公开(公告)号：CN114843187B

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202110141892.7

申请日：2021-02-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 张斌 ,  王金延 ,  李梦军 ,  陶倩倩 ,  王鑫 ,  汪晨 ,  吴文刚 ,  谢勇

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/778 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种GaN基多纳米沟道高电子迁移率晶体管的制备方法，属于微电子器件技术领域。该方法采用高温氧化腐蚀方法，湿法刻蚀形成纳米沟道阵列结构。由于湿法刻蚀中没有引入等离子体，因此不会在纳米沟道阵列的侧面产生损伤；同时，在一定的温度范围内，只有AlGaN材料会被氧化，而GaN材料不会被氧化，因此腐蚀能够自停止在GaN表面，保证沟道之间以及器件之间的一致性，本发明适合大规模的商业化生产。

公开(公告)号：CN114843187A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202110141892.7

申请日：2021-02-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 张斌 ,  王金延 ,  李梦军 ,  陶倩倩 ,  王鑫 ,  汪晨 ,  吴文刚 ,  谢勇

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/778 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种GaN基多纳米沟道高电子迁移率晶体管的制备方法，属于微电子器件技术领域。该方法采用高温氧化腐蚀方法，湿法刻蚀形成纳米沟道阵列结构。由于湿法刻蚀中没有引入等离子体，因此不会在纳米沟道阵列的侧面产生损伤；同时，在一定的温度范围内，只有AlGaN材料会被氧化，而GaN材料不会被氧化，因此腐蚀能够自停止在GaN表面，保证沟道之间以及器件之间的一致性，本发明适合大规模的商业化生产。

公开(公告)号：CN109199467B

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201810958896.2

申请日：2018-08-22

Applicant: 北京大学深圳医院

Inventor： 谢勇 ,  其他发明人请求不公开姓名

IPC: A61B10/04 ,  A61B1/04 ,  A61B1/273 ,  A61B1/05 ,  A61B1/06

Abstract: 本发明涉及一种胃镜装置，其包括主体部、集成块、取样装置和放样装置；集成块设置在主体部上，集成块包括控制器、照明单元、摄像头和无线数据传输模块，控制器分别与摄像头、无线数据传输模块连接和照明单元连接；取样装置设置在集成块上，取样装置包括伸缩单元和取样组件，伸缩单元能够带动取样组件伸出至集成块的外部，取样组件上具有凸块；放样装置，放样装置设置在取样装置上，放样装置包括门体、弹簧和放样槽，门体通过弹簧与放样槽连接，凸块在移动时会带动门体封闭或者敞开放样槽。本发明提供的装置不会引起人身体不适，适用对象没有限制，提供一种能够全方位进行检查的胃镜装置。