公开(公告)号：CN1114227C

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN00100121.3

申请日：2000-01-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 许铭真 ,  谭长华 ,  何燕东 ,  卫建林 ,  解冰 ,  刘晓卫

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件参数分析系统。包括半导体参数测试仪器，计算机，测试台，计算机与测试仪器接口卡，半导体参数分析软件系统。半导体参数测试仪器测量完整的半导体器件I-V输出特性；半导体参数分析软件系统对测得的I-V特性进行比例差值处理，得到相应的比例差值I-V输出谱特性，并用峰位和峰高度来直接确定半导体器件参数。与传统的拟合法或外推法相比，提高了精度，缩短了分析程序，明显地提高了工效。可应用于各尺度半导体器件参数信息处理领域。

公开(公告)号：CN102543147A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210016651.0

申请日：2012-01-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  高晓敏 ,  何燕东 ,  杜刚 ,  康晋锋 ,  张兴

IPC: G11C7/08

Abstract: 本发明公开了一种多值存储电路的读取电路及读取方法，包括：第一灵敏放大器、第二灵敏放大器、第三灵敏放大器、n型MOS晶体管和p型MOS晶体管；所述第一灵敏放大器、第二灵敏放大器和第三灵敏放大器分别接收选中单元和不同参考单元的信号，所述第二灵敏放大器的输出端输出MSB信号，所述n型MOS晶体管和p型MOS晶体管的栅极接收MSB信号，所述第一灵敏放大器的输出端连接n型MOS晶体管的源极，所述第三灵敏放大器的输出端连接p型MOS晶体管的源极，所述n型MOS晶体管和p型MOS晶体管的漏极并联输出LSB信号。与现有的并行读取电路相比，本发明具有面积小、读容限大的优点，与现有的串行电路相比，本发明具有结构简单、速度快、功耗低的特点。

公开(公告)号：CN1261205A

公开(公告)日：2000-07-26

申请号：CN00100121.3

申请日：2000-01-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 许铭真 ,  谭长华 ,  何燕东 ,  卫建林 ,  解冰 ,  刘晓卫

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件参数比例差值算符分析方法及其系统。先通过半导体参数测试仪器测量完整的半导体器件Ⅰ－Ⅴ输出特性,然后通过比例差值算符分析软件系统对上述Ⅰ－Ⅴ特性进行比例差值处理,得到相应的比例差值Ⅰ－Ⅴ函数特性和半导体参数。与传统的拟合法或外推法相比,提高了精度,缩短了测试程序,明显地提高了工效。可应用于半导体参数信息处理领域。