公开(公告)号：CN102097521A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010523325.X

申请日：2010-10-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 蔡璐 ,  于民 ,  羊晋 ,  王金延 ,  金玉丰

IPC: H01L31/115 ,  G01T1/24 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种曲面结构的硅漂移探测器。本发明的硅漂移探测器包括N型硅片，位于所述N型硅片的入射面的P型漂移电极，施加于所述入射面的反向偏置电压，和位于所述N型硅片的背面的阳极，其特征在于，所述硅漂移探测器还包括位于所述N型硅片的背面的P型曲面漂移电极，所述曲面从距离所述阳极设定的距离处向外围凹陷。本发明还公开了一种硅漂移探测器的制造方法，在该方法中，所需的曲面通过用腐蚀剂腐蚀基底表面而得到。本发明可用于X射线光谱分析，还可用于空间探测等技术领域。

公开(公告)号：CN102097521B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201010523325.X

申请日：2010-10-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 蔡璐 ,  于民 ,  羊晋 ,  王金延 ,  金玉丰

IPC: H01L31/115 ,  G01T1/24 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种曲面结构的硅漂移探测器。本发明的硅漂移探测器包括N型硅片，位于所述N型硅片的入射面的P型漂移电极，施加于所述入射面的反向偏置电压，和位于所述N型硅片的背面的阳极，其特征在于，所述硅漂移探测器还包括位于所述N型硅片的背面的P型曲面漂移电极，所述曲面从距离所述阳极设定的距离处向外围凹陷。本发明还公开了一种硅漂移探测器的制造方法，在该方法中，所需的曲面通过用腐蚀剂腐蚀基底表面而得到。本发明可用于X射线光谱分析，可用于空间探测等技术领域。