终的识别结果。本发明对N‑best lists进行重打分时，通过使用带有词性的BERT双向语言模型，能够同时利用上下文信息，还可以利用到上下文的词性信息，从而可以进一步提升语音识别系统的性能。
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公开(公告)号：CN112735393B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202011587781.0
申请日：2020-12-29
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 北京大学深圳研究院
IPC: G10L15/16 , G10L15/22 , G10L15/26 , G10L15/28 , G06F3/0488
Abstract: 本发明公开了一种AR/MR设备语音识别的方法和装置及系统。所述方法包括：在AR/MR设备的虚拟视场中显示一投射屏幕和一虚拟屏幕，投射屏幕是将智能手持设备的显示屏幕投射到虚拟视场中形成的；在智能手持设备的显示屏幕上显示一语音识别功能界面；根据用户在智能手持设备语音识别功能界面的操作，进行语音录入和语音识别，将识别出的多个候选结果显示在虚拟屏幕上，对多个候选结果进行选择和确认。本发明利用AR/MR更加方面、更加清晰的显示语音识别的多个候选结果，不会影响智能手持设备本身的应用界面；通过语音识别功能界面进行触摸滑动，可以更加方便直观的选择候选结果，提高了操作便捷性，可以实现手不离设备的操作和单手操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117041525A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310912860.1
申请日：2023-07-24
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 深圳市港科才盛科技有限公司
Abstract: 本发明实施例提供高像素手机摄像镜头精密耦合图案获取系统，所述高像素手机摄像镜头由待组立镜头组装而成，包括：成像装置，所述成像装置包括有至少3个子成像系统，所述子成像系统由子成像镜头和成像芯片组成，所述至少3个子成像系统离散采集不同视场点的图案，其中所述成像装置设置于待组立镜头的一侧；目标分划图案，所述目标分划图案设置在待组立镜头远离所述成像装置的一侧；照明装置，所述照明装置设置在所述目标分划图案远离所述待组立镜头的一侧；其中目标分划图案依次经过所述待组立镜头和子成像镜头后聚焦到所述成像芯片上。
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公开(公告)号：CN116936748A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311103884.9
申请日：2023-08-30
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
IPC: H01M4/1391 , H01M4/36 , H01M4/52 , H01M4/583 , H01M10/052
Abstract: 本发明公开了一种单原子负载多孔碳‑纳米氧化铁核壳材料及其制备与应用，采用纳米氧化铁作为硬模板，利用高分子聚合物在氧化铁自聚合反应，形成具有核壳结构的聚合物包覆纳米氧化铁颗粒(PM@Fe2O3)；然后利用酞菁盐类中的金属原子与纳米氧化铁颗粒表面的聚合物官能团形成强的π‑π相互作用，从而得到单一金属元素掺杂聚合物包覆的纳米氧化铁颗粒，并在氩气气体氛围下高温处理得到单原子负载的多孔碳‑纳米氧化铁核壳材料，该材料可以应用于锂硫电池。本发明所制备的单原子负载多孔碳‑纳米氧化铁核壳材料兼具单原子的高催化活性和氧化物的强极性作用，显著改善锂硫电池的反应动力学，在宽的温度区间实现了电池的稳定循环。
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公开(公告)号：CN114347013A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111305937.6
申请日：2021-11-05
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
Abstract: 本发明公开了一种印刷电路板与FPC柔性电缆线的装配方法及相关设备，其中装配方法包括：选用机器人基座世界坐标作为基础坐标系，通过离线标定算法，得到所述基础坐标系与图像坐标系之间的位姿关系；定位得到所述印刷电路板与所述FPC柔性电缆线上装配件的像素坐标，通过所述位姿关系将所述像素坐标转换到所述基础坐标系中，得到转换后的所述像素坐标之间的补偿差值；所述机械手根据所述补偿差值移动完成所述印刷电路板与所述FPC柔性电缆线之间的装配。本发明通过建立基础坐标系与图像坐标系之间的位姿关系，将识别到的装配物料的像素坐标转换到统一坐标系中进行差值的计算，进而控制机械手进行精准的补偿差值的运转，从而实现效率高的精准装配。
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公开(公告)号：CN110190508B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201910446995.7
申请日：2019-05-27
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
IPC: H01S5/068
Abstract: 本发明涉及为了解决法拉第原子滤光器小型化问题，特公开本发明：一种小型化窄线宽半导体激光器，包括半导体激光发射头、准直透镜、小型化法拉第原子滤光器、外腔镜和电路控制单元；其中，半导体激光发射头、小型化法拉第原子滤光器和外腔镜均与电路控制单元电连接；控制电路单元包括控制半导体激光发射头的电流，控制小型化法拉第原子滤光器的温度，控制外腔镜的位移量；半导体激光发射头用于发射激光。本发明以原子跃迁谱线为基准频率，并且同时使用电反馈和光反馈，激光输出频率稳定性高，在此基础上提出了小型化方案，此发明可以大为缩减激光器的体积，节约产生和使用成本，不仅易于使用，还能拓展更多的应用场合。
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公开(公告)号：CN113745123A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202010461418.8
申请日：2020-05-27
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
IPC: H01L21/66 , G06F30/337
Abstract: 本发明涉及一种硅基GaN HEMT晶体管栅电流参数提取方法，包括以下步骤：测试出GaN HEMT场效应晶体管的栅电流特性曲线；将硅基GaN HEMT器件测试得出的栅电流特性曲线与两个对数差分函数分别相减，得到截距以及两个不同斜率因子；将硅基GaN HEMT器件测试得出的栅电流特性曲线与任意一个对数差分函数相减，得到具有极值的差分函数谱曲线；在任意差分函数谱曲线上，获取二个极值点的栅电流极值；将获得的二个栅电流极值代入提取公式，可以提取得到一次栅电流的关键参数值；将两个对数差分函数谱提取的栅电流的关键参数值求平均值，得到栅电流关键参数值，这种方法简单、适用性强、误差小，能抑制小尺寸引起的器件短沟效应和非本征效应。
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