公开(公告)号：CN101369599B

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200810212053.4

申请日：2008-09-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 董志华 ,  王金延 ,  郝一龙 ,  文正 ,  王阳元

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/45 ,  H01L29/772 ,  H01L29/737 ,  H01L33/00 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L21/28 ,  H01S5/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基器件的欧姆接触及其制备方法，属于半导体技术领域。该氮化镓基器件的欧姆接触，由钛金属层、铝金属层、阻挡金属层和金金属层组成，与氮化镓基器件欧姆接触的是钛金属层，钛金属层上覆盖铝金属层，在钛金属层和铝金属层上依次覆盖阻挡金属层和金金属层，其中，钛金属层和铝金属层重叠排列2—10个周期。与传统欧姆接触结构相比，本发明基于多层Ti/Al结构的欧姆接触能够兼顾低比欧姆接触率，且具有好的表面形貌和高可靠性，能够提高欧姆接触的综合性能。对于实现高性能、高可靠性的氮化镓基器件具有重要意义。

公开(公告)号：CN101369599A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810212053.4

申请日：2008-09-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 董志华 ,  王金延 ,  郝一龙 ,  文正 ,  王阳元

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/45 ,  H01L29/772 ,  H01L29/737 ,  H01L33/00 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L21/28 ,  H01S5/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基器件的欧姆接触及其制备方法，属于半导体技术领域。该氮化镓基器件的欧姆接触，由钛金属层、铝金属层、阻挡金属层和金金属层组成，与氮化镓基器件欧姆接触的是钛金属层，钛金属层上覆盖铝金属层，在钛金属层和铝金属层上依次覆盖阻挡金属层和金金属层，其中，钛金属层和铝金属层重叠排列2－10个周期。与传统欧姆接触结构相比，本发明基于多层Ti/Al结构的欧姆接触能够兼顾低比欧姆接触率，且具有好的表面形貌和高可靠性，能够提高欧姆接触的综合性能。对于实现高性能、高可靠性的氮化镓基器件具有重要意义。