公开(公告)号：CN117038702A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310888993.X

申请日：2023-07-19

Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) ,  北京大学深圳研究院

Inventor： 秦来香 ,  何进 ,  李春来 ,  魏益群 ,  陈国豪 ,  李向杰 ,  何燕冬 ,  解冰 ,  岳玉涛 ,  衣法臻 ,  康化宇 ,  徐张伟

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了集成电路领域的一种提高驱动电流的环状二维MoS2晶体管器件，包括SiO2纳米核、MoS2沟道、源区、漏区、高KHfO2介质层、漏接触电极、栅电极和源接触电极，源接触电极、栅电机和漏接触电极依次排布设置，且SiO2纳米核置于源接触电极、栅电机和漏接触电极中心部位，源区位于源接触电极与SiO2纳米核之间。本发明提出的环状二维MoS2晶体管器件结构结合了二维半导体材料高的载流子迁移率及环栅晶体管器件优异的栅控能力，同时利用环形结构提高沟道有效宽度Weff，从而在不牺牲器件所占面积的情况下达到提高驱动电流的目的，本发明对于继续缩小晶体管器件的尺寸，延续摩尔定律的生命具有重要的意义。

公开(公告)号：CN113050404B

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202110332144.7

申请日：2021-03-29

Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) ,  北京大学深圳研究院 ,  北京大学

Inventor： 陈景标 ,  赵天 ,  关笑蕾 ,  何进 ,  潘俊 ,  何燕冬 ,  胡国庆

IPC: G04F5/14

Abstract: 本发明公布了一种基于脉冲调制宽谱多频激光的铷原子光钟及实现方法，包括：电源控制系统、420nm脉冲调制宽谱多频激光系统、调制转移谱稳频系统、激光探测模块、激光鉴相及高速伺服控制电路；通过对钟激光系统施加脉冲调制信号，生成一种包含多个频率成分的宽谱梳齿型激光；该宽谱梳齿型激光与不同速度群的铷原子相互作用，得到更多对钟跃迁谱线有贡献的铷原子，提高原子利用效率，从而大幅提高信噪比，有效提升铷原子光钟的稳定度。

公开(公告)号：CN113050404A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202110332144.7

申请日：2021-03-29

Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) ,  北京大学深圳研究院 ,  北京大学

Inventor： 陈景标 ,  赵天 ,  关笑蕾 ,  何进 ,  潘俊 ,  何燕冬 ,  胡国庆

IPC: G04F5/14

Abstract: 本发明公布了一种基于脉冲调制宽谱多频激光的铷原子光钟及实现方法，包括：电源控制系统、420nm脉冲调制宽谱多频激光系统、调制转移谱稳频系统、激光探测模块、激光鉴相及高速伺服控制电路；通过对钟激光系统施加脉冲调制信号，生成一种包含多个频率成分的宽谱梳齿型激光；该宽谱梳齿型激光与不同速度群的铷原子相互作用，得到更多对钟跃迁谱线有贡献的铷原子，提高原子利用效率，从而大幅提高信噪比，有效提升铷原子光钟的稳定度。

公开(公告)号：CN111707870A

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN202010585876.2

申请日：2020-06-24

Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) ,  北京大学深圳研究院

Inventor： 何进 ,  何燕冬 ,  魏益群 ,  李春来 ,  胡国庆 ,  何箫梦

IPC: G01R27/02 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种提取GaN HEMT晶体管动态串联电阻的方法，在直流和脉冲测试条件下，通过提出的方法，可以在不同的偏置和电压-电流条件下直接提取GaN HEMT晶体管动态串联栅源电阻RS和栅漏串联电阻RD及其变化，从而理解和分析GaN HEMT器件大电流情形导致的电流崩塌效应，热效应和沟道表面损伤产生的栅源-栅漏表面态特征，这些参数和信息有助优化GaN HEMT的器件及电路设计和改善工作条件。